【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法，更具体地讲，涉及一种具有垂直型结构的氮化镓(在下文中称作“GaN”)基发光装置(LED)及其制造方法。
技术介绍
最近，由于广泛期望以具有GaN半导体的发光装置来代替包括白炽灯、荧光灯和汞弧灯在内的典型光源，所以现在正积极进行对高功率GaN基发光装置的研究。为了制造这样的GaN基发光装置，通常在不导电的蓝宝石基底上顺序地堆叠n型GaN层、未掺杂的InGaN层和p型GaN层，并在n型GaN层和p型GaN层上分别形成电极。由于蓝宝石基底是不导电的，所以发光装置典型地具有水平型结构。也就是说，在n型GaN层和p型GaN层上分别形成的电极是水平布置的。因而，在高功率操作中电流扩散阻力高，降低了光强度。此外，由于装置操作中产生的热不能通过蓝宝石基底有效释放，因此存在装置的热稳定性劣化的限制，从而在高功率操作中存在问题。为克服这些限制并实现高功率GaN基发光装置，已经提出使用倒装芯片封装件的倒装芯片型发光装置。在这样的倒装芯片型发光装置中，将垂直型发光装置的电极通过焊料连接到散热器。在倒装芯片型发光装置中，由于光穿过蓝宝石基底从有源层...
【技术保护点】
一种发光装置，包括：堆叠的ｎ型半导体层、有源层和ｐ型半导体层；设置在ｐ型半导体层上的ｐ型电极层和蚀刻停止层；设置在ｐ型电极层和蚀刻停止层上的覆盖层；设置在覆盖层上的传导性支撑层；设置在ｎ型半导体层上的ｎ型电极层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-12-18 10-2007-0133138;KR 2008-4-15 10-20081.一种发光装置，包括：堆叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层；设置在p型半导体层上的p型电极层和蚀刻停止层；设置在p型电极层和蚀刻停止层上的覆盖层；设置在覆盖层上的传导性支撑层；设置在n型半导体层上的n型电极层。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述p型电极层设置在p型半导体层的一部分上。3.如权利要求2所述的发光装置，其中，所述p型电极层具有单层结构或包括电极金属和反射金属的多层结构。4.如权利要求2所述的发光装置，其中，所述覆盖层设置在p型电极层和蚀刻停止层上以包围p型电极层。5.如权利要求2所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括设置在p型电极层上的反射层。6.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述p型电极层设置在p型半导体层的整个表面上。7.如权利要求6所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括设置在p型电极层的一部分上的反射层。8.如权利要求7所述的发光装置，其中，所述蚀刻停止层设置在p型电极层的一部分上，以与反射层间隔开。9.如权利要求5或7所述的发光装置，其中，所述覆盖层设置为包围反射层。10.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述覆盖层由对p型电极层和传导性支撑层具有优异粘合性的金属形成。11.如权利要求10所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括设置在覆盖层和传导性支撑层之间的扩散阻碍层。12.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述传导性支撑层具有包括金属层、传导性陶瓷层、杂质掺杂的半导体层和它们的组合中的一种的单层或多层结构。13.如权利要求12所述的发光装置，其中，所述传导性陶瓷层包括Nb掺杂的SrTiO3、Al掺杂的ZnO、氧化铟锡、氧化铟锌和它们的组合中的一种。14.如权利要求12所述的发光装置，其中，所述半导体层包括B掺杂的Si、As掺杂的Si、杂质掺杂的金刚石、杂质掺杂的Ge和它们的组合中的一种。15.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括设置在覆盖层和传导性支撑层之间的结合层。16.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括设置在p型半导体层、有源层和n型半导体层的侧壁上以及n型半导体层的一部分上的钝化层。17.如权利要求16所述的发光装置，其中，所述钝化层还设置在蚀刻停止层的上部和下部上。18.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括设置在n型电极层的上部或下部上的抗反射层。19.一种制造发光装置的方法，所述方法包括以下步骤：在绝缘基底上顺序地形成n型半导体层、有源层和p型半导体层；在p型半导体层上形成p型电极层和蚀刻停止层，使得p型电极层和蚀刻停止层彼此隔开；在p型电极层上形成包围p型电极层的覆盖层；在覆盖层上形成传导性支撑层之后将绝缘基底去除；对n型半导体层、有源层和p型半导体层的多个部分进行蚀刻，以暴露蚀刻停...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钟览，
申请(专利权)人：首尔OPTO仪器股份有限公司，浦项工科大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：KR
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