【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光学成像装置。本专利技术可用在制造微电子电路所 使用的微光刻技术中。本专利技术还涉及一种光学成像方法，该方法特 别是借助根据本专利技术的光学成像装置来实施。
技术介绍
特别是在微光刻领域中，除了使用具有高精度的部件之外，必须 在工作期间，在尽可能大的程度上保持成像装置部件的位置和几何 尺寸不变，以实现相应高的成像质量，成像装置部件例如为诸如透 镜、反射镜和光栅之类的光学元件。处于数量级为几纳米的微小范围内的高精度要求仍然是如下需要的结果降低在制造微电子电路为了实现增加的分辨率，可以减小所使用的光的波长，正如这是 在超紫外线(EUV)范围内，以范围为13 nm的工作波长工作的系 统的情况，或者可以增加所使用的投影系统的数值孔径。显著增加 数值孔径至超过1的一种可能方案是在所谓的浸没系统中实现，其 中，具有大于1的折射率的浸没介质被放置在投影系统的浸没元件 与待曝光的衬底之间。利用具有特别高的折射率的光学元件可以进 一步增加数值孔径。应当理解，在所谓的单浸没系统中，浸没元件(即至少部分与浸 没介质接触、处于浸没状态的光学元件)通常是最靠近待曝光的衬...
【技术保护点】
一种特别是用于微光刻技术的光学成像装置，包括： 用于接收掩模的掩模装置，该掩模包括投影图案， 包括光学元件组的投影装置， 用于接收衬底的衬底装置，以及 浸没区，其中， 所述光学元件组能够将投影图案投影到所述衬底 上， 所述光学元件组包含多个具有浸没元件的光学元件，特别是最后一个光学元件，该浸没元件至少被暂时地设置成与所述浸没区邻接，以及 所述浸没区在工作期间至少暂时地填充有浸没介质，特别是，所述浸没区在工作期间设置在形成所述浸没元件的最 后一个光学元件与所述衬底之间， 其特征在于， 设有热衰减装...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：B格尔里希，J库格勒尔，T伊特纳，S赫姆巴歇尔，KH席米茨埃克，P泰埃巴蒂，H霍尔德雷，
申请(专利权)人：卡尔蔡思SMT股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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