８英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀工艺制造技术

本发明专利技术涉及８英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀工艺。本工艺根据硅片规格配制酸腐蚀液和设定酸腐蚀液温度、腐蚀时间、酸腐蚀液循环量及排、补酸腐蚀液量，酸腐蚀液是由氢氟酸、硝酸、醋酸进行混合的溶液，各组分所占的重量百分比为：氢氟酸９％－２６％；硝酸３９％－４８％；醋酸２６％－５２％。采取本工艺，可以稳定量产ＴＴＶ和ＴＩＲ增加值均小于１．５μｍ，表面良好，去除量散差小于１μｍ的８英寸酸腐蚀硅片，产品合格率高达９８％以上。从而可满足市场对８英寸单晶硅片的高品质需求，并将在市场中占据有利位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅片的生产方法，特别是涉及一种8英寸轻掺单晶硅片的酸腐 蚀工艺。
技术介绍
众所周知，硅片的直径越大，每片硅片所能集成的半导体器件就越多，其成本 就越低，所以作为大规模集成电路和半导体分立器件用外延片的原材料——硅抛光片， 也有向大尺寸发展的趋势。目前国际抛光硅片市场上8英寸抛光片占主流地位，约为 40—50%。但目前为止，国内大多数企业生产的硅抛光片都是6英寸以下，虽然有个别企 业能生产8英寸及以上尺寸的抛光片，但其产能和质量远远不能达到稳定量产的规模。硅抛光片主要加工流程一般包括单晶生长一滚磨一切片一倒角一研磨一腐蚀一 抛光一清洗一包装等。其中腐蚀是重要的生产工序，它的作用是除去硅单晶片经过切 片、研磨等机械加工后，其表面因机械加工产生的应力而形成有一定深度的机械应力 损伤层。通常的方法是采用一定浓度和一定温度下的酸腐蚀液或碱腐蚀液与硅晶片发 生化学反应，从而达到去除损伤层的目的。目前国内抛光片生产厂商多选用碱腐蚀工 艺。碱腐蚀工艺简单，但其腐蚀的速率较慢，产能不如酸腐工艺；而且，其腐蚀后的硅 晶片表面粗糙，容易吸附杂质；另外，更重要的是，碱液所带来的金属离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种８英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀工艺，其特征在于：　根据硅片规格配制酸腐蚀液和设定腐蚀液温度、腐蚀时间、酸腐蚀液循环量及排、补酸腐蚀液量，所述酸腐蚀液是由氢氟酸、硝酸、醋酸进行混合的溶液，各组分所占的重量百分比为：氢氟酸９％－２６％；硝酸３９％－４８％；醋酸２６％－５２％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：焦志鹏，罗翀，由佰玲，孙希凯，张宇，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]