本发明专利技术公开了一种单晶硅生产拉晶过程中的工艺方法，尤其是降低单晶硅内部气孔的生产方法，是通过对硅料进行加热化料步骤中减小氩气流量和炉压，在坩埚旋转步骤中增加转速，在单晶引颈步骤中增大氩气流量和炉压来实现的。本发明专利技术可实现排除硅液或坩埚中的气泡，从而降低了固体单晶中气泡的含量，提高了产品的合格率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅生产拉晶过程中的一种工艺方法，尤其是降低单晶硅内部气孔的生产方法。
技术介绍
单晶硅的生产一般都需要用单晶炉来生产，单晶炉内设有石英坩埚和加热系 统，石英坩埚放置在与转动机构相配装的埚托上，可实现旋转。目前，单晶硅生产拉 晶过程一般包括以下工艺步骤清扫料仓一装料一抽真空一充氩气一加热化料一坩埚旋 转一单晶引颈一放肩一转肩一等径一收尾一冷却一拆炉一检测等。在开始工作时，先对 炉内的料仓清理干净，再将多晶硅固体放置于石英坩埚内，关闭炉门后开启真空泵对炉 内进行抽真空，开启氩气阀门向炉内充氩气，此时真空泵同时工作，可以通过调节氩气阀 门来控制氩气流量，通过调节氩气阀门和真空泵来控制炉内压力。之后，开启加热系统 进行加热化料，在化料完成后，进入保温稳定阶段，此时坩埚也开始旋转。过一定时间 后，开始进入单晶引颈阶段以及以后的其他工艺步骤，坩埚一直持续旋转。通常，在整 个工艺过程中，通常氩气流量为30 50 L/min，炉内压力为900 1500Pa，坩埚旋转的 速度为2 5 r/min勻速转动。目前，采用Cz法生长单晶硅从多晶硅固体经过高温熔化为液体时，硅体会产 生大量气泡，由于硅液粘度影响，很多气泡不能从硅液当中排除。同时，石英坩埚因受 高温，埚体产生的气泡逐渐排出，致使气泡进入单晶内部。这样，当拉晶完成后成为固 体，在进入到切片工艺环节会造成大量残次品一“小洞片”。这些残次品只能回炉再 利用，造成时间和人财力的浪费，成为硅片生产企业成本难以降低的一个重要原因。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种在单晶硅生产过程中降低单晶硅内部气 孔的生产方法。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是，包括硅料加热化料步骤、坩埚旋转步骤和单 晶引颈步骤，所述硅料加热化料步骤中，氩气流量为10 15 L/min，炉内压力为280 500 Pa。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述坩埚旋转步骤中，坩埚转速为6 IOr/ min0作为本专利技术的一种优选技术方案，所述坩埚旋转步骤中，前0.5h坩埚旋转的速 度为在6 lOr/min之间进行高、低速循环间隔切换；中间0.5h坩埚旋转的速度为在2 10 r/min之间进行高、低速循环间隔切换；最后Ih坩埚转速恒定为2 r/min。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述坩埚旋转步骤中，前0.5h坩埚旋转的速 度为在6 r/min、8 r/min、10 r/min> 8 r/min、6 r/min之间进行高、低速循环间隔切换；中间 0.5h 坩埚旋转的速度为在 2r/min、4 r/min、6 r/min、8 r/min、10 r/min、8 r/min、 6r/min、4 r/min、2 r/min之间进行高、低速循环间隔切换。作为本专利技术的一种优选技术方案，坩埚进行转速切换时，坩埚在不同转速上维 持5min，随后即切换至下一转速。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述单晶引颈步骤中，氩气流量为20 30L/ min,炉内压力为600 900Pa。本专利技术与现有技术相比存在的优点1、在对硅料进行加热化料步骤中，利用高真空度排除硅液中的大部分气泡；2、在坩埚旋转步骤中，在高温化料完成后稳定阶段增加埚转及搅拌速度，将坩埚的 勻速旋转改进为高低速切换旋转，炉内真空度不变，可使剩余气泡消除；3、在单晶引颈步骤中，增加氩气流量使液面保持稳定，防止液面抖动引起单晶“卡 棱”，同时，氩气增加有利于单晶散热和降低单晶氧含量；通过增加晶转和埚转，使搅 拌速度加快，有利于排除石英埚所产生的气泡。具体实施例方式以下实施例对本专利技术做进一步详细说明。实施例1，在开始工作时，先将炉内的热系统清理干 净，再将多晶硅固体放置于石英坩埚内，关闭炉门后开启真空泵对炉内进行抽真空，然后 再开启氩气阀门向炉内充氩气，可以通过调节氩气阀门来控制氩气流量，通过调节氩气 阀门和真空泵来控制炉内压力；之后，开启加热系统进行加热化料，此时设定所充的氩 气流量为lOL/min，炉内压力为280Pa，这样，利用高真空度排除硅液或坩埚中的大部分 气泡；在化料完成后，进入保温稳定阶段，此时坩埚开始旋转，前0.5h坩埚旋转的速度为 在6 r/min、8 r/min、10 r/min、8 r/min、6 r/min之间进行高、低速循环间隔切换；中 间 0.5h 坩埚旋转的速度为在 2 r/min、4 r/min、6 r/min、8 r/min、10 r/min、8 r/min、6 r/min、4 r/min, 2 r/min之间进行高、低速循环间隔切换；最后Ih坩埚转速恒定为2 r/ min；其中，坩埚进行转速切换时，坩埚在不同转速上维持5min，随后即切换至下一转 速；这样，将坩埚的勻速旋转改进为高低速切换旋转，增加埚转及搅拌速度，可使硅液 或坩埚中的剩余气泡消除；进入单晶引颈阶段，此时，增加氩气流量为20 L/min，增大炉内压力为600Pa，这样，增加氩气流量使液面保持稳定，防止液面抖动引起单晶“卡棱”，同时，氩气增加 有利于单晶散热和降低单晶氧含量；通过增加晶转和埚转，使搅拌速度加快，有利于排 除石英埚所产生的气泡。测验结果表明，通过对以上步骤的改进，固体单晶中气孔含量平均降低了 26.4% (气孔含量的计算方式是对单晶进行切片，所得切片总数为z，其中含有气孔的 切片——即小洞片——的数量为a，以a /z表示气孔的含量)，从而提高了产品的合格率。实施例2本实施例与 实施例1的不同之处在于①在硅料加热化料步骤中，氩气流量为12L/min,炉内压力为350 Pa;②在单晶引颈步骤步骤中，氩气流量为22L/min，炉内压力为650Pa。测验结果表明，通过对以上步骤的改进，固体单晶中气孔含量平均降低了 27.3%。实施例3本实施例与实施例1的不同之处在于①在硅料加热化料步骤中，氩气流量为13L/min,炉内压力为400 Pa ；②在单晶引颈步骤步骤中，氩气流量为25L/min，炉内压力为700Pa。测验结果表明，通过对以上步骤的改进，固体单晶中气孔含量平均降低了 29.7%。实施例4本实施例与实施例1的不同之处在于①在硅料加热化料步骤中，氩气流量为14L/min，炉内压力为450 Pa;②在单晶引颈步骤步骤中，氩气流量为28L/min，炉内压力为870Pa。测验结果表明，通过对以上步骤的改进，固体单晶中气孔含量平均降低了 31.3% ο实施例5本实施例与实施例1的不同之处在于①在硅料加热化料步骤中，氩气流量为15L/min，炉内压力为500 Pa;②在坩埚旋转步骤中，坩埚始终勻速转动，转速为lOr/min;③在单晶引颈步骤步骤中，氩气流量为30L/min，炉内压力为900Pa。测验结果表明，通过对以上步骤的改进，固体单晶中气孔含量平均降低了 20.3%。权利要求1.，包括硅料加热化料步骤、坩埚旋转步骤和 单晶引颈步骤，其特征在于所述硅料加热化料步骤中，氩气流量为10 15L/min，炉 内压力为280 500 Pa。2.根据权利要求1所述的降低单晶硅内部气孔的生产方法，其特征在于所述坩埚 旋转步骤中，坩埚转速为6 10 r/min。3.根据权利要求1所述的降低单晶硅内部气孔的生产方法，其特征在于所述坩埚 旋转步本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种降低单晶硅内部气孔的生产方法，包括硅料加热化料步骤、坩埚旋转步骤和单晶引颈步骤，其特征在于：所述硅料加热化料步骤中，氩气流量为１０～１５Ｌ／ｍｉｎ，炉内压力为２８０～５００Ｐａ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘英江，李广哲，刘军坡，
申请(专利权)人：宁晋晶兴电子材料有限公司，晶龙实业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：13
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