本发明专利技术提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与
薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含
第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量
的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或
Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二
层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明
导电膜直接接触。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如用于半导体或像液晶显示器那样的平板显示器、反射 膜、光学部件等中的、将透明导电膜和铝合金配线膜作为构成要素而含有 的新型显示装置。
技术介绍
例如有源矩阵型的液晶显示装置以薄膜晶体管(TFT)作为开关元件， 由透明导电膜、具备栅配线及源 漏配线等配线部的TFT基板(TFT 阵列基板)、相对于该TFT基板拉开规定的间隔对置配置并具备共通电极 的对置基板和填充于这些TFT基板与对置基板之间的液晶层构成，作为透 明导电膜，例如使用在氧化铟(In2O3)中含有10质量X左右的氧化锡(SnO) 的氧化铟锡(ITO)膜、在氧化铟中添加了 10质量％的氧化锌的氧化铟锌 (IZO)等。图1是搭载于这样的液晶显示装置中的液晶面板结构的概略剖面放大 说明图，该液晶面板具备TFT阵列基板1、与该TFT阵列基板1对置配 置的对置基板2、以及配置于这些TFT阵列基板1与对置基板2之间发挥 光变调层作用的液晶层3。 TFT阵列基板1由配置于绝缘性的玻璃基板la 上的薄膜晶体管(TFT) 4、透明导电膜(像素电极)5、包括扫描线或信 号线的配线部6构成。对置基板2由形成于TFT阵列基板1侧的全面上的共通电极7、配置 于与透明导电膜(像素电极)5相对的位置的滤色片8、配置于与TFT阵 列基板1上的薄膜晶体管(TFT) 4或配线部6相对的位置的遮光膜9构 成。另外，在构成TFT阵列基板1及对置基板2的绝缘性基板的外面侧， 配置有偏振板IO、 10,并且在对置基板2上，设有用于将液晶层3中所含 的液晶分子沿规定的方向取向的取向膜11。此种结构的液晶面板中，利用形成于对置电极2与透明导电膜(像素 电极)5之间的电场，来控制液晶层3中的液晶分子的取向方向，将穿过TFT阵列基板1与对置基板2之间的液晶层3的光变调，这样，透过对置 基板2的光的透过光量就受到控制而显示图像。另外，利用向TFT阵列外部拉出的TAB胶带12，由驱动电路13及 控制电路14来控制TFT阵列。图中，15表示间隔件，16表示密封材料，17表示保护膜，18表示扩 散板，19表示棱镜片，20表示导光板，21表示反射板，22表示背光灯， 23表示保持框架，24表示印制电路板。另外，图2表示包括与透明导电膜(像素电极)5电连接的配线部6 的所述图1的区域A的放大图，在该图2的栅配线26中，采用了Mo或 Cr的单层膜或Al—Nd等铝合金配线膜与高熔点金属(Mo、 Cr、 Ti、 W等) 的层叠配线结构。另外，在源配线28或漏配线29 (以下有时将它们称作 「源，漏配线」)中，采用了将纯铝(Al)的单层膜与上述高熔点金属层 叠了的配线结构(例如参照专利文献l、专利文献2、专利文献3等)。层叠上述高熔点金属的理由如下所示。§卩，如果将透明导电膜(ITO 膜)5与构成栅配线或源 漏配线的纯铝膜或Al—Nd等铝合金膜直接连 接，则铝被氧化，在透明导电膜与上述纯铝膜或Al—Nd等铝合金膜的接 触界面上形成高电阻率的氧化铝，信号线与透明导电膜之间的接触电阻上 升，画面的显示质量降低。这是因为，由于铝是非常容易氧化的元素，因此在大气中形成氧化铝 覆盖膜，特别是因在由金属氧化物构成的透明导电膜的成膜中所用的氧或 成膜时产生的氧，而形成高电阻率的氧化铝覆盖膜。所以，为了解决上述问题，通过设置屏蔽金属(高熔点金属)层，来 防止纯铝膜或铝合金膜的表面氧化，从而实现纯铝膜或铝合金膜与透明导 电膜的良好的接触。但是，如果采用夹隔有上述屏蔽金属的结构，则需要追加屏蔽金属层 的形成工序，另外除了栅配线或源，漏配线的成膜中所用的溅射装置，还 需要额外地装备屏蔽金属形成用的成膜装置。但是，随着利用批量生产实 现的液晶面板等的成本降低的推进，伴随着上述屏蔽金属的形成产生的成本上升或生产性的降低就成为问题，近年来，希望有可以省略屏蔽金属的 电极材料或制造工艺过程。所以，本专利技术人等已经提出过如下的配线用的 铝合金配线膜的方案(专利文献4)， g卩，可以简化上述屏蔽金属的形成工 序，在配线部上直接连接透明导电膜。此外，在专利文献5中，公开有如下的技术，即，通过对漏电极实施 等离子体处理或离子注入等表面处理而实现屏蔽金属的省略，另外，在专 利文献6中，公开有如下的技术，即，通过形成在第一层的栅电极和源电极及漏电极上层叠了作为杂质含有N、 O、 Si、 C的第二层的层叠配线膜，而实现屏蔽金属的省略。另一方面，随着液晶面板的大型化的推进，配线长度尺寸不断加长， 与之相伴，信号配线的电阻率也明显地增大起来。由于该电阻率的增大会引起RC延迟，因此有可能导致显示质量的降低。为此，对低电阻率配线 的需求提高，作为低电阻率配线可以使用纯A1等低电阻率配线材料。但是，如果使构成信号线的纯铝配线或铝合金配线与透明导电膜直接 接触，则接触电阻上升，画面的显示质量降低。这是因为，向先前所说明 的那样，由于铝非常容易氧化，因此表面在大气中很容易被氧化，另外， 由于透明导电膜是金属氧化物，因此会因在成膜时添加的氧而将铝氧化， 在表面生成绝缘性的氧化铝。这样，当在信号线与透明导电膜的接触界面 中生成绝缘物时，信号线与透明导电膜之间的接触电阻就会升高，画面的 显示质量降低。以往的液晶面板中所用的屏蔽金属虽然具有如下的作用，即，防止纯 铝配线或铝合金配线的氧化，使纯铝配线或铝合金配线与透明导电膜的接 触良好，但是由于作为屏蔽金属使用的Mo、 Cr、 Ti、 W等高熔点金属的 电阻率高，因此无法轻视伴随着屏蔽金属的使用产生的配线电阻的上升。另外，使用屏蔽金属之时产生的其他的缺点在于，存在难以进行精细 加工的问题。通常来说，对于配线的剖面形状，考虑到有效区，优选锥角 为45 60°左右的锥形，然而由于在使用了屏蔽金属的层叠配线膜中形成 层叠了不同金属的结构，因此蚀刻速度会随着各个金属而不同，从而会有 形成例如像图3中简略表示的那样的剖面结构的情况。另外，由于将具有 不同的电位的金属接合，因此会引起电腐蚀，从而还会有成为如图4所示6那样的剖面结构的情况。如果是此种剖面结构的配线，则钝化膜的有效区 变差，引起TFT (薄膜晶体管)的动作特性劣化等问题。此外，例如在纯铝的配线中在耐热性方面有问题，会因工艺工程中施 加的热过程而产生被称作凸起(半球状突起)的凸状缺陷，它贯穿绝缘膜， 引起配线短路等问题。基于这些情况，在使用纯铝时，生产线中的材料利 用率降低成为实用中的大问题。专利文献1:日本特开平4—20930号公报 专利文献2:日本特幵平6—12503号公报 专利文献3:日本特开2001—350159号公报 专利文献4:日本特开2004—214606号公报 专利文献5:日本特开平11一283934号公报 专利文献6:日本特开平11一284195号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于此种情况而完成的，其目的在于，提供一种具备如下的 配线膜的显示装置，其可以实现如前所述的低电阻率配线，并且精细加工 性优良，而且兼具可以充分耐受制造工序中所施加的热过程的耐热性。艮P，本专利技术涉及以下的(1) (9)。(1) 一种显示装置，其中在玻璃基板上配置有将透明导电膜与薄膜 晶体管电连接的铝合金配线膜，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和 第二层(Y)的层叠结构，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，其为在玻璃基板上配置有将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置， 该铝合金配线膜具有包含第一层（Ｘ）和第二层（Ｙ）的层叠结构，其中，第一层（Ｘ）与透明导电膜直接接触， 所述第一层（Ｘ）由铝合金构成，所 述铝合金含有０．１～６原子％的选自由Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ构成的元素组Ｑ中的至少一种元素，并且含有０．１～６原子％的选自由稀土类元素、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｖ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｆｅ构成的元素组Ｒ中的至少一种元素， 所述第二层（Ｙ）由纯铝构成；或者由以铝为主成分且电阻率低于所述第一层（Ｘ）的铝合金构成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.15 JP 251473/2006;2007.8.10 JP 210218/20071. 一种显示装置，其为在玻璃基板上配置有将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，其中，第一层(X)与透明导电膜直接接触，所述第一层(X)由铝合金构成，所述铝合金含有0.1～6原子％的选自由Ni、Ag、Zn、Cu构成的元素组Q中的至少一种元素，并且含有0.1～6原子％的选自由稀土类元素、Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe构成的元素组R中的至少一种元素，所述第二层(Y)由纯铝构成；或者由以铝为主成分且电阻率低于所述第一层(X)的铝合金构成。2. —种显示装置，其中在玻璃基板上配置有将透明导电膜与薄膜晶 体管电连接的铝合金配线膜，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第 二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由铝合金构成，所述铝合金含有0.1 6原子％的选 自由Ni、 Ag、 Zn、 Cu、 Co构成的元素组Q，中的至少一种元素，并且含 有0.1 6原子％的选自由稀土类元素、Mg、 Mn、 V、 Pt、 Cr、 Ru、 Rh、 Pd、 Ir、 W、 Ti、 Zr、 Nb、 Hf、 Ta、 Sn、 Fe构成的元素组R中的至少一种 元素，所述第二层(Y)由纯铝构成，或者由以铝为主成分且电阻率低于所 述第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：日野绫，后藤裕史，奥野博行，中井淳一，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：JP
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