介质谐振器装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种容易满足谐振频率或外形尺寸、其他频率特性的限制条件的介质谐振器装置及其制造方法。介质谐振器（１）具备介质块（２）、内导体（４）和台阶面的电极非形成区（５Ａ）；介质块（２）的内导体形成孔（３）贯通其内部，外导体（６）配置在外面；内导体（４）被配置在内导体形成孔（３）的内面上；内导体形成孔（３）在其两端之间具有内周面不连续的台阶面；内导体（４）包含被配置在台阶面上的台阶面导体部（４Ｃ）；台阶面导体部（４Ｃ）经由内导体形成孔（３）的一端在介质块（２）外面露出来；台阶面的电极非形成区（５Ａ）与台阶面导体部（４Ｃ）一起被配置在内导体形成孔（３）的台阶面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，该介质谐振器装置在介质块的外表面形成外导体，在内导体形成孔内形成内导体，由此构成谐振器。
技术介绍
以往，把内导体和外导体形成在介质块上而构成的介质谐振器或介质滤波器、介 质双工器等已经普及(以下将它们统称为介质谐振器装置)。在介质谐振器装置中，为了实现预定的谐振频率或谐振器间耦合度同时使介质块 小型化，会采用不连续地形成内导体形成孔的内周面的结构(例如，参照专利文献1)。例 如，采用在内导体形成孔中由大径孔和小径孔构成的台阶结构，或者采用轴心错开的两个 孔构成的异轴结构等等。在这样形成内导体形成孔的内周面的情况下，就在内导体形成孔 中形成了略垂直于轴向的台阶面。在介质谐振器装置中，为了得到所期望的谐振频率，有时在制造工序中在外导体 上设置局部的电极非形成区，由此来进行谐振频率的调整(例如，参照专利文献2)。例如， 1/4波长谐振器就是通过去除谐振器的开路端附近的外导体来上调谐振频率，或者去除谐 振器的短路端附近的外导体来下调谐振频率。专利文献1 特开平10-065408号公报专利文献2 特开平05-145301号公报在介质谐振器装置中，除谐振频率的限制条件之外，还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介质谐振器装置，具备：包含被配置在贯通介质块内部的内导体形成孔的内表面的略垂直于轴向的台阶面上的台阶面导体部的内导体、被配置在所述介质块的外表面而与所述内导体一起构成谐振器的外导体、和与所述台阶面导体部一起被配置在所述台阶面上而从所述内导体形成孔的一端露出来的台阶面电极非形成区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚本秀树，中谷行宏，竹内知哉，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]