相异材料上的纳米线生长制造技术

本发明专利技术涉及在Ｓｉ衬底（３）上生长ＩＩＩ－Ｖ半导体纳米线（２）。受控垂直纳米线生长是通过在生长纳米线之前进行的向Ｓｉ衬底的（１１１）表面提供ＩＩＩ族或Ｖ族原子以提供ＩＩＩ族或Ｖ族５表面终止层（４）的步骤而实现的。还提出了一种纳米结构化器件，其包括依照预定器件布局以有序图案生长在Ｓｉ衬底（３）的（１１１）表面上并从Ｓｉ衬底（３）的（１１１）表面突出的多个对齐的ＩＩＩ－Ｖ半导体纳米线（２）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种产生纳米结构化器件的方法，包括（１１０）从Ｓｉ衬底的表面生长至少一个Ⅲ－Ⅴ半导体纳米线（２）的步骤，该方法特征在于（１００）向Ｓｉ衬底（３）的（１１１）表面提供Ⅲ族或Ⅴ族原子以便提供Ⅲ族或Ⅴ族表面终止层（４）的步骤，其中提供Ⅲ族或Ⅴ族原子的步骤是在生长Ⅲ－Ⅴ半导体纳米线（２）的步骤之前进行的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：L萨穆尔森，J奥尔森，T马滕森，P斯文森，
申请(专利权)人：昆南诺股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]