用于对Ⅲ-N衬底进行平滑的方法技术

本发明专利技术描述了一种用于制造光滑的Ⅲ－Ｎ、尤其是光滑的Ⅲ－Ｎ衬底或Ⅲ－Ｎ模板的方法，其中Ⅲ表示从Ａｌ、Ｇａ和Ｉｎ中选择的元素周期表第Ⅲ族中的至少一个元素，所述平滑剂包括立方氮化硼作为研磨颗粒。由此可以提供直径至少为４０ｍｍ并且在整个衬底和晶片表面上具有非常小的表面粗糙度的大面积Ⅲ－Ｎ衬底或Ⅲ－Ｎ模板。从而在用白光干涉计映射晶片表面时ｒｍｓ值的标准差等于５％或更小。该特性与表面或靠近表面区域上的非常好的晶体质量同时获得，该晶体质量例如可以通过摇摆曲线映射和／或微拉曼映射测量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于对具有iii-n表面的材料、尤其是ni-n衬底或具有异质衬底的III-N模板进行平滑、尤其是研磨和/或抛光的方 法。在此N表示氮，III表示从铝、镓、铟(下面缩写为(Al，Ga，In)) 中选择的至少一个元素周期表第III主族元素。本专利技术还涉及III-N衬 底和具有异质衬底的III-N模板。该III-N村底和III-N模板作为衬底 或模板非常适用于器件制造。
技术介绍
机械和/或化学机械的抛光长久以来就是一种行业中常用的使半 导体衬底如GaAs的表面平坦和光滑的标准方法。在此，光滑和平坦 以及无故障的村底表面是随后用于制造微电子或光电子器件的外延或 平版印刷步骤的前提。公知的针对具有c平面定向的GaN衬底的抛光 方法由于Ga极(定向)和N极(。13. —种开放的III-N衬底，其中III表示从A1、 Ga和In中选择 的元素周期表第III族中的至少一个元素，该III-N衬底具有大于 40mm的直径，并根据权利要求3-12之一所述的方法制造。14. 一种III-N模板，其中III表示从A1、 Ga和In中选择的元素 周期表第III族中的至少一个元素，该III-N模板具有异质衬底、最上 面的III-N层以及必要时还具有 一个或多个由III-N或其它材料制成的 中间层，具有大于40mm的直径，并根据权利要求3-12之一所述的方 法制造。15. —种开放的III-N衬底，其中III表示从A1、 Ga和In中选择 的元素周期表第III族中的至少一个元素，该III-N衬底具有大于 40mm的直径，其中在借助白光干涉计映射到所述表面上时rms值的 标准差等于5%或更小。16. —种III-N模板，其中III表示从A1、 Ga和In中选择的元素 周期表第III族中的至少一个元素，该III-N模板具有异质衬底、最上 面的III-N层以及必要时还具有一个或多个由III-N或其它材料制成的 中间层，具有大于40mm的直径，其中在借助白光干涉计映射到所述 表面上时rms值的标准差等于5%或更小。17. 根据权利要求15或16所述的开》文的III-N衬底或III-N模板， 其中在映射到与生长平面平行的所述表面的摇摆曲线映射中，所测得 的半值宽度的标准差等于5%或更小。18. 根据权利要求15至17中任一项所述的开放的III-N衬底或 III-N模板，其中在映射到与生长平面平行的所述表面的微拉曼映射中，所测得的E2质子的半值宽度的标准差等于5。/。或更小。19.按照权利要求13、 15、 17或18的III-N衬底或者按照权利要 求14、 16、 17或18的III-N模板在制造光学器件、电子器件或光电 器件上的应用。全文摘要本专利技术描述了一种用于制造光滑的III-N、尤其是光滑的III-N衬底或III-N模板的方法，其中III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表第III族中的至少一个元素，所述平滑剂包括立方氮化硼作为研磨颗粒。由此可以提供直径至少为40mm并且在整个衬底和晶片表面上具有非常小的表面粗糙度的大面积III-N衬底或III-N模板。从而在用白光干涉计映射晶片表面时rms值的标准差等于5％或更小。该特性与表面或靠近表面区域上的非常好的晶体质量同时获得，该晶体质量例如可以通过摇摆曲线映射和/或微拉曼映射测量。文档编号H01L21/304GK101484981SQ200680055345 公开日2009年7月15日 申请日期2006年7月26日 优先权日2006年7月26日专利技术者G·莱比格, S·霍尔兹格 申请人:弗赖贝格化合物原料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于借助平滑剂制造材料的光滑表面的方法，该材料在待平滑的表面上包括Ⅲ－Ｎ化合物，其中Ⅲ表示从Ａｌ、Ｇａ和Ｉｎ中选择的元素周期表第Ⅲ族中的至少一个元素，其特征在于，所述平滑剂包括立方氮化硼作为研磨颗粒。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：G莱比格，S霍尔兹格，
申请(专利权)人：弗赖贝格化合物原料有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]