本发明专利技术的发明专利技术名称是用于ＭＲＩ磁体的整体式电子ＲＦ防护装置。一种用于成像系统（１０）的整体式电子系统外壳和磁体结构（１２）包括外壳（４０）和射频防护物（４６）。外壳（４０）与磁体结构（１３）相连，并包含成像系统支持电子组件（４２）。射频防护物（４６）与外壳（４０）相连，并防止成像系统支持电子组件（４２）对射频接收器线圈（３０）的射频干涉。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及磁共振成像(MRI)系统和组件。尤其是，本专利技术涉及MRI磁体结 构对近端、整体式连接于其间的MRI系统支持电子组件的射频防护。
技术介绍
目前的磁共振成像(MRI)系统包括产生暂时恒定初级磁场的超导磁体结构。超 导磁体与磁梯度线圈装置共同使用，磁梯度线圈装置以序列脉冲在MRI数据收集序列期 间在静态磁场内产生梯度受控的序列。受控序列梯度贯穿患者成像体(患者孔(patient bore))的全部，患者成像体与一个或更多MRI射频(RF)线圈或天线相连接。RF线圈位于 磁梯度线圈装置和患者孔之间。作为典型的MRI的一部分，适当频率的RF信号被传送至患者孔内。核磁共振(nMR) 响应的RF信号由患者通过RF线圈接收。处理通过使用RF电路接收的RF信号的频率和相 位参数中编码的信息以形成可视图像。这些可视图像表达了患者孔内被扫描的患者的一个 横截面或体内nMR核子分布的各种所需特性。利用各种系统电子组件来支持MRI系统的操作，并处理由MRI系统收集的数据。大 多数电子组件与MRI磁体结构相分离，并与MRI磁体结构位于不同的房间。这些电子组件 位于另外的房间是为了防止产生在可视图像中导致伪影的RF宽带噪声。当在磁体的磁场中发生电连接之间的中断或改变接触时，磁场中会感应出导致图 像伪影的RF噪声。图像伪影甚至可通过也感应RF噪声的编织电线的运动或摩擦产生。因 此，任何在磁体结构上或附近磁体结构的金属与金属的接触可产生变化的接触并成为图像 伪影的起因。在获得的图像中伪影被看作是“白像素”。通过使电子组件位于与磁体结构不同的房间，需要额外的地板空间。检查机构 (例如，医院)内的地板空间是昂贵的并且仅有有限的空间可利用。同样，为使电子组件与 磁体结构分离，MRI系统制造商要完成额外的工作，这也会增加MRI系统的成本。因此，需要一种改进的MRI系统以允许MRI磁体结构和支持的电子组件在一个房 间共存，而不会由于支持的电子组件和磁体结构近距离的接近而产生图像伪影。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于成像系统的整体式的电子系统外壳和磁体结构。该整体式结 构包括一个外壳和射频防护物。外壳与磁体结构相连，并包含成像系统支持电子组件。射 频防护物与外壳相连，防止成像系统支持电子组件对射频(RF)接收器线圈的射频干涉。本专利技术的实施例提供几个优势。一个这样的优势是提供隔离RF噪声的整体式结 构，RF噪声由成像系统支持电子组件，成像系统RF接收器天线产生。通过这样的结构，所述实施例可防止图像伪影的产生，并允许在一个房间内近距离的接近和安装成像系统电子 组件和磁体结构。因此，所述实施例将成像系统的空间使用和与空间使用相关的成本降至 最低。在一个房间内安装成像系统支持电子组件和磁体结构也将成像系统的安装成本降至 最低。本专利技术的多个实施例提供的另外一个优势是提供防止在磁体结构的磁场和成像 系统支持电子组件之间的射频干涉的射频防护物。通过将射频干涉减至最小，将电子连接 的故障检修减至最少，并因此使与其相关的维护成本降至最低。本专利技术本身及其附带的优势将通过参照下面与附图相结合的详细描述进行更好 的理解。附图说明为了更好地理解本专利技术，应参照在附图中以更多细节举例说明和下面通过本专利技术 举例方式进行描述的实施例，其中图1是按照本专利技术实施例包含整体式电子系统外壳和磁体结构的磁共振成像系 统的透视图。图2是按照本专利技术实施例的图1的磁共振成像系统的方框图。图3是用于按照本专利技术实施例的磁体结构的整体式电子系统外壳的横截面角视 图。具体实施例方式尽管本专利技术描述了一种用于使磁共振成像(MRI)磁体结构对近端、整体式连接于 其间的MRI系统支持电子组件进行射频防护的装置，下面的装置可适用于各种目的，并不 限于下列应用MRI系统，计算机断层扫描系统，χ射线成像系统，放射性治疗系统以及在现 有技术中已知的需要将系统的电子组件与磁或磁场产生结构相分离的其它应用。在下面的描述中，各种操作参数和元件在一个构造的实施例中进行描述。这些特 定的参数和元件是作为示例包括在内，而不意味这仅限于此。现在参照图1和2，按照本专利技术实施例显示了包含整体式电子系统外壳和磁体结 构12的MRI系统10的透视图，以及MRI系统10的方框图。MRI系统10包括具有超导磁体 (未示出)的静态磁体结构13 (圆柱形结构)。超导磁体产生沿中心孔(患者孔)16的纵 轴(ζ轴)14的暂时恒定磁场。超导磁体与磁梯度线圈装置18共同使用。磁梯度线圈装置18以序列脉冲在MRI 数据收集序列期间在静态磁场内产生梯度受控的序列。受控序列梯度贯穿中心孔16。中心 孔16上安装有射频(RF)线圈装置(天线)20。RF线圈装置产生传送至中心孔16内的适 当频率的RF信号。从中心孔16通过RF线圈装置20接收核磁共振(nMR)响应的RF信号。RF发射机22与RF线圈装置20和序列控制器M相连。RF发射机22可是模拟或 数字装置。序列控制器M通过梯度线圈控制器观控制一系列电流脉冲发生器沈。梯度线 圈控制器28与磁梯度线圈装置18相连。RF发射机22与序列控制器M —起脉冲产生RF 信号以激发和操纵中心孔16内的对象部分的选定偶极子的磁共振。RF接收天线或线圈30与RF线圈装置20相连以解调对象被检部分发出的磁共振信号。图像重建装置32重建接收的磁共振信号为存储在图像存储器34内的电子图像表示。 视频处理器36将存储的电子图像转换为适当格式用于在视频监视器38上显示。整体式结构12包括整体式电子系统外壳或第一外壳40和第二外壳44。第一外壳 40包括成像系统支持电子组件42。第二外壳44包括磁体结构13。第一外壳40和第二外 壳44可以是分离的外壳(如图所示)，或可以作为一个整体式外壳形成并配置成与磁体结 构13相连。第一外壳40和第二外壳44可具有各种尺寸，形状，样式，并可在其中包含各种 分隔间。例如，第一外壳40的磁体侧46可相应于第二外壳44的外侧50的轮廓成形。第 一外壳40和第二外壳44可由各种材料形成，其中的一些将在下面进行描述。第一外壳40包括RF防护物48，最好参见图3。RF防护物48连接在第一外壳40 内，并完全围住支持电子组件42。通过完全地围住支持电子组件42，RF防护物48使支持 电子组件42与RF接收线圈30分离。支持电子组件42的分离允许电子组件42与磁体结 构13紧密的接近。支持电子组件42可包括在磁体结构13的操作和电子图像的产生中利用的任何电 子组件。支持电子组件42可包括射频放大器，梯度放大器，定时装置，振荡器，射频发射机， 和其它现有技术中已知的支持电子组件。支持电子组件42可包括各种控制器，例如梯度线 圈控制器28和序列控制器M。现在参照图3，显示了按照本专利技术实施例的第一外壳40的横截面角视图。电子系 统外壳40包括直接与外壳52相连在其内部的RF防护物48。外壳52可由各种材料形成， 例如塑料，金属，或其它现有技术中需要的材料。尽管第一外壳40描述为具有外壳和RF防 护物，第一外壳40也可仅具有有RF防护物特性并执行RF防护物功能的外壳。在图3的实施例中，RF防护物48显示为具有一对导电层54。这对导电层M包括 第一层56和第二层58。第一层56显示为一层薄固体金属本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于成像系统（１０）的整体式电子系统，包括：磁体结构，包含：超导磁体；以及ＲＦ线圈装置；从外部与所述磁体结构（１３）相连的外壳（４０），所述外壳（４０）包含具有控制器的成像系统支持电子组件（４２），所述成像系统支持电子组件与所述ＲＦ线圈装置隔离；和射频防护物（４８），其与所述外壳（４０）相连，并防止所述成像系统支持电子组件（４２）和所述ＲＦ线圈装置（２０）之间的射频干涉，其中所述射频防护物（４８）包围所述成像系统支持电子组件（４２）。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：TJ哈文斯，
申请(专利权)人：GE医疗系统环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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