用于不使用CdCl2大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法技术

本发明专利技术涉及用于不使用ＣｄＣｌ↓［２］大规模生产ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太阳能电池的方法，其中具体公开了用于大规模生产ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太阳能电池的方法，所述薄膜在透明衬底上按顺序沉积，包括步骤：在所述衬底上沉积透明导电氧化物（ＴＣＯ）膜；在所述ＴＣＯ膜上沉积ＣｄＳ膜；在所述ＣｄＳ膜上沉积ＣｄＴｅ膜；通过含氯的惰性气体处理所述ＣｄＴｅ膜。含氟惰性气体是含氯氟烃或含氢氯氟烃产品，以及以３８０－４２０℃的操作温度，在真空室中执行该处理。根据产品的热离解的结果释放的氯与存在于电池表面上的固体ＣｄＴｅ反应以便产生ＴｅＣｌ↓［２］和ＣｄＣｌ↓［２］蒸气。通过将真空应用于真空室，同时使温度保持在操作值，从电池表面消除任何剩余ＣｄＣｌ↓［２］。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池
，以及更具体地说，涉及用于大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法。更具体地说，本专利技术涉及通过含氯气体，与CdTe/CdS薄膜的激活有关的过程的改进。即使在本说明书中，为简化起见，参考"CdTe/CdS薄膜"太阳能电池，将 理解到该术语包括在公式z^o^s/a/re^^中包含的所有盐混合物，其中，e 0.95Sy^1。
技术介绍
众所周知，CdTe/CdS太阳能电池的典型结构具有多层排列的膜 顺序，包括承栽透明导电氧化物(TCO)膜的透明玻璃衬底、表示n 导体的Cds膜、表示p导体的CdTe膜以及金属后触点。例如，在 US5304499中公开了具有层排列和这种类型的结构的太阳能电池。可以将商业浮法玻璃用作透明衬底，但尽管其低成本，但通常优 选专用玻璃以避免浮法玻璃的缺点，特别是TCO膜中的Na扩散。最通用的TCO是包含10%的Sn (ITO )的ln203。该材料具有 约3xlO"Ilcm的非常低的电阻率，以及可见光谱中的高透明度 (>85%)。然而，该材料通过溅射制成，以及ITO靶几次运转后形 成包含过度In的一些针(noodle本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于大规模生产ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太阳能电池的方法，所述薄膜在透明衬底上按顺序沉积，包括步骤：－在所述衬底上沉积透明导电氧化物（ＴＣＯ）膜；－在所述ＴＣＯ膜上沉积ＣｄＳ膜；－在所述ＣｄＳ膜上沉积ＣｄＴｅ膜；－ 使所述ＣｄＴｅ膜经受激活处理；－在所述处理过的ＣｄＴｅ膜上沉积后触点膜；该方法的特征在于ＣｄＴｅ膜的激活处理包括下述步骤：－将在所述衬底上沉积的ＣｄＴｅ／ＣｄＳ引入真空室中，－将支撑衬底加热到３８０－４２０℃ 的操作温度，－在真空室中引入惰性气体和从含氯氟烃和含氢氯...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼克拉罗密欧，艾里希欧伯西欧，艾里森德罗罗密欧，
申请(专利权)人：太阳能系统及设备有限公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]