Liquid crystal display and driving method thereof. The liquid crystal display comprises a plurality of grid lines arranged in the direction of the column direction; a plurality of data lines are arranged in a direction perpendicular to the row direction of the column; a plurality of pixels are arranged in a matrix manner. Between the two adjacent pixels on adjacent grid lines and two data lines, including the first pixel electrode; second pixel electrode; the first transistor has a gate that is electrically coupled to the gate line, a source electrode and a drain electrode electrically coupled to the first pixel electrode; a second transistor having a gate electrically coupled gate line source is electrically coupled to the source of the first transistor, the drain electrode is coupled to the second pixel electrode; a third transistor having a gate electrically connected to the gate line, a source is electrically coupled to a two adjacent data line, a drain is electrically coupled to the first transistor and the second transistor source.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示器,且特别关于一种减少功耗并提升性能的液晶显示器 及其驱动方法。
技术介绍
液晶显示器设备包括一液晶面板,由液晶胞与像素组件形成,该像素组件与相对 应的液晶胞结合且具有一液晶电容器以及一储存电容器;一薄膜晶体管,电性耦接至该液 晶电容器及储存电容器。这些像素组件以矩阵方式排列,具有大量像素列与像素行。典型 地,栅极信号依序提供给像素列用于依序逐列打开该像素组件。当提供给一像素列一栅极 信号,用以打开该像素列的像素组件的相应薄膜晶体管时,该像素列的源极信号(也就是 影像信号)亦同时提供至所述像素行,以便为该像素列的对应的液晶电容器以及储存电容 器充电,从而校正与该像素列相关的对应液晶胞的方位,以便控制其光线传输。对所有像素 列重复上述过程,则所有的像素组件均被提供了影像信号的对应源极信号,从而可显示该 影像信号。众所周知,当该液晶层上有一个足够高伏特的电压存在较长时间时,液晶分子的 光学传输特性会发生变化。该种变化可能是永久性的,导致该液晶显示器的显示质量发生 可不逆转的退化。为了阻止所述液晶分子的退化,液晶显示器通常通过交替改变供给该液 晶胞的电压极性的技术予以驱动。这些技术可包括转换方案(inversion schemes),如帧 转换(frame inversion)、列转换(row inversion)、行转换(column inversion)及点转换 (dot inversion)。典型地,尽管采取转换方案,显示较高质量的影像仍会因为频繁的极性 转换而产生更大功率消耗。所述液晶显示设备,尤其薄膜晶体管液晶显示设备,会消 ...
【技术保护点】
一种液晶显示器,其特征在于,包括:多条栅极线{G↓[n]},n=1,2,...,N,其中N为大于0的整数,沿一列的方向空间排列;多条数据线{D↓[m]},m=1,2,...,M,其中M为大于0的整数,穿过该多条栅极线{G↓[n]},该多条数据线沿垂直该列方向的行方向空间排列;以及多个像素{P↓[n,m]},以矩阵方式空间排列,每个像素P↓[n,m]均界定于相邻两条栅极线G↓[n]及G↓[n+1],以及相邻两条数据线D↓[m]及D↓[m+1]之间,且包括:第一子像素电极;第二子像素电极;第一晶体管,具有一栅极,电性耦接至该栅极线G↓[n+1],一源极,以及一漏极电性耦接至该第一子像素电极;第二晶体管,具有一栅极,电性耦接至该栅极线G↓[n],一源极电性耦接至该第一晶体管的源极,以及一漏极电性耦接至该第二子像素电极;及第三晶体管,具有一栅极,电性耦接至该栅极线G↓[n+2],一源极电性耦接至该两相邻数据线D↓[m]及D↓[m+1]中的一者,以及一漏极电性耦接至该第一晶体管与第二晶体管的源极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡育铮,李国贤,吕昭良,郭峻廷,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71
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