有机发光二极管像素阵列制造技术

一种有机发光二极管像素阵列。包括多条第一讯号线、多条第二讯号线以及多个像素阵列单元。多个像素阵列单元阵列排列于基板上。各像素阵列单元包括多个有机发光二极管像素，此多个有机发光二极管像素连接同一条第一讯号线，并且各自连接这些第二讯号线中的第一部分以及第二部分，且至少两个有机发光二极管像素位于第一部分与第二部份之间。第一部分、第二部分与这些有机发光二极管像素围出穿透区，且第一部分与第二部分别位于穿透区的相对两侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光二极管像素阵列，特别是涉及一种具有穿透区的有机发 光二极管像素阵列。
技术介绍
由于有机发光(Organic Light Emitting Diode, OLED)显示器具有多项特性及 优点，如自发光、广视角、反应时间快、低操作电压、可低温操作以及高光电转换效率等，使 得其普遍被预期为下一世代显示器的主流。在各种有机发光(Organic Light Emitting Diode, OLED)显示器中，又以透明式有机发光显示器最引人注目。透明式有机发光显示器 可以置放于另一显示器前方，所以使用者可以通过透明式有机发光显示器观看到另一显示 器所显示的影像，亦称为外界影像。一般而言，在现有的透明式有机发光显示器中，是藉由在每一个子像素间设置 穿透区，以实现一透明式有机发光显示器。然而，这些穿透区所构成的图案是由许多小 面积的穿透区按照子像素的排列方式重复排列而成，这些穿透区的空间频率(spatial frequency)过高。因此，这些穿透区的排列方式使得穿过透明式有机发光显示器的外界影 像成像品质(例如清晰度)不佳。如上所述，如何开发出一种透明式有机发光显示器，以改 善穿过透明式有机发光显示器的外界影像成像品质，实为研发者所面临的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机发光二极管像素阵列，穿过此有机发光二极管像素阵列的外 界影像具有理想的清晰度。本专利技术提出一种有机发光二极管像素阵列，此有机发光二极管像素阵列配置于基 板上。此有机发光二极管像素阵列包括多条第一讯号线、多条第二讯号线以及多个像素阵 列单元。多条第二讯号线与这些第一讯号线相交，其中这些第一讯号线为多条扫描线以及 多条数据线的其中一条，而这些第二讯号线为这些扫描线以及这些数据线的其中另一条。 多个像素阵列单元阵列排列于基板上，且各像素阵列单元包括多个有机发光二极管像素。 此多个有机发光二极管像素连接至同一条第一讯号线，并且这些有机发光二极管像素各自 连接这些第二讯号线中的第一部分以及这些第二讯号线中的第二部分，且至少两个有机发 光二极管像素位于第一部分与第二部份之间。第一部分、第二部分与这些有机发光二极管 像素围出穿透区，且第一部分与第二部分别位于穿透区的相对两侧。基于上述，在本专利技术的有机发光二极管像素阵列中，藉由将第二讯号线中的第一 部分以及第二部分配置于像素阵列单元的两侧，而使得各穿透区的面积变大，其中各穿透 区的宽度至少大于一个像素的宽度。如此一来，穿透区的空间频率(spatial frequency) 则会变小，进而使得穿过此有机发光二极管像素阵列的外界影像的清晰度可有效提高。为使本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并结合附图详细 说明如下。附图说明图1是本专利技术第一实施例的有机发光二极管像素阵列示意图。图2是本专利技术第二实施例的有机发光二极管像素阵列示意图。图3是本专利技术第三实施例的有机发光二极管像素阵列示意图。图4是本专利技术第四实施例的有机发光二极管像素阵列示意图。图5是本专利技术第五实施例的有机发光二极管像素阵列示意图。附图符号说明100、100A、100B、100C、100D 有机发光二极管像素阵列200 基板Ll 第一讯号线L2:第二讯号线U:像素阵列单元SL:扫描线DL 数据线110 有机发光二极管像素L2-a:第二讯号线的第一部分L2-b 第二讯号线的第二部分CL 连接线PL 电源线TS 开关元件TD 驱动元件LD 发光二极管单元G、G，栅极S、S，源极D、D，漏极U 像素单元H:间隔R、R，穿透区W:穿透区宽度K:宽度P1、P2 穿透区间的间距D1、D2 第一部分或第二部分所占的宽度RL 参考线具体实施方式第一实施例图1为本专利技术一实施例的有机发光二极管像素阵列100的示意图。请参照图1，本 实施例的有机发光二极管像素阵列100配置于基板200上，此有机发光二极管像素阵列100包括多条第一讯号线Li、多条第二讯号线L2以及多个像素阵列单元U。在本实施例中，基 板200主要是用来承载基板200上的元件之用，其材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其 它可适用的材料。多条第一讯号线Ll与多条第二讯号线L2相交，其中多条第一讯号线Ll可以为多 条扫描线SL以及多条数据线DL的其中一条，而多条第二讯号线L2可以为多条扫描线SL以 及多条数据线DL的其中另一条。在本实施例中，多条第一讯号线Ll为多条扫描线SL，而多 条第二讯号线L2为多条数据线DL，其中第一讯号线Ll (扫描线SL)与第二讯号线L2 (数据 线DL)彼此交错设置。换言之，第一讯号线Ll (扫描线SL)的延伸方向与第二讯号线L2(数 据线DL)的延伸方向不平行，或是，第一讯号线Ll(扫描线SL)的延伸方向与第二讯号线 L2(数据线DL)的延伸方向大致上垂直。另外，第一讯号线Ll (扫描线SL)与第二讯号线L2(数据线DL)属于不同的膜层。 基于导电性的考虑，第一讯号线Ll(扫描线SL)与第二讯号线L2(数据线DL) —般是使用金 属材料。但是，本专利技术不限于此，第一讯号线Ll (扫描线SL)与第二讯号线L2(数据线DL) 也可以使用金属以外的其他导电材料，例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、 金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆迭层。具体来说，本实施例的有机发光二极管像素阵列100可进一步地包括多条电源线 PL,这些电源线PL例如是平行于第一讯号线Li，并电性连接至像素阵列单元U以提供所需 的电源。在本实施例中，这些电源线PL可是彼此电性连接的，且这些电源线PL可与第一讯 号线Ll属于同一膜层。但是，本专利技术不限于此，在其他实施例中，这些电源线PL亦可不平 行于第一讯号线Ll，例如是平行于第二讯号线L2，且这些电源线PL可选择性地与第二讯号 线L2属于同一膜层。多个像素阵列单元U阵列排列于基板200上，且各像素阵列单元U包括电性连接 至电源线PL的多个有机发光二极管像素110。各像素阵列单元U中的多个有机发光二极管 像素110连接至同一条第一讯号线Ll，并且这些有机发光二极管像素110各自连接多条第 二讯号线L2中的第一部分L2-a以及多条第二讯号线L2中的第二部分L2_b。也就是说，第 一部份L2-a与第二部份L2-b分别由至少一条第二讯号线L2所组成并连接对应的有机发 光二极管像素110。此外，各像素阵列单元U还可包括多条连接线CL，以将这些有机发光二 极管像素110对应地连接至第一部分L2-a与第二部分L2-b。值得一提的是，第一部分L2_a、第二部分L2_b与像素阵列单元U围出穿透区R，且 第一部分L2-a与第二部L2-b分别位于穿透区R的相对两侧。换言之，各像素阵列单元U 间并非完全紧密排列。相邻两个像素阵列单元U在第二讯号线L2(数据线DL)的延伸方向 上有一间隔H以构成穿透区R。在本实施例的有机发光二极管像素阵列100中，间隔H的大 小不需为定值，不同列的像素阵列单元U之间所设置的间隔H可依照实际的需求作适当的 调整。在一实施方式中，至少两个有机发光二极管像素110位于第一部分L2_a与第二部 L2-b之间。因此，穿透区R在第一讯号线Ll (扫描线SL)的延伸方向上的宽度W至少大于 一个有机发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管像素阵列，配置于一基板上，该有机发光二极管像素阵列包括：多条第一讯号线；多条第二讯号线，与这些第一讯号线相交，其中这些第一讯号线为多条扫描线以及多条数据线的其中一条而这些第二讯号线为这些扫描线以及这些数据线的其中另一条；以及多个像素阵列单元，阵列排列于该基板上，且各该像素阵列单元包括：多个有机发光二极管像素，连接同一条第一讯号线，并且这些有机发光二极管像素各自连接这些第二讯号线中的一第一部分以及这些第二讯号线中的一第二部分，且至少两个有机发光二极管像素位于该第一部分与该第二部份之间，其中该第一部分、该第二部分与这些有机发光二极管像素围出一穿透区，且该第一部分与该第二部分别位于该穿透区的相对两侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗廷，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71