磁屏蔽体及磁屏蔽室制造技术

一种磁屏蔽体包括一筒型本体单元，包括具有导磁性与共同相同的纵切面的形状的多个筒型本体，并设有一共用间隔使得各筒型本体的一中心轴彼此重叠，且该些筒型本体的侧表面形成一共同的平面；以及一支撑单元支撑多个筒型本体单元，使得该些筒型本体单元的筒型本体的侧表面以一共用间隔彼此面对面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磁屏蔽体及一种遮蔽一磁场的磁屏蔽室。背景传统上，为了要遮蔽磁场曾经提出过一种磁屏蔽室，其藉由遮蔽磁场产生源，以防 止磁场产生源所生的磁场泄漏到外面。这种磁屏蔽室实际上被当成一室(以下称为“MRI 室”)，例如其装设用于医疗设施的磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging,MRI)装置。 大致上，磁屏蔽室是被设成由所有或墙面、天花板及地板的一部分包覆着有一磁性材料。利 用一磁通量经由磁性材料分流绕过到达该墙面、天花板及地板，以防止磁场的泄漏。因为这种磁屏蔽室以墙面、天花板及地板包覆磁场产生源，故其本质上内部空间 就是封闭的，而给予进入磁屏蔽室的使用者感到压迫。为了要改善这个问题，因此提出一种 利用开放型磁屏蔽体的磁屏蔽室(例如参见专利文件一)。这种开放型磁屏蔽体被设计成 具有由一框架支撑的多个筒型本体。依据此一设计，通过筒型本体的内部空间，磁屏蔽室的 内外为开放可看透穿的。因此，当使用者进入室内时，可降低其压迫感。然而在专利文件一中，因为磁屏蔽体的筒型本体是以直线型彼此接触，所以会有 个问题在于，压力集中产生在接触的部分。在磁性本体上的压力集中会变成是磁性本体磁 性衰减的因素。为了要解决此一问题，本专利技术的专利技术人提出一种磁屏蔽体，其具有多个筒型 本体被排列成无接触的形态，在任两个筒型本体之间有一共用间隔(专利文件二，提交本 申请案时尚未公开)。依据此一设计，可减低传到筒型本体的压力负载，且磁屏蔽体的组装 与拆卸更为方便。专利文件一日本专利申请公开No. H6-13781专利文件二 日本专利申请No. 2006-35006
技术实现思路
专利技术所欲解决的问题然而，专利文件二所述的磁屏蔽体可能会随着筒型本体的摆设位置而降低磁场的 屏蔽效果。图38显示传统的磁共振成像室100的平面图。一磁屏蔽体102被设在磁共振 成像室100的墙面101上，且磁屏蔽体102主要是由具有共用间隔的数个筒型本体单元103 所组成。附图中的箭号方向为由磁共振成像装置104所产生的磁场的磁力线主要方向。各筒型本体单元103在一轴向的磁阻以及多个筒型本体单元103在相邻方向(垂 直于各筒型本体轴向的方向)的磁阻是可比较的。因为筒型本体单元103是连续地由一磁 性材料在一轴向所形成，所以在该轴向上的磁阻很小。因为一空气层位于筒型本体单元103 之间，所以在相邻方向的磁阻较大。因此，筒型本体单元103在纵轴方向(以下称轴向)所 感应的磁通量较大，而非在相邻方向感应的，是在Al区磁场的磁通量垂直于墙面101的墙 表面方向。因此，一磁通量从筒型本体单元103的外端流到磁共振成像室100的外面，磁场 的屏蔽效果就降低。本专利技术的一目的是利用筒型本体，提供更改良磁场的屏蔽效果的开放型磁屏蔽体及磁屏蔽室。解决问题的技术手段为了要解决上述问题，本专利技术在权利要求1所述的包括一筒型本体单元，包括具 有导磁性与共同相同的纵切面的形状的多个筒型本体，并设有一共用间隔使得各筒型本体 的一中心轴彼此重叠，且该些筒型本体的侧表面形成一共同的平面；以及一支撑单元支撑 多个筒型本体单元，使得该些筒型本体单元的筒型本体的侧表面以一共用间隔彼此面对依据本专利技术在权利要求2所述的，在权利要求1所述的本专利技术中，在构成该筒型本 体单元的该些筒型本体之间的共用间隔及构成相邻的另一筒型本体单元的该些筒型本体 之间的共用间隔是设在彼此相邻处。依据本专利技术在权利要求3所述的，在权利要求1或2所述的本专利技术中，该筒型本体 单元具有三或更多的筒型本体，且在该些筒型本体之间设有一共用间隔。依据本专利技术在权利要求4所述的，其具有在权利要求1-3中任一所述的磁屏蔽体， 该磁屏蔽体被设在至少一墙面的至少一部分，该墙面将一磁场产生源与外界隔离。依据本专利技术在权利要求5所述的，在权利要求4所述的本专利技术中，包括一第一磁屏 蔽体与一第二磁屏蔽体，其中该第一磁屏蔽体是如权利要求1-3中任一所述的磁屏蔽体， 该第二磁屏蔽体包括一筒型本体单元，该筒型本体单元包括具有导磁性的一筒型本体单 元，以及一支撑单元支撑多个筒型本体单元，使得该些筒型本体单元的筒型本体的侧表面 以一共用间隔彼此面对面，该第一磁屏蔽体是设在使得该第一磁屏蔽体的一筒型本体单元 的一中心轴垂直于一墙面的表面方向，所处位置为该墙面的一部分，其中该磁场产生源所 产生的磁力的一磁力线主要方向是垂直于该墙面的墙面表面方向，以及该第二磁屏蔽体是 设在使该墙面的表面方向垂直于该第二磁屏蔽体的一筒型本体单元的一中心轴，所处位置 至少为该墙面的另一部分，其中该磁场产生源所产生的磁力的一磁力线主要方向是非垂直 于该墙面的墙面表面方向。本专利技术的效果依据本专利技术的权利要求1，增加多个筒型本体轴向上的磁阻，可促进沿着这些轴向 上主要方向的磁力线分流绕过到相邻方向的筒型本体单元，因此可防止或减少磁场泄漏到 一轴向上。依据本专利技术的权利要求2，可促进在多个彼此相邻的筒型本体单元之间的磁通量 传递，并可降低沿着筒型本体单元的轴向上的磁通量感应。因此，可降低或降低磁通量从轴 向上各筒型本体单元的端部表面流到外面。依据本专利技术的权利要求3，将各筒型本体单元分割成三或更多部分，可增加筒型本 体单元之间的中间层数量，且可增加沿着多个筒型本体轴向的磁阻。因此可更减少或防止 泄漏到轴向上的磁场。依据本专利技术的权利要求4，一磁屏蔽室利用权利要求1-3中任一项所述的磁屏蔽 体。利用此一设计，可防制一磁屏蔽室产生的磁通量泄漏一些到外面。依据本专利技术的权利要求5，藉由在相对于磁力线的主要方向上的较佳位置，组合第 一磁屏蔽体与第二磁屏蔽体，可进一步降低从磁屏蔽室泄漏到外面的磁场。附图简要说明附图说明图1为依据本专利技术的一实施例，显示一磁屏蔽室相关部分的平面图。图2为第一磁屏蔽的相关部分的立体图。图3为筒型本体单元的立体图。图4为筒型本体单元变化实施例的立体图。图5为第一磁屏蔽体的部分分解立体图。图6为以不同于图5的方法制造的一第一磁屏蔽体的部分分解立体图。图7为依据图2所示的多个筒型本体单元，显示轴向间隔与相邻方向间隔的立体 示意图以及相关部分的立体图。图8为一第二磁屏蔽体的立体图。图9为依据实施例一，显示一磁屏蔽室的平面图。图10为一磁屏蔽体的垂直区，显示其磁通量的流向。图11显示非筒型本体模型的示意图。图12显示无分割模型的示意图。图13显示二分模型的示意图。图14显示三分模型的示意图。图15 (a)-(d)分别显示1/4对称模型，其中(a)显示非筒型本体模型的1/4对称 模型，(b)显示无分割模型的1/4对称模型，(c)显示二分模型的1/4对称模型，以及(d)显 示三分模型的1/4对称模型。图16(a)_(b)显示非筒型本体模型的分析结果，其中(a)显示一测量线的位置，以 及(b)显示图(a)测量线上磁通量泄漏的密度。图17(a)_(b)显示无分割模型的分析结果，其中(a)显示一测量线的位置，以及 (b)显示图(a)测量线上磁通量泄漏的密度。图18(a)_(b)显示二分模型的分析结果，其中(a)显示一测量线的位置，以及(b) 显示图(a)测量线上磁通量泄漏的密度。图19(a)_(b)显示三分模型的分析结果，其中(a)显示一测量线的位置，以及(b) 显示图(a)测量线上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁屏蔽体，包括：一筒型本体单元，所述筒型本体单元包括具有导磁性与共同相同的纵切面的形状的多个筒型本体，并设有一共用间隔使得各筒型本体的一中心轴彼此重叠，且该些筒型本体的侧表面形成一共同的平面；以及一支撑单元，所述支撑单元支撑多个筒型本体单元，使得该些筒型本体单元的筒型本体的侧表面以一共用间隔彼此面对面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎庆太，广里成隆，
申请(专利权)人：株式会社竹中工务店，
类型：发明
国别省市：JP[日本]