抗反射涂料组合物制造技术

本发明专利技术公开了具有减少的渗气的抗反射涂料组合物，该抗反射涂料组合物包含：（ａ）包含一种或多种官能团的聚合物，该官能团能够进行一种或多种选自共价键、离子键和氢键的相互作用；和（ｂ）在加热时离解成组成部分的热酸产生剂，该组成部分能够进行一种或多种选自共价键、离子键和氢键的相互作用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型抗反射涂料组合物和它们通过在反射性基材和光中的用途 此种组合物尤其可用于it过光刻技术制造半导体器件，特别是要求用深紫外辐射膝光的那些。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于缩微光刻方法中，这些方法例如在计算机芯片和集成电路的制造中用于制造小型化电子組件。通常，在这些方法中，首先将光致抗蚀剂组合物的薄涂膜施涂于基材材料上，例如用于制造集成电路的硅晶片上。然后烘烤该已涂覆的基材以蒸发该光致抗蚀剂组合物中的任何溶剂并将该涂层固定到该基材上。让该基材的经烘烤和涂覆的表面接下来经历在辐射下的成像式曝光。这种辐射膝光导致该已涂覆表面的曝光区域发生化学转变。目前，可见光、紫外(uv)光、电子束和x射线辐射能是缩微光刻方法中常用的辐射类型。在这种成像式曝光之后，用显影剂溶液处理该已涂覆的基材以溶解和除去该光致抗蚀剂的已辐射曝光或未曝光的区域。存在两类光致抗蚀剂組合物，负作用和正作用型。当正作用型光致抗蚀剂组合物在辐射下成像式膝光时，该光致抗蚀剂组合物的暴露于辐射下的区域变得可溶于显影剂溶液(例如发生重排反应)，而该光致抗蚀剂涂层的未啄光区域保持相对不可溶于此种溶液。因此，用显影剂对曝本文档来自技高网...

【技术保护点】
抗反射涂料组合物，包含：（ａ）包含一种或多种官能团的聚合物，该官能团能够进行一种或多种选自共价键、离子键和氢键的相互作用；和（ｂ）在加热时离解成组成部分的热酸产生剂，该组成部分能够进行一种或多种选自共价键、离子键和氢键的相互作用。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JE奥伯兰德，
申请(专利权)人：AZ电子材料美国公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]