本发明专利技术涉及金属混合真空溅射合金靶材材料及其制作方法及用途。本发明专利技术的材料由以下物质按重量百分比构成：铜90%-95%，铝1%-6%，铬1%-3%，钛1%-3%。本发明专利技术材料的制作方法，包括如下步骤：1）将铜、铝、铬、钛原料按重量百分比充分混合；2）把混合粉末通过粉末冶金的方法烧结成靶材。上述烧结而成的靶材通过焊接工艺结合在铜或钼的背板上。本发明专利技术材料的用途用于通过真空磁控溅射制造不可逆光存储光盘。本发明专利技术的金属混合真空溅射合金靶材材料可降低制作光盘的成本，提高光盘使用寿命，提升光盘片的刻录和数据稳定性能。本发明专利技术材料的制作方法方便实用。本发明专利技术的材料的用途用于替代传传统光盘生产中所用材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属混合真空溅射合金靶材材料及其制作方法及用途，特别是一种用 于不可逆蓝光记录存储的无机介质材料及其制作方法及用途，属于金属混合真空溅射合金 靶材材料及其制作方法及用途的创新技术。
技术介绍
目前，在信息存储行业普遍采用纸张，磁带，磁盘，小容量光盘等节制进行存储，但 都面临容量小，截止不能防修改，寿命不符合规定等问题，在信息社会越来越需要一个大容 量介质来满足需求，而大容量光存储是其中一个最好的选择，具有容量大，数据不可修改， 寿命长的特点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于考虑上述问题而提供一种降低制作成本，提高光盘使用寿命， 提升光盘片的刻录和数据稳定性能的金属混合真空溅射合金靶材材料。本专利技术的另一目的在于提供一种方便实用的金属混合真空溅射合金靶材材料的 制作方法。本专利技术的再一目的在于提供一种用于替代传传统光盘生产中所用材料，用于通过 真空磁控溅射制造不可逆光存储光盘的金属混合真空溅射合金靶材材料的用途。本专利技术的技术方案是本专利技术的金属混合真空溅射合金靶材材料，由以下物质按 重量百分比构成铜90%-95%，铝1%-6%，铬1%-3%，钛1%-3%。上述铜、铝、铬、钛原料为粉末材料，晶粒尺寸为微米级，纯度超过99. 99%。上述铜、铝、铬、钛原料为粉末材料，成份精准度超过99. 99%。上述铜、铝、铬、钛原料为粉末材料，化学洁净度超过99. 99%。本专利技术金属混合真空溅射合金靶材材料的制作方法，包括如下步骤1)将铜、铝、铬、钛原料按重量百分比充分混合；2)把混合粉末通过粉末冶金的方法烧结成靶材。上述烧结而成的靶材通过焊接工艺结合在铜或钼的背板上。本专利技术金属混合真空溅射合金靶材材料的用途，用于通过真空磁控溅射制造不可 逆光存储光盘。上述不可逆光存储光盘为不可逆大容量光存储光盘，光存储光盘的容量大于25G。本专利技术由铜、铝、铬、钛四种金属混合制作真空溅射合金靶材材料，该材料通过真 空磁控溅射制造不可逆大容量光存储光盘，容量大于25G。本专利技术的复合靶材可提高该类型 光盘片的使用寿命达100年以上，同时降低制作成本，提升光盘片的刻录和数据稳定性能。 本专利技术的复合材料的用途用于替代现有光盘片生产中所用的靶材。具体实施例方式实施例1 本专利技术的金属混合真空溅射合金靶材材料，由以下物质按重量百分比构成铜90%，铝 6%,铬 3%,钛 1%。上述铜、铝、铬、钛原料为粉末材料，晶粒尺寸为微米级，纯度超过99. 99%。上述铜、铝、铬、钛原料为粉末材料，成份精准度超过99. 99%。上述铜、铝、铬、钛原料为粉末材料，化学洁净度超过99. 99%。本专利技术金属混合真空溅射合金靶材材料的制作方法，包括如下步骤1)将铜、铝、铬、钛原料按重量百分比充分混合；2)把混合粉末通过粉末冶金的方法烧结成靶材。上述烧结而成的靶材通过焊接工艺结合在铜或钼的背板上。本专利技术金属混合真空溅射合金靶材材料的用途，用于通过真空磁控溅射制造不可 逆光存储光盘。上述不可逆光存储光盘为不可逆大容量光存储光盘，光存储光盘的容量大于25G。实施例2 本专利技术与实施例1的不同在于金属混合真空溅射合金靶材材料由以下物质按重量百 分比构成铜95%，铝1%，铬1%，钛3%。实施例3 本专利技术与实施例1的不同在于金属混合真空溅射合金靶材材料，由以下物质按重量百 分比构成铜92%，铝3%，铬2%，钛3%。实施例4 本专利技术与实施例1的不同在于金属混合真空溅射合金靶材材料，由以下物质按重量百 分比构成铜94%，铝4%，铬1%，钛1。实施例5 本专利技术与实施例1的不同在于金属混合真空溅射合金靶材材料，由以下物质按重量百 分比构成铜93%，铝3%，铬2%，钛2%。实施例6 本专利技术与实施例1的不同在于金属混合真空溅射合金靶材材料，由以下物质按重量百 分比构成铜91%，铝4%，铬2%，钛3%。权利要求1.一种金属混合真空溅射合金靶材材料，其特征在于由以下物质按重量百分比构成 铜 90%-95%，铝 1%-6%，铬 1%-3%，钛 1%-3%。2.根据权利要求1所述的金属混合真空溅射合金靶材材料，其特征在于上述铜、铝、 铬、钛原料为粉末材料，晶粒尺寸为微米级，纯度超过99. 99%。3.根据权利要求1所述的金属混合真空溅射合金靶材材料，其特征在于上述铜、铝、 铬、钛原料为粉末材料，成份精准度超过99. 99%。4.根据权利要求1所述的金属混合真空溅射合金靶材材料，其特征在于上述铜、铝、 铬、钛原料为粉末材料，化学洁净度超过99. 99%。5.一种根据权利要求1所述的金属混合真空溅射合金靶材材料的制作方法，其特征在 于包括如下步骤1)将铜、铝、铬、钛原料按重量百分比充分混合；2)把混合粉末通过粉末冶金的方法烧结成靶材。6.根据权利要求5所述的金属混合真空溅射合金靶材材料的制作方法，其特征在于上 述烧结而成的靶材通过焊接工艺结合在铜或钼的背板上。7.一种根据权利要求1所述的金属混合真空溅射合金靶材材料的用途，其特征在于用 于通过真空磁控溅射制造不可逆光存储光盘。8.根据权利要求7所述的金属混合真空溅射合金靶材材料，其特征在于上述不可逆光 存储光盘为不可逆大容量光存储光盘，光存储光盘的容量大于25G。全文摘要本专利技术涉及金属混合真空溅射合金靶材材料及其制作方法及用途。本专利技术的材料由以下物质按重量百分比构成铜90%-95%，铝1%-6%，铬1%-3%，钛1%-3%。本专利技术材料的制作方法，包括如下步骤1)将铜、铝、铬、钛原料按重量百分比充分混合；2)把混合粉末通过粉末冶金的方法烧结成靶材。上述烧结而成的靶材通过焊接工艺结合在铜或钼的背板上。本专利技术材料的用途用于通过真空磁控溅射制造不可逆光存储光盘。本专利技术的金属混合真空溅射合金靶材材料可降低制作光盘的成本，提高光盘使用寿命，提升光盘片的刻录和数据稳定性能。本专利技术材料的制作方法方便实用。本专利技术的材料的用途用于替代传传统光盘生产中所用材料。文档编号C23C14/34GK102061405SQ20111000629公开日2011年5月18日 申请日期2011年1月13日 优先权日2011年1月13日专利技术者罗铁威, 郑穆 申请人:罗铁威, 郑穆本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种金属混合真空溅射合金靶材材料，其特征在于由以下物质按重量百分比构成：铜９０％－９５％，铝１％－６％，铬１％－３％，钛１％－３％。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗铁威，郑穆，
申请(专利权)人：罗铁威，郑穆，
类型：发明
国别省市：81
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