触控面板制造技术

技术编号:6008939 阅读:141 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种触控面板,包含至少一触碰感应装置与至少一反向放大电路。前述至少一触碰感应装置于触碰产生时,相应地产生第一感应信号与第二感应信号,其中第一感应信号不同于第二感应信号。前述至少一反向放大电路电性耦接该至少一触碰感应装置以放大第一感应信号与第二感应信号之间的差值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种触控面板,且特别是关于一种采用反向放大电路以放大感测到的触碰信号的触控面板,以改善触控面板的灵敏度。
技术介绍
可提供电子系统与使用者之间一自然交互界面的触碰感应或触碰位置检测技术 以于不同的领域中广泛地应用,例如移动电话、个人数字助理、自动柜员机、游戏机、医疗装 置、液晶显示装置、发光二极管装置、等离子体显示面板装置、计算装置及其类似装置,其中 使用者可通过与电子系统相连的触碰感应装置输入所需信息及/或操作电子系统。触碰感 应装置基本上包含控制器、感应电路与控制面板。前述感应电路具有多个触碰感应器与网 络控制线,网络控制线电性连接于前述这些与前述控制器相连的触碰感应器。前述控制面 板连接于前述这些触碰感应器。近年来,液晶显示器包含触碰感应器的内建式触控感应面板已逐步发展。这些触 碰感应器感应由手指或笔的触碰所产生的压力、电容或环境光源亮度的差异,并产生相应 的电信号给予液晶显示器。附图说明图16是依照公知技术绘示一种内建式触控感应器的电路示意图。前述内建式 触控感应器包含重置薄膜晶体管RST-TFT、放大薄膜晶体管AMP-TFT、选择薄膜晶体管 SEL-TFT、储存电容Cref与液晶电容Clc。对每一触碰感应器而言,触碰检测包含三个步骤 初始化步骤、充电步骤、读取步骤。初始化步骤当栅极线Gl的电压电位开启而为高电位时,重置电容开启。因此,节 点VA的电压电位会被初始设置为初始值Vinit。充电步骤当栅极线Gl的电压电位关闭而为低电位时,重置电容关闭。因此,若一 触碰事件产生,节点VA的电压电位会被位移至一特定电位,权利要求1.一种触控面板,其特征在于,包含(a)多个以矩阵方式配置的像素;(b)多条扫描线,每一这些扫描线电性耦接于该像素矩阵的一相应像素列;(c)至少一触碰感应装置,电性耦接介于两条相邻的这些扫描线之间的一个像素;以及(d)至少一反向放大电路,包含(i) 一第一薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于该至少一 触碰感应装置,该漏极配置以取得一第一偏压电压;( ) 一第二薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于该至少一 触碰感应装置,该源极配置以取得一第二偏压电压,该漏极电性耦接于该第一薄膜晶体管 的该源极;(iii)一放大薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于该第一 薄膜晶体管的该源极与该第二薄膜晶体管的该漏极,该漏极配置以取得一电源供应电压; 以及(iv)一选择薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻 的这些扫描线的其中一者,该源极电性耦接于一信号读取线,该漏极电性耦接于该放大薄 膜晶体管的该源极;其中该至少一触碰感应装置于一触碰产生时,导致该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶 体管两者中的一者的栅极电压电位提升且使该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管两者 中的另一者的栅极电压电位下降,且其中该第一偏压电压大于该第二偏压电压。2.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该至少一触碰感应装置包含(a)一触碰感应电容,电性耦接于该第二薄膜晶体管的该栅极与一共用电压;(b)一参考电容,电性耦接于该第二薄膜晶体管的该栅极与一节点,该节点电性耦接于 该第一薄膜晶体管的该栅极;以及(c)一重置薄膜晶体管,具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的 这些扫描线的其中一者,该源极电性耦接于该节点,该漏极电性耦接于一读取控制信号线。3.根据权利要求2所述的触控面板,其特征在于,该至少一触碰感应装置更包含一附 加电容,该附加电容电性耦接于该第一薄膜晶体管的该栅极与该节点。4.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该至少一触碰感应装置包含一第一 电荷共享电路与一第二电荷共享电路,每一这些电荷共享电路包含(a)一第一晶体管,具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的这些 扫描线中的第一者,该源极用以接收该第一偏压电压与该第二偏压电压两者中的一者,该 漏极电性耦接于一第一节点;(b)一第二晶体管,具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的这些 扫描线中的第二者,该源极电性耦接于该第一节点,该漏极电性耦接于该第二节点;(c)一第三晶体管,具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的这些 扫描线中的第一者,该源极电性耦接于该第二节点,该漏极用以接收该第一偏压电压与该 第二偏压电压两者中的另一者;(d)一触碰感应电容,电性耦接于该第一节点与一共用电压;以及(e) 一参考电容,电性耦接于该第二节点与一参考电压。5.根据权利要求4所述的触控面板,其特征在于,当该第一晶体管的该源极接收到该 第一偏压电压且该第三晶体管的该漏极接收到该第二偏压电压时,该第一电荷共享电路的 该第一节点电性耦接于该第一薄膜晶体管的该栅极,当该第一晶体管的该源极接收到该第 二偏压电压且该第三晶体管的该漏极接收到该第一偏压电压时,该第二电荷共享电路的该 第一节点电性耦接于该第二晶体管的该栅极。6.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,另包含一读取电路,电性耦接于该信号读取线以输出一触碰感应信号,其中该读取电路包含(a)一运算放大器,具有一反相端、一非反相端与一输出端,该反相端电性耦接于该信 号读取线,该非反相端配置以取得一参考电压,该输出端用以输出该触碰感应信号;(b)一电容,电性耦接于该运算放大器的该反相端与该输出端;以及(c)一开关,电性平行耦接于该电容。7.—种触控面板,其特征在于,包含(a)多个以矩阵方式配置的像素;(b)多条扫描线,每一这些扫描线电性耦接于该像素矩阵的一相应像素列;(c)至少一触碰感应装置,电性耦接介于两条相邻的这些扫描线之间的一个像素;以及(d)至少一反向放大电路,包含(i) 一放大薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于该至少一 触碰感应装置,该漏极电性耦接于该至少一触碰感应装置;以及( ) 一选择薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻 的这些扫描线的其中一者,该源极电性耦接于一信号读取线,该漏极电性耦接于该放大薄 膜晶体管的该源极;其中该至少一触碰感应装置于一触碰产生时,导致一电流信号于该放大薄膜晶体管与 该选择薄膜晶体管之间流动,且该电流信号的流向与没有触碰产生时该电流信号的流向相 反。8.根据权利要求7所述的触控面板,其特征在于,该至少一触碰感应装置包含一第一 电荷共享电路与一第二电荷共享电路,每一这些电荷共享电路包含(a)一第一晶体管,具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的这些 扫描线中的第一者,该源极电性耦接于一第一偏压电压与一第二偏压电压两者中的一者, 该漏极电性耦接于一第一节点,其中该第一偏压电压大于该第二偏压电压;(b)一第二晶体管,具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的这些 扫描线中的第二者,该源极电性耦接于该第一节点,该漏极电性耦接于该第二节点;(c)一第三晶体管,具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的这些 扫描线中的第一者,该源极电性耦接于该第二节点,该漏极电性耦接于该第一偏压电压与 该第二偏压电压两者中的另一者;(d)一触碰感应电容,电性耦接于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控面板,其特征在于,包含:(a)多个以矩阵方式配置的像素;(b)多条扫描线,每一这些扫描线电性耦接于该像素矩阵的一相应像素列;(c)至少一触碰感应装置,电性耦接介于两条相邻的这些扫描线之间的一个像素;以及(d)至少一反向放大电路,包含:(i)一第一薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于该至少一触碰感应装置,该漏极配置以取得一第一偏压电压;(ii)一第二薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于该至少一触碰感应装置,该源极配置以取得一第二偏压电压,该漏极电性耦接于该第一薄膜晶体管的该源极;(iii)一放大薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于该第一薄膜晶体管的该源极与该第二薄膜晶体管的该漏极,该漏极配置以取得一电源供应电压;以及(iv)一选择薄膜晶体管,具有一栅极、一源极以及一漏极,该栅极电性耦接于两条相邻的这些扫描线的其中一者,该源极电性耦接于一信号读取线,该漏极电性耦接于该放大薄膜晶体管的该源极;其中该至少一触碰感应装置于一触碰产生时,导致该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管两者中的一者的栅极电压电位提升且使该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管两者中的另一者的栅极电压电位下降,且其中该第一偏压电压大于该第二偏压电压。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘子维
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71

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