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在ｐ－型半导体ＣｄＴｅ薄膜上形成非整流欧姆接触的方法，该方法包含下列步骤：在环境温度至２００℃的衬底温度下在该ＣｄＴｅ层上沉积Ａｓ２Ｔｅ３层；在该Ａｓ２Ｔｅ３层上沉积Ｃｕ层；使至少该沉积的Ｃｕ层达到１５０℃至２５０℃的温度。该方法用于在Ｃｄ...
该专利属于太阳能系统及设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过太阳能系统及设备有限公司授权不得商用。

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