微机电系统装置及其互连制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种微机电系统（ＭＥＭＳ）装置，其包含衬底（２０）、阵列区域（阵列）及外围区域（互连）。所述阵列区域（阵列）包含下部电极（１６Ａ、１６Ｂ）、可移动上部电极（１４）及所述下部电极（１６Ａ、１６Ｂ）与所述上部电极（１４）之间的空腔（１９）。所述外围区域（互连）包含形成所述阵列区域（阵列）中的所述上部电极（１４）的层的一部分及电互连（５８）。所述电互连（５８）包含电连接到所述下部电极（１６Ａ、１６Ｂ）及所述上部电极（１４）中的至少一者的导电材料（５０）。所述电互连（５８）由与形成所述阵列区域（阵列）中的所述上部电极（１４）的所述层分离且处于所述层以下的层形成。所述导电材料（５０）选自由镍、铬、铜及银组成的群组。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种微机电系统（ＭＥＭＳ）装置，其包括：　　衬底；　　所述衬底上的阵列区域，所述阵列区域包括：　　下部电极；　　可移动上部电极；以及　　所述下部电极与所述上部电极之间的空腔；以及　　所述衬底上的外围区域，所述外围区域包括：　　形成所述阵列区域中的所述上部电极的层的一部分；以及　　电互连，其包括电连接到所述下部电极与所述上部电极中的至少一者的导电材料，其中所述导电材料由与形成所述阵列区域中的所述上部电极的所述层分离且处于所述层以下的层形成，所述导电材料选自由镍、铬、铜及银组成的群组。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：笹川照夫，
申请(专利权)人：高通MEMS科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]