电容式麦克风制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电容式麦克风，包括用于实现声—电信号转换的电容器Ｃ和用于放大所述电容器Ｃ形成的电信号的放大装置，所述放大装置包括信号输入端，信号输出端和接地端；所述电容器Ｃ的一端与所述放大装置的信号输入端电连接，另一端与所述放大装置的接地端电连接，其中，在所述放大装置的信号输入端和接地端之间并联连接有至少一个降噪电容器。利用本实用新型专利技术，可以有效地降低电容式麦克风中放大装置的本底噪声，提高电容式麦克风的声学性能。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电声领域，具体涉及一种可以消除放大装置噪声电压的电容式麦 克风。
技术介绍
随着便携式消费类电子产品的广泛应用，作为重要声学器件的电容式麦克风也得 到了广泛的应用，但是，由于各种噪声的干扰使得电容式麦克风的声学性能不理想。图3为现有技术中电容式麦克风的电路示意图，图3所示的电容式麦克风包括电 容器C和放大装置，其中电容器C可以实现由声信号电信号的转换，由一固定电极和移动电 极构成，并且由移动电极的振动引起电容器C电容值的变化进而引起电容器C中电压的变 化。但是，由移动电极的振动而使电容器C产生的电压信号极为微弱，并且阻抗很高，因此 需要连接一放大装置以放大微弱的电信号及进行阻抗变换。在图3所示的电路中，放大装 置采用场效应晶体管(FET)，包括信号输入端(栅极G)、信号输出端(漏极D)和接地端(源 极S)。电容器C的一端与场效应晶体管的栅极G电连接，将声音信号转换为电信号后输入 作为信号放大装置的场效应晶体管，电容器C另一端与场效应晶体管的源极S电连接，最终 放大的电信号由场效应晶体管的信号输出端(漏极D)输出。理想情况下，如果场效应晶体管的栅极G未接输入信号则漏极D输出的电压应为 0，但是由于场效应晶体管内载流子不规则的热运动使漏极D仍然会输出一定的噪声电压， 这种由于在信号处理过程中设备自行产生的信号称为本底噪声。因此，场效应晶体管在工 作过程中，输出的信号除了由电容器C产生并被放大的信号外还有场效应管自身的本底噪 声，本底噪声的存在将会在一定程度上影响通话质量，降低电容式麦克风的声学性能。所 以，有必要对上述结构的电容式麦克风进行改进以避免上述缺陷。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术所要解决的技术问题是提供一种电容式麦克风，能够 抑制放大装置本底噪声的干扰，提高电容式麦克风的声学性能。为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种电容式麦克风，包括用于 实现声一电信号转换的电容器C和用于放大所述电容器C形成的电信号的放大装置，所述 放大装置包括信号输入端，信号输出端和接地端；所述电容器C的一端与所述放大装置的 信号输入端电连接，另一端与所述放大装置的接地端电连接，其中，在所述放大装置的信号 输入端和接地端之间并联连接有至少一个降噪电容器。本技术的一种改进在于，在所述放大装置的信号输入端和接地端之间并联有 一个降噪电容器。本技术的另一种改进在于，在所述放大装置的信号输入端和接地端之间并联 有两个或多个降噪电容器。本技术的进一步改进在于，所述放大装置为场效应晶体管。本技术的进一步改进在于，所述场效应晶体管为结型场效应晶体管或者MOS 型场效应晶体管。本技术的再进一步改进在于，所述放大装置为IC。相比于现有技术，本技术所提供的电容式麦克风可以有效地降低电容式麦克 风中放大装置的本底噪声，提高电容式麦克风的声学性能。为了实现上述以及相关目的，本技术的一个或多个方面包括后面将详细说明 并在权利要求中特别指出的特征。下面的说明以及附图详细说明了本技术的某些示例 性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本技术的原理的各种方式中的一些方式。 此外，本技术旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。附图说明通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容，并且随着对本技术的更 全面理解，本技术的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中图1是本技术电容式麦克风实施例一的电路结构示意图；图2是本技术电容式麦克风实施例二的电路结构示意图；图3是现有技术中电容式麦克风的电路结构示意图。在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。具体实施方式以下将结合附图对本技术的具体实施例进行详细描述。在下面的描述中，只通过说明的方式对本技术的某些示范性实施例进行描 述，毋庸置疑，本领域的普通技术人员可以认识到，在不偏离本技术的精神和范围的情 况下，可以用各种不同的方式对所述的实施方案进行修正。因此，附图和描述在本质上只是 说明性的，而不是用于限制权利要求的保护范围。此外，在本说明书中，相同的附图标记标 示相同的部分。实施例一图1为本技术电容式麦克风实施例一的电路示意图。如图1所示，本实用新 型提供的电容式麦克风包括可以实现声一电转换的电容器C、对电信号进行放大和阻抗变 换的放大装置以及一第一降噪电容器C’。其中，电容器C为电容式麦克风的核心部件，包含 一固定电极和移动电极，可以实现由声信号到电信号的初步转换。由于由移动电极的振动 而使电容器C生成的电信号极为微弱，并且内阻很高，并不能直接与外部电路相连实现麦 克风的目的，因此需要先将电容器C与一放大装置电连接以将电信号放大为可以为外部电 路所用的信号，并进行阻抗变换。在图1所示的实施方式中，放大装置采用场效应晶体管(FET)，其栅极G作为信号 输入端，漏极D为信号输出端，源极S为接地端，电容器C的一端与场效应管的栅极G电连 接，将由声音信号转换而来的电信号输入至场效应晶体管，另一端与接地端源极S电连接。 并且为了抑制场效应晶体管本身的本底噪声，在场效应管的栅极G和源极S之间还并联有 第一降噪电容器C’，第一降噪电容器C’可以部分消除场效应管内由于载流子热运动等产生的本底噪声，达到降低噪声电压的效果。在场效应晶体管内，载流子的不规则运动引起不规则变化的电流起伏，因而产生 不规则变化的电压起伏，这种不规则变化的电流和电压形成晶体管的噪声。第一降噪电容 器C’作为一个去耦电容器，并联在场效应晶体管的栅极G和源极S之间，将场效应晶体管 内不规则变化的电压起伏(产生本底噪声的根源)这个交流分量接地，从而将噪声引导到 地，达到降低噪声电压的效果。采用这种在场效应晶体管栅极G和源极S之间并联电容器的结构可以有效抑制场 效应晶体管自身的本底噪声，增强场效应晶体管的输出特性，提高电容式麦克风的声学性 能。实施例二 图2为本技术电容式麦克风另一种实施方式的电路示意图。如图2所示，实 施例二中的电容式麦克风同样包括可以实现声一电转换的电容器C、对电信号进行放大和 阻抗变换的放大装置以及降噪电容器。其中，电容器C为电容式麦克风的核心部件，包含一 固定电极和移动电极，可以实现由声信号到电信号的初步转换。由于由移动电极的振动而 使电容器C生成的电信号极为微弱，并且内阻很高，并不能直接与外部电路相连实现麦克 风的目的，因此需要先将电容器C与一放大装置电连接以将电信号放大为可以为外部电路 所用的信号，并进行阻抗变换。电容器C的一端与场效应管的栅极G电连接，将由声音信号 转换而来的电信号输入至场效应晶体管，另一端与接地端源极S电连接。本实施例二与以上实施例一的主要区别在于，在实施例二中，场效应晶体管的栅 极G和源极S之间并联有两个降噪电容器第一降噪电容器C’和第二降噪电容器C”。同样，场效应晶体管内载流子的不规则运动产生的场效应晶体管的噪声，由两个 并联的降噪电容器作为去耦电容器并联在场效应晶体管的栅极G和源极S之间，分担场效 应晶体管内不规则变化的电压起伏(引起本底噪声的根源)，并将这种交流分量引导到地， 从而达到降低噪声电压的效果。两个并联的降噪电容器不仅可以更好的消除场效应管内由于载流子热运动等产 生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式麦克风，包括用于实现声－电信号转换的电容器Ｃ和用于放大所述电容器Ｃ形成的电信号的放大装置，所述放大装置包括信号输入端，信号输出端和接地端；所述电容器Ｃ的一端与所述放大装置的信号输入端电连接，另一端与所述放大装置的接地端电连接，其特征在于，　　在所述放大装置的信号输入端和接地端之间并联连接有至少一个降噪电容器。

【技术特征摘要】
1.一种电容式麦克风，包括用于实现声一电信号转换的电容器C和用于放大所述电容 器C形成的电信号的放大装置，所述放大装置包括信号输入端，信号输出端和接地端；所述 电容器C的一端与所述放大装置的信号输入端电连接，另一端与所述放大装置的接地端电 连接，其特征在于，在所述放大装置的信号输入端和接地端之间并联连接有至少一个降噪电容器。2.根据权利要求1所述的电容式麦克风，其特征在于，在所述放大装置的信号输入端 与接地端之间并联有一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37