【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅制造领域，特别涉及一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方 法及热场系统。
技术介绍
硅(Si)是一种半导体元素，太阳能硅电池片利用硅的特性，在硅表面形成光伏特 效应，产生电能。为制备太阳能电池片，需要将单晶硅原料重熔后定向凝固，然后切片做成 电池片组件。为实现单晶硅的定向长晶凝固过程，需要一个能稳定长晶的热场系统，该热场 系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室，所述上下炉室主要起保温隔热的作用，所 述加热器主要是提供热场系统升温所需要的热能。在上述的传统热场系统中，其缺点是所述系统内部的供热效果还不能令人满意， 以及所述上下炉室的保温隔热性能较差，这就导致了热场系统能耗很高，造成了浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统，可 很好的实现供热和保温，降低了系统的能耗。一方面，本专利技术提供一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统，包括上炉室、位于中 部的加热器以及下炉室，所述下炉室的保温筒的内底层设置有反射板，所述反射板的正面 朝向所述加热器的中心。所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱，所述石墨支...
【技术保护点】
１．一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统，包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室，其特征在于，所述下炉室的保温筒的内底层设置有反射板，所述反射板的正面朝向所述加热器的中心。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐旭辉，
申请(专利权)人：江苏聚能硅业有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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