有机电致发光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种有机ＥＬ装置的制造方法，其在形成包含对有机ＥＬ元件进行密封的无机物层的被膜时，可抑制对有机ＥＬ元件造成的损害，并且可形成对水蒸气或氧的阻隔性较高的被膜。有机ＥＬ元件（２０）是在至少一个为透明或半透明的一对电极间夹着包含发光层的有机ＥＬ层（２２）而构成，密封层（３０）包含与有机ＥＬ元件（２０）接触的至少１层无机物膜并用于密封有机ＥＬ元件（２０）。在基板（１０）上形成有机ＥＬ元件（２０）及密封层（３０）时，利用离子束溅射法来形成密封层（３０）中的与有机ＥＬ元件（２０）接触的第１密封膜（３１），而利用离子束溅射法以外的其他成膜方法来形成密封层（３０）中的其他无机物膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。以下，有时将电致发光(Electro Uiminescence)简禾尔为EL。
技术介绍
有机EL元件具有下述构造在至少其中之一是透明或半透明的一对电极间，夹持 着包含发光层的有机EL层，该发光层包含有机发光材料。当向具有这种构造的有机EL元 件的一对电极间施加电压时，在发光层中，自阴极注入电子，自阳极注入空穴，这些电子及 空穴在发光层中进行再结合。继而，利用此时所产生的能量来对发光层中的发光材料进行 激发，从而由发光层来发光。在本说明书中，将在基板上形成了有机EL元件的装置称为有 机EL装置。例如，在平板状的基板上形成着有机EL元件的有机EL装置可用于面状光源、 段式(segment)显示装置、点矩阵(dotmatrix)显示装置等。 若有机EL元件暴露于水蒸气或氧气中则会导致劣化。因此，例如于玻璃基板等的 基板上，依次层叠阳极、包含发光层的有机EL层及阴极而形成有机EL元件之后，利用由氮 化硅等形成的无机钝化膜以及在无机钝化膜的表面上的由树脂形成的树脂密封膜来包覆 整个有机EL元件，由此防止因有机EL元件与水蒸气接触而引起的劣化(例如，参照专利文 献1)。此处，无机钝化膜系利由等离子体化学气相沉积(Chemical V即orD印osition)法或 溅射法而形成。 专利文献1 :日本特开2000-223264号公报 然而，先前存在用以形成无机钝化膜的各种溅射法，但一般是使用成膜速度较快 的磁控溅射法(magnetron sputtering method)。如上所述，该磁控溅射法能以较高的成膜 速度(rate)来形成无机钝化膜，但存在无法形成对水蒸气或氧的阻隔(barrier)性较高的 被膜的问题。而且，先前的无机钝化膜的形成时所用的CVD法，虽能以较高的成膜速度来形 成无机钝化膜，并且与磁控溅射法相比可降低对发光层的损害(damage)，但仍存在无法形 成对水蒸气或氧的阻隔性较高的被膜的问题。即，在利用磁控溅射法或CVD法形成的无机 钝化膜中存在下述问题会产生针孔(pinhole)等的缺陷，从而导致外部的水蒸气或氧等 的气体经由该缺陷而侵入至有机EL元件内。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而研发的，其目的在于提供一种有机EL装置的制造方法， 其在形成包含对有机EL元件进行密封的无机物层的被膜时，可抑制对有机EL元件造成的 损害，并且可形成对水蒸气或氧的阻隔性较高的被膜。 为了达成上述目的，本专利技术提供采用下述构成的有机EL装置的制造方法。 —种，其中， 在所述有机电致发光装置中，将有机电致发光元件搭载于支撑基板上，上述有机 电致发光元件被上述支撑基板与至少包含第1无机物膜以及第2无机物膜的密封层所包围而与外界阻隔，该包括 利用离子束溅射法来形成上述第1无机物膜，以覆盖搭载于上述支撑基板上的有 机电致发光元件的露出面的工序；以及 在形成上述第1无机物膜之后，利用与离子束溅射法不同的成膜方法来形成覆盖 上述第1无机物膜的第2无机物膜的工序。如上述所述的，其中，上述与离子束溅射法不同的成膜方法是CVD法或磁控溅射法。 —种，其中， 在所述有机电致发光装置中，将有机电致发光元件搭载于支撑基板上，上述有机 电致发光元件被上述支撑基板与至少包含第1无机物膜以及第2无机物膜的密封层所包围 而与外界阻隔，该包括 利用离子束溅射法来形成上述第1无机物膜，以覆盖搭载于上述支撑基板上的有 机电致发光元件的露出面的工序；以及 在形成上述第1无机物膜之后，利用与上述离子束溅射法不同的成膜方法来再形 成第2无机物膜的工序，该第2无机物膜覆盖上述第1无机物膜且形成材料与上述第1无 机物膜相同。 如上述所述的，其中上述与离子束溅射法 不同的成膜方法是CVD法或磁控溅射法。 所谓的溅射法是薄膜形成方法的1种，其是指使原子或分子尺寸的微粒撞击靶材料(薄膜的材料)，使靶材料微粒放出至气相中，并使靶材料微粒堆积于规定的基板表面上 以作为薄膜的方法。有时将使原子或分子尺寸的微粒撞击靶材料而使靶材料微粒放出至气相中称为(狭义的)溅射。 所谓的离子束溅射法是溅射法的1种，其是指将离子束照射至靶材料而对靶材料 微粒进行溅射的方法。 所谓的磁控溅射法是溅射法的1种，其是指一边在靶材料附近施加磁场而引起磁 控放电， 一边进行溅射的方法。 所谓的CVD (Chemical V即or D印osition)法，其是薄膜形成方法的1种，是指将 包含薄膜的构成元素的原料气体供给至反应室内，施加热或等离子体等的能量而使化学反 应产生，并使反应生成物堆积于规定的基板表面以作为薄膜的方法。 根据本专利技术，可于有机EL元件上形成对水蒸气或氧等的气体的阻隔性较高的密 封层，并且可抑制在形成密封层时对有机EL元件造成的损害。其结果，具有可获得寿命较 长的有机EL装置的效果。附图说明 图1是表示本专利技术所适用的有机EL装置的构造的一例的局部剖面示意图。 图2-1是表示本专利技术的有机EL装置的制造方法的一例的局部剖面示意图(其1)。 图2-2是表示本专利技术的有机EL装置的制造方法的一例的局部剖面示意图(其2)。 图2-3是表示本专利技术的有机EL装置的制造方法的一例的局部剖面示意图(其3)。 图3是表示离子束溅射装置的构成的示意图。4 图4-1是表示密封层的构造的一例的局部剖面图。 图4-2是表示密封层的构造的一例的局部剖面图。 图4-3是表示密封层的构造的一例的局部剖面图。 图中10、1(^-支撑基板，20-有机￡1^元件，21-阳极，22-有机EL层，23-阴极， 30-密封层，31 35、33A、33B-密封膜，36A、36B、36C-无机物膜，37A、37B-有机物膜，38-最 上位有机物膜，100-离子束溅射装置，101-真空腔室，102-基板座，103-耙，104-离子源， 105-真空泵，111-离子束，112-溅射粒子。具体实施例方式以下，参照附图来对本专利技术的实施形态进一步详细说明。另外，为了易于理解，有 时附图中的各构件的比例尺(scale)与实际不同。而且，本专利技术并不限定于以下的记述，可 在不脱离本专利技术主旨的范围内作适当变更。在有机EL装置中，虽也存在电极的引线等的 构件，但由于在本专利技术的说明中并不直接需要，因而省略记载。为了便于说明层构造等，在 以下所示的例中，是与将基板配置于下方的图一起进行说明，但本专利技术的有机EL元件以及 搭载有该有机EL元件的有机EL装置未必需要配置成该上下左右的朝向而进行制造或使用 等，可适当地进行调整。 图1是本专利技术所适用的有机EL装置的构造的一例的剖面示意图。该有机EL装置 为顶部发光(top emission)型的有机EL装置，上述顶部发光型有机EL装置是自形成于支 撑基板10上的有机EL元件20的与支撑基板10相反的一侧放出光。图1所示的有机EL 装置具有下述构造在支撑基板10上，形成着依次层叠有阳极21、包含发光层的有机EL层 22及阴极23的有机EL元件20，并形成有密封层30，以覆盖形成于该支撑基板10上的整个 有机EL元件20。 此处，支撑基板10例如可使用玻璃基板或硅基板、塑料基板等各种基板。而且， 阳极21—般是使用功函数(work function)相对较大的(较佳的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光装置的制造方法，其中，在所述有机电致发光装置中，有机电致发光元件搭载于支撑基板上，且所述有机电致发光元件被所述支撑基板与至少包含第１无机物膜以及第２无机物膜的密封层所包围而与外界阻隔，所述有机电致发光装置的制造方法包括：利用离子束溅射法来形成所述第１无机物膜，以覆盖搭载于所述支撑基板上的有机电致发光元件的露出面的工序；以及在形成所述第１无机物膜之后，利用与离子束溅射法不同的成膜方法来形成覆盖所述第１无机物膜的第２无机物膜的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木诚，森岛进一，伊藤范人，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]