ＣＤＴＥ／ＣＤＳ薄膜太阳能电池中的非整流后接触的形成方法技术

在ｐ－型半导体ＣｄＴｅ薄膜上形成非整流欧姆接触的方法，该方法包含下列步骤：在环境温度至２００℃的衬底温度下在该ＣｄＴｅ层上沉积Ａｓ２Ｔｅ３层；在该Ａｓ２Ｔｅ３层上沉积Ｃｕ层；使至少该沉积的Ｃｕ层达到１５０℃至２５０℃的温度。该方法用于在ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太阳能电池上形成稳定的后接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】CDTE/CDS薄膜太阳能电池中的非整流后接触的形成方法说明书 专利
本专利技术涉及太阳能电池
，更特别涉及CdTe/CdS薄膜太阳能电池的大规模生产方法。特别地，本专利技术涉及对这种关于形成非整流后接触的方法的改进。尽管在 本说明书中为简单起见称作“CdTe/CdS薄膜”太阳能电池，但要理解的是，该术语包括式 ZnxCdhSAMTeySh中所含的所有盐混合物，其中0彡χ彡0. 2且0. 95彡y彡1。专利技术
技术介绍
正如已知，CdTe/CdS太阳能电池的典型构造具有多层排列的膜序列，包括承载 着透明导电氧化物(TCO)膜的透明玻璃衬底、表现为Π-半导体的CdS膜、表现为P-半导体 的CdTe膜和金属后接触。例如US 5304499中公开了具有这种类型的层排列和结构的太阳 能电池。商业浮法玻璃可用作透明衬底，尽管其成本低，但通常优选特种玻璃以避免浮法 玻璃的缺点，特别是Na扩散到TCO膜中。最常见的TCO是含10% Sn的In2O3(ITO)t5这种材料具有约3 X 10_4 Ω cm的极低电 阻率和在太阳光谱可见光区中的高透明度(> 85% )。但是，这种材料通过溅本文档来自技高网...

【技术保护点】
在ｐ－型半导体ＣｄＴｅ薄膜上形成非整流欧姆接触的方法，其特征在于该方法包含下列步骤：ａ）在环境温度至２００℃的衬底温度下在所述ＣｄＴｅ层上沉积Ａｓ↓［２］Ｔｅ↓［３］层，ｂ）在所述Ａｓ↓［２］Ｔｅ↓［３］层上沉积Ｃｕ层，ｃ）使至少该沉积的Ｃｕ层达到１５０℃至２５０℃的温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：N罗密欧，A波西欧，A罗密欧，
申请(专利权)人：太阳能系统及设备有限公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]