能够考虑不完全磁化区域的磁化状态而进行高精度的磁化分析。磁化分析装置通过采用与磁化器相关的磁化器参数和与磁体材料相关的磁体参数进行磁场分析来计算施加于磁体材料的各部位的磁化磁场（Ｓ１７），基于磁化磁场的计算结果和与不完全磁化区域相关的预先测量的退磁曲线，来计算作为与待分析的永磁体的不完全磁化区域相关的区域参数的回复相对导磁率和矫顽力（Ｓ１８），通过使用区域参数的计算结果进行磁场分析，来计算表示待分析的永磁体的磁化状态的状态参数（Ｓ１９）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对用磁化器磁化磁体材料而获得的永磁体的磁化状态 进行分析的-兹化分析方法、磁化分析装置以及计算机程序。
技术介绍
在本说明书中，永磁体是指向磁体材料施加磁场而被磁化的物体， 磁体材料是指磁化前的物体。以往，为了计算表示使磁体材料磁化而获得的永磁体的磁化状态的参数(磁化分析)，提出了各种方法和装置等(参照专利文献l、 2)。 在专利文献1中公开了这样的磁化分析装置在显示屏上显示进 行磁化分析时所需的第l参数的多种候选，并从所显示的候选中确定 所需的第1参数，还要求输入确定第1参数特性的多个第2参数，并 基于所输入的第1参数和第2参数来计算表示永磁体的磁化状态的磁 场分布。在专利文献2中公开了这样的磁化分析装置基于所设定的固有 参数和磁体材料的特性来计算与包括磁化器和磁体材料的系统对应的 参数，基于所设定的固有参数和与系统对应的参数来计算流向磁化器 的电流波形，并基于计算出的电流波形来计算表示永磁体的磁化状态 的》兹场分布。专利文献l:特开2000-346919号公报专利文献2:特开2002-329624号公报
技术实现思路
在采用永磁体的拾音器、电动机等机器的设计中，需要考虑永磁 体的》兹化状态。然而，在常规的-兹化分析方法中，由磁化分析得到的磁化状态有时与实际测量的^F兹化状态相差较大。因此，设计时预定的机器的特性与实际生产的机器的特性不同，可能得不到所需要的特性。为了防止永磁体的磁化状态的分析结果与实际测量结果相背离， 专利技术者们已经将注意力集中于永磁体的不完全磁化区域(不能磁化至 饱和永磁体的区域。例如，位于被多极磁化的永》兹体中的磁极之间的中性区)。以往，在不考虑永;兹体的不完全-兹化区域的情况下进行磁化分析。 即，在》兹化分析时，不考虑不完全石兹化区域，或考虑不充分，例如假定永》兹体的整个部分为完全,兹化区域(即》兹化率为100%)，或々i定不 完全磁化区域为未磁化区域(即磁化率为0% )。此外，在专利文献1、 2中，完全未提及关于存在不完全磁化区域， 因此在分析过程中，完全不考虑不完全磁化区域的存在。本专利技术是鉴于上述问题而提出的，主要目的在于提供磁化分析方 法，采用通过预先实际测量不完全磁化区域的各部位而获得的并与所 施加的-兹化-兹场对应的退》兹曲线，能够考虑不完全》兹化区域的》兹化状 态。本专利技术的另一目的在于提供磁化分析方法、磁化分析装置以及将 计算机用作磁化分析装置的计算机程序。所述磁化分析方法、磁化分 析装置通过采用与不完全磁化区域相关的区域参数来计算表示待分析 的永磁体的磁化状态的状态参数，能够反映不完全磁化区域的磁化状 态，同时高精度地进行磁化分析。所述与不完全磁化区域相关的区域 参数是基于施加于磁体材料上的磁化磁场的计算结果和由预先实际测 量不完全》兹化区域的各部位而获得的、并与所施加的》兹化磁场对应的 退磁曲线计算出来的。本专利技术的另一目的在于提供磁化分析方法，通过采用回复相对导 》兹率(U 3, /k比透磁率，recoil ratio permeability)和矫顽力作为与不 完全磁化区域相关的区域参数而能够反映不完全磁化区域的退磁特性， 同时高精度地进行一磁化分析。本专利技术第 一方面的磁化分析方法对用磁化器磁化磁体材料而获得的永磁体的磁化状态进行分析，其特征在于，在分析;兹化状态时，采 用通过预先实际测量永;兹体的不完全^f兹化区域的各部位而获得的与所 施加的磁化磁场对应的退磁曲线，计算与待分析的永磁体的不完全磁 化区域相关的区域参数。本专利技术第二方面的-兹化分析方法的特征在于，通过采用与前述》兹 化器相关的磁化器参数和与磁体材料相关的磁体参数进行磁场分析来 计算施加于前述磁体材料的各部位的磁化磁场，并基于该磁化磁场的 计算结果和前述退磁曲线来计算关于前述各部位的前述区域参数，通 过采用前述区域参数的计算结果进行磁场分析来计算表示前述待分析 的永磁体的磁化状态的状态参数。本专利技术第三方面的磁化分析方法的特征在于，采用近似表示不完 全石兹化区域的退^兹特性的回复相对导》兹率和矫顽力作为前述区域参 数。本专利技术第四方面的磁化分析装置对用磁化器磁化磁体材料而获得的永磁体的磁化状态进行分析，其特征在于，所述装置包括磁化磁 场计算装置，采用与前述磁化器相关的磁化器参数和与磁体材料相关 的》兹体参数进行石兹场分析来计算施加于前述,兹体材料的各部位的》兹化 磁场；参数计算装置，基于该磁化磁场计算装置的计算结果和预先实 际测量永磁体的不完全磁化区域的各部位而获得的与所施加的磁化磁 场对应的退》兹曲线，对前述各部位计算与待分析的永磁体的不完全磁 化区域相关的区域参数；磁化状态计算装置，通过采用该参数计算装 置的计算结果进行磁场分析来计算表示前述待分析的永磁体的磁化状 态的状态参数。本专利技术第五方面的计算机程序使计算机对用磁化器磁化磁体材料 而获得的永磁体的磁化状态进行分析，其特征在于，所述计算机程序 执行如下步骤在计算机中采用与前述磁化器相关的磁化器参数和与 磁体材料相关的磁体参数而进行磁场分析来计算施加于前述磁体材料 的各部位的石兹化-兹场；在计算机中基于前述所述f兹化;兹场的计算结果 和所给出的退》兹曲线来对前述各部位计算与待分析的永磁体的不完全. 磁化区域相关的区域参数；在计算机中通过采用前述区域参数的计算结果进行磁场分析来计算表示前述待分析的永磁体的磁化状态的状态 参数。在本专利技术第一方面中，当进行磁化状态分析时，采用与不完全磁 化区域相关的预先实际测量的退-兹曲线，即通过预先实际测量永石兹体 的不完全磁化区域的各部位而获得的与所施加的磁化磁场对应的退磁 曲线，计算与待分析的永磁体的不完全磁化区域相关的区域参数。区域参数是例如基于与磁化磁场对应的退磁曲线所求出的回复相 对导i兹率和矫顽力等。以往，基于例如与完全磁化区域相关的退磁曲线，将与不完全磁 化区域相关的退》兹曲线定义为与该完全》兹化区域相关的退》兹曲线相似 的形状。但是，由于这样的退^兹曲线有时与实际的退》兹曲线差别较大， 因此在采用上述退磁曲线分析磁化状态的情况下，磁化状态的分析结 果与实际的^兹化状态有时差别较大。另一方面，在采用与不完全磁化区域相关的预先实际测量的退磁 曲线分析退;兹状态的情况下，由于从该退磁曲线能够得到反映实际磁 化状态的区域参数，因此作为分析结果的磁化状态与实际的磁化状态 大体上一致。虽然与材料、等级等种类不同的永;兹体相关的退磁曲线不同，但是对于相同种类的永磁体能够利用相同的退磁曲线而与形状、尺寸等 无关，因此对于形状、尺寸等不同的各永磁体，不需要重新准备实际 测量的退》兹曲线。在本专利技术第二方面、第四方面和第五方面中，基于与待分析的永 磁体的不完全磁化区域相关的区域参数来计算表示待分析的永磁体的 磁化状态的状态参数。例如，通过将本专利技术第五方面的计算机程序安装到个人电脑、服 务器等而作为本专利技术第四方面的磁化分析装置，采用该磁化分析装置 来实施本专利技术第二方面的^兹化分析方法。磁化器参数是指与磁化器相关的空芯线圈的匝数和电阻值、电容 器的静电电容值和磁化电压以及磁化器的内部电阻值等。磁体参数是 指与磁体材料相关的电阻率和初始磁化曲线等。此外，状态参数表示永/磁体的》兹化状态。下面以-兹化分析装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
磁化分析方法，对用磁化器磁化磁体材料而获得的永磁体的磁化状态进行分析，其特征在于， 在分析磁化状态时，采用通过预先实际测量永磁体的不完全磁化区域的各部位而获得的与所施加的磁化磁场对应的退磁曲线， 计算与待分析的永磁体的不完全磁化 区域相关的区域参数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：岛村秀成，枣田充俊，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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