在蚀刻层中提供特征的方法技术

提供一种用于在蚀刻层提供特征的方法。在蚀刻层上提供具有牺牲特征的图案化牺牲层。在该牺牲特征内形成共形侧壁，其包括至少两个侧壁形成工艺循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和侧壁轮廓成形阶段。将共形侧壁之间的图案化牺牲层部分去除，留下其间具有间隙的共形侧壁，在该间隙的图案化牺牲层部分被选择性去除。使用该共形侧壁作为蚀刻掩膜在该蚀刻层蚀刻特征，其中穿过共形侧壁之间的间隙在蚀刻层中蚀刻特征，在该间隙的该图案化牺牲层部分被选择性去除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
0001本专利技术涉及半导体设备的形成。
技术介绍
0002半导体晶片处理过程中，采用已知的图案加工和蚀刻 工艺在晶片上形成半导体设备的特征。在这些工艺中，光刻胶(PR) 材料一皮沉积在晶片上，然后曝光于经中间掩膜(reticle)过滤的光 线。该中间掩膜通常为玻璃面板，其形成有才莫板特征几何形状图案， 该几何形状图案阻止光线穿过中间掩膜。0003当穿过中间掩膜后，光线接触光刻胶材料的表面。该 光线改变曝光的光刻胶材料的化学组成，而使显影剂能够去除部 分光刻月交材^K在正型光刻胶材^h的情况下，曝光区域;故去除，而 在负型光刻胶材料的情况下，未曝光区域被去除。其后，蚀刻该晶 片以将不再受光刻胶材料保护区域下面的材料去除，并由此在晶片 上i殳定所需4争4i。0004已知各种不同的光刻胶世4戈(generation )。光刻月交图 案具有临界尺寸(CD),其为最小特征的宽度。由于基于波长的光 特性，曝光于波长较长的光的光刻胶具有较大的理论最d、临界尺 寸。通过该光刻胶图案蚀刻出特征。理想地，特征的CD(特征的宽 乂复)等于光刻月交的特4正的CD。实践中，由于刻面(faceting )、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在蚀刻层中提供特征的方法，包括：　在蚀刻层上形成具有牺牲特征的图案化牺牲层；　在牺牲特征中形成共形侧壁，包括至少两个侧壁形成工艺循环，其中每个循环包括：　侧壁沉积阶段；和　侧壁轮廓成形阶段；　选择性去除介于共形侧壁间的部分图案化牺牲层，在该共形侧壁间图案化牺牲层部分被选择性去除之处给该共形侧壁留下间隙；以及　用共形侧壁作为蚀刻掩膜在蚀刻层中蚀刻特征，其中穿过共形侧壁之间的间隙在该蚀刻层中蚀刻特征，该间隙处的图案化牺牲层部分被选择性去除。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志松，杰弗里马克斯，SM列扎萨贾迪，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]