一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置制造方法及图纸

一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，所述外壳的上部设置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。本实用新型专利技术通过增设热屏、导流筒、炭毡等合理部件，并对它们的相对位置和规格进行选择，使得热场装置内形成合适的温度梯度，气体在热场装置内分布合理，适于直拉法中20英寸硅单晶的生长。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅 单晶生长的热场装置，具体为一种在适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置。
技术介绍
直拉法生产硅单晶已经是该领域通用的一种技术手段，在此生产过程中，需要用到热场装置，通常情况下，热场装置包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，生产过程中，石英坩埚内的原料经过加热和局部冷却并拉伸生长形成圆柱状的硅单晶。传统结构的热场装置中，各部件的相对位置设置不合理，不易形成较好的温度梯度，不利于拉晶过程的稳定和拉晶速度的提高，尤其不适合20英寸这种大型硅单晶的生长。
技术实现思路
本技术所解决的技术问题在于提供一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，使之可以形成较好的温度梯度，并适于20英寸大型硅单晶的生长，从而解决上述
技术介绍
中的缺点。本技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，与传统热场装置的显著区别在于，本技术在所述外壳上装置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。作为一种改进，所述外壳的底部贴附有炭毡，同时也可以在外壳上方内壁贴附炭毡，以易于内部温度的提升和稳定。作为一种改进，所述石墨导热筒的高度为230mm。作为一种改进，热屏外表面与石英坩埚侧面形成一定锥度(渐缩流道)，且流道变窄，同时该热屏内部炭毡加厚，热屏下表面与石英坩埚内自由液面之间的导流流道面积增大。由于采用了以上技术方案，本技术具有以下有益效果本技术通过设置热屏、导流筒、炭毡等合理部件，以及对它们的相对位置和规格进行选择，使得热场装置内形成合适的温度梯度，气体在热场装置内分布合理，适于直拉法中20英寸硅单晶的生长。附图说明图1为本技术结构示意图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见图1，一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳1、安装在外壳1中心的石墨坩埚2、位于石墨坩埚2内的石英坩埚3、位于石墨坩埚2外围的加热器4，与传统热场装置的显著区别在于，本技术在所述外壳1上装置有保温板5，该保温板5上固接有中空的倒圆台形的热屏6，该热屏6的上方安装有石墨导热筒7。本实施例中，所述外壳1的底部和上方内壁均贴附有炭毡8，以易于内部温度的提升和稳定。本实施例中，所述石墨导热筒7的高度为230mm。本实施例中，所述热屏6外表面与石英坩埚3侧面形成一定锥度(渐缩流道)，且流道变窄，同时该热屏6内部炭毡加厚，热屏6下表面与石英坩埚3内自由液面之间的导流流道面积增大。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求1.一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，其特征在于所述外壳上设置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。2.根据权利要求1所述的一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，其特征在于所述外壳的底部贴附炭毡。3.根据权利要求1所述的一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，其特征在于所述石墨导热筒的高度为230mm。专利摘要一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，所述外壳的上部设置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。本技术通过增设热屏、导流筒、炭毡等合理部件，并对它们的相对位置和规格进行选择，使得热场装置内形成合适的温度梯度，气体在热场装置内分布合理，适于直拉法中20英寸硅单晶的生长。文档编号C30B15/14GK201942784SQ201120016798公开日2011年8月24日 申请日期2011年1月19日 优先权日2011年1月19日专利技术者李斌, 杨峰, 林增标, 林德彰, 林海萍, 王县, 王增荣, 王飞, 赖汝萍, 郝俊涛, 钟贵琪, 黄云增, 黄少华, 黄斌, 黄鲁生 申请人:江西神硅科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种适于直拉法中２０英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，其特征在于：所述外壳上设置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王增荣，李斌，郝俊涛，王飞，黄少华，赖汝萍，黄鲁生，钟贵琪，林增标，林海萍，黄云增，黄斌，林德彰，杨峰，王县，
申请(专利权)人：江西神硅科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：36