【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种高切割效率的切架，且尤其涉及一种包括多个用于从基体材料上以预定倾斜角切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器的切架，所述切割器 安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，所述矩形单元件中 的两个矩形单元件大体沿倾斜方向排列，以使得所述矩形单元件在每个矩形单元件的一 个边处彼此接触，其中，假设当所述矩形单元件在每个矩形单元件的左边或右边彼此对齐(concide)时，最左端虚构顶点的坐标为(Ax，Ay)，且最右端虚构顶点的坐标为(Bx，By)，则 在切割面积率高于虚构阵列的阵列中，最右端顶点的坐标(B' x，B' y)基于最左端虚构顶 点的坐标(Ax，Ay)而大于最右端虚构顶点的坐标(Bx，By)。
技术介绍
用于切割具有较大尺寸的矩形基体材料以制造多个较小尺寸的矩形单元件的技 术已在不同的领域中得到采用。例如，具有预定宽度与长的长度的基体材料片被切架重复 地切割，以通过一次切割工序同时制造多个矩形单元件。 同时，基体材料的尺寸(宽度)为规定的，然而由于多种因素，例如基体材料供应 商的限制、制造工序的效率方面、矩形单元件...
【技术保护点】
一种切架，其包括多个用于从基体材料上以预定倾斜角切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器，所述切割器安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，所述矩形单元件中的两个矩形单元件大体沿倾斜方向排列，以使得所述矩形单元件在每个矩形单元件的一个边处彼此接触，其中假设当所述矩形单元件在每个矩形单元件的左边或右边彼此对齐时，最左端虚构顶点的坐标为（Ａｘ，Ａｙ），且最右端虚构顶点的坐标为（Ｂｘ，Ｂｙ），则在切割面积率高于虚构阵列的阵列中，最右端顶点的坐标（Ｂ′ｘ，Ｂ′ｙ）基于所述最左端虚构顶点的坐标（Ａｘ，Ａｙ）而大于所述最右端虚构顶点的坐标（Ｂｘ，Ｂｙ）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李镐敬，许淳基，崔在仁，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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