【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用多频率RF功率的混合RF电容和电感耦合等离子源及其^f吏用方法
技术介绍
由于低成本、高可靠性和速度，集成电路已经成为目前大多数电子系统的基本部件。集成电路的制造开始于基片，每个基 片经过在该基片上形成各种电路结构的步骤。通常，等离子(或离面上选择性蚀刻图案的工艺步骤。通常，通过在^f氐压下向该工艺气体增加能量而在该基片 表面之上形成等离子。所得到的等离子可能包括具有高动能的离 子、自由基和中性物质。在等离子蚀刻中，可以引导等离子中带电 的粒子撞击在该基片无遮蔽的区域上，并由此从该基片去除原子或 分子。等离子特性的任何不均 一 性会导致反应速率沿着该基片 表面不均匀，这会降低制造成品率。随着基片直径倾向于增加以及 形成在该基片上的晶体管尺寸减小，这个不均一性已经变成等离子 处理系统中主要复杂性之一。因此，对于等离子处理系统需要4是高 在整个基片表面之上的等离子均匀度。现代等离子蚀刻工具使用多个调节器以控制工艺参数， 如等离子密度和均匀度、等离子化学组成、离子能量以及基片表面 附近的离子能量分布。新一代等离子处理系统要求密切控制这些参数以便满足技术挑战的要求，如收缩特...
【技术保护点】
一种用于限制在等离子处理设备中形成的等离子的装置，该设备包括相对的上部电极和下部电极，所述下部电极适于在其上支撑基片，以及其中等离子在运行过程中产生在所述基片和所述上部电极之间，所述装置包括： 介电支撑环，适于同心围绕所述上部电极；和多个线圈单元，安装在所述介电支撑环上，每个所述线圈单元包括沿所述介电支撑环径向设置的铁磁芯体和围绕所述铁磁芯体缠绕并且耦接至第一射频（ＲＦ）电源的第一线圈， 其中所述线圈单元在接收来自所述第一ＲＦ电源的ＲＦ功率时产生限制所述等离子的电场和磁场。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿列克谢马拉赫塔诺夫，拉金德尔德辛德萨，埃里克赫德森，安德烈亚斯菲舍尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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