一种宝石单晶片的生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种宝石单晶片的生长设备，包括底座、下腔室、上腔室，底座上固定有下腔室，下腔室上侧安装有上腔室，上腔室与下腔室之间安装有阀门，下腔室、上腔室外壁上均安装有真空机，下腔室内安装有坩埚，上腔室的上方固定有伸入上腔室内的籽晶，籽晶下端连接有晶体。本实用新型专利技术通过对宝石单晶片的生长设备设有上下两个真空腔室，实现了蓝宝石拉晶片的连续生长，有效地缩短了生长周期，提高了生产率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及宝石加工领域，尤其涉及一种宝石单晶片的生长设备。技术背景蓝宝石晶体具有强度硬、耐高温耐磨擦，耐腐蚀能力强、光透性能、电绝缘性能优 良等一系列特性，因此做为重要的技术晶体材料，蓝宝石已被广泛应用在国防、军事、科研 等一系列高科技
，同时在民用工业上也有大量的应用。由于蓝宝石生长温度高，生长环境要求真空度高、温场复杂，辅助时间长(装炉、 抽真空、升温、生产结束降温、冷却等辅助时间占到整个工艺时间的三分之一)，导致生长成 本居高不下。而导模法则具有晶体生长速度快，尺寸可以精确控制，简化了晶体的加工程 序，大大降低了晶体加工难度，节省了材料、时间和能源，降低生产成本，提高经济效益，是 人工蓝宝石当前最主要的生长方法。本技术在导模法工艺、自动加料的基础上，主要通过拉晶设备改造实现了拉 晶片的连续生长，缩短了蓝宝石单晶片的生长周期，提高了生产效率
技术实现思路
本技术的目的是提供一种宝石单晶片的生长设备，有效地解决了先前的蓝宝 石单晶片生长周期长的缺陷。本技术的技术方案如下—种宝石单晶片的生长设备，包括底座、下腔室、上腔室，其特征在于所述的底座 上固定有下腔室，所述的下腔室上侧安装有上腔室，所述的上腔室与下腔室之间安装有阀 门。所述的宝石单晶片的生长设备，其特征在于所述的下腔室、上腔室外壁上均安装 有真空机。所述的宝石单晶片的生长设备，其特征在于所述的下腔室内安装有坩埚，所述的 上腔室的上方固定有伸入上腔室内的籽晶，所述的籽晶下端连接有晶体。本技术的优点是本技术通过对宝石单晶片的生长设备设有上下两个真空腔室，实现了蓝宝石 拉晶片的连续生长，有效地缩短了生长周期，提高了生产率。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式一种宝石单晶片的生长设备，包括底座1、下腔室2、上腔室3，底座11上固定有下 腔室，下腔室2上侧安装有上腔室3，上腔室3与下腔室2之间安装有阀门4，下腔室2、上腔室3外壁上均安装有真空机5，下腔室2内安装有坩埚6，上腔室3的上方固定有伸入上腔室3内的籽晶7，籽晶7下端连接有晶体8。 蓝宝石生长过程的操作原理坩埚6内盛放的蓝宝石原料生长成为拉晶片，当拉 晶片生长到规定长度用手动装置使其脱离生长界面，(由于蓝宝石晶片散热面积大、退火时 间短，能够经受较大的热冲击)将拉晶设备外的提升电机打到快速档，30分钟左右将拉晶 片提拉离下腔室2，再将下腔室2与上腔室3之间的阀门4关紧；打开上腔室3用戴好石棉 手套将晶体取出，重新装好籽晶7关紧上腔室并将上腔室3抽成和下腔室2同等真空度，再 将阀门4打开将籽晶7缓缓降下进行下一轮生长。权利要求1.一种宝石单晶片的生长设备，包括底座、下腔室、上腔室，其特征在于所述的底座 上固定有下腔室，所述的下腔室上侧安装有上腔室，所述的上腔室与下腔室之间安装有阀 门。2.根据权利要求1所述的宝石单晶片的生长设备，其特征在于所述的下腔室、上腔室 外壁上均安装有真空机。3.根据权利要求1所述的宝石单晶片的生长设备，其特征在于所述的下腔室内安装 有坩埚，所述的上腔室的上方固定有伸入上腔室内的籽晶，所述的籽晶下端连接有晶体。专利摘要本技术公开了一种宝石单晶片的生长设备，包括底座、下腔室、上腔室，底座上固定有下腔室，下腔室上侧安装有上腔室，上腔室与下腔室之间安装有阀门，下腔室、上腔室外壁上均安装有真空机，下腔室内安装有坩埚，上腔室的上方固定有伸入上腔室内的籽晶，籽晶下端连接有晶体。本技术通过对宝石单晶片的生长设备设有上下两个真空腔室，实现了蓝宝石拉晶片的连续生长，有效地缩短了生长周期，提高了生产率。文档编号C30B29/20GK201850328SQ20102059901公开日2011年6月1日 申请日期2010年11月8日 优先权日2010年11月8日专利技术者梁志安 申请人:鸿福晶体科技(安徽)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宝石单晶片的生长设备，包括底座、下腔室、上腔室，其特征在于：所述的底座上固定有下腔室，所述的下腔室上侧安装有上腔室，所述的上腔室与下腔室之间安装有阀门。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志安，
申请(专利权)人：鸿福晶体科技安徽有限公司，
类型：实用新型
国别省市：34[]