具有改进的散热性能的半导体器件制造技术

一种可安装到基底的半导体器件，包括半导体管芯和导电引线框架，该导电引线框架具有第一端部和第二端部以及第一附着表面和第二附着表面。管芯在第一附着表面上电接触引线框架的第一端部。外部暴露的壳体包围半导体管芯和引线框架的第一端部，所述壳体包括面对引线框架的第二附着表面的金属板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
该专利技术的方面一般地涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方 法，更具体来说，涉及封装在包括金属板的壳体内的半导体器件。
技术介绍
引起诸如整流器的半导体器件中的效率降低的主要原因是在正常 操作过程中的不充分冷却。避免这个问题的两个方式包括散热器的使 用和封装半导体器件的壳体的壁厚度的减小。图1A和图1B分别是由Vishay Intertechnnology公司制造的内部 具有四个半导体管芯(die)(未示出)的Vishay Semiconductor牌单 相直线形桥式整流器(single phase inline bridge rectifier)器件10。器 件10是可经由引线14通孔安装的，并包括外部的环氧壳体12，该壳体12在器件10的操作过程中保护半导体管芯，半导体管芯产生的热通过引线14和壳体12传输。图1B是器件10的侧视图，示出了器件 lO到基底ll (例如，电路板)的通孔安装，并且还示出了散热器(诸 如鳍状的铝板)13如何可以用于提高壳体12的散热性能壳体12内 的管芯产生的热经由引线14传输到基底11，并且通过壳体12传输到 散热器13和/或外界环境。使用诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，能够安装到基底，包括：　半导体管芯；　导电引线框架，具有第一端部和第二端部以及第一附着表面和第二附着表面，其中所述管芯在所述第一附着表面上电接触所述引线框架的第一端部；以及　外部暴露的壳体，包围所述半导体管 芯和所述引线框架的第一端部，所述壳体包括面对所述引线框架的第二附着表面的金属板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-8-10 60/836,835;US 2006-8-11 60/837,353;US1. 一种半导体器件，能够安装到基底，包括半导体管芯；导电引线框架，具有第一端部和第二端部以及第一附着表面和第二附着表面，其中所述管芯在所述第一附着表面上电接触所述引线框架的第一端部；以及外部暴露的壳体，包围所述半导体管芯和所述引线框架的第一端部，所述壳体包括面对所述引线框架的第二附着表面的金属板。2. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括 功率半导体器件。3. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述功率半导体器件 包括整流器。4. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述整流器包括桥式 整流器。5. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：周大德，张雄杰，李晛，付海，田永琦，
申请(专利权)人：威世通用半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]