垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器制造技术

技术编号:5312453 阅读:241 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术为一种垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器,该液晶显示器包括:两个偏光片、两个等厚度负C膜、一个双轴膜、液晶盒;所述的液晶盒是垂面排列模式的液晶盒,包括:玻璃基板、ITO公共面电极、绝缘层、条状ITO像素电极、上下取向层、液晶材料、上层ITO面电极、球形树脂粉和边框胶,所述的条状ITO像素电极为:电极宽度W=1~6μm,电极间距G=1~20μm。本发明专利技术设计的液晶显示器相对于传统垂面排列IPS液晶显示器,关响应速度提高了10倍以上,达到了~0.18ms,并且实现了0.55ms的总响应时间,且工艺上简单易实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种垂面排列快速响应的液晶显示模式,具体为一种垂面排列快速 响应的FIS-VA-3T液晶显示器,
技术介绍
垂面排列IPS液晶显示器(IPS-VALCD),是利用下玻璃基板上的条状ITO电极 间的共面电场驱动液晶分子倾倒的液晶显示器。它具有快速响应和宽视角特性,可以广 泛地应用于台式机显示器,液晶电视等大屏液晶显示器。传统垂面排列IPS液晶显示器都是采用去掉条状ITO电极上的工作电压后,液晶 分子自由弛豫到初始状态的驱动模式,这样以来关响应时间较长( 3ms)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决传统垂面排列IPS液晶显示器的关响应速度慢问题,提供 一种垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器。采用新设计的FIS-3T电极结构,通 过在关响应过程给下层ITO面电极和条状电极加0.5ms的IOV电压脉冲,利用上ITO面 电极与下玻璃基板上的电极间的垂直电场使液晶分子迅速回到垂面排列的暗态,相同的 液晶材料和液晶盒厚,与传统垂面排列IPS液晶显示器相比,实现了关响应速度10倍以 上( 0.18ms)的提高,实现了 0.55ms总响应时间,对彩色时序显示的实现有深远意义, 同时保持了传统垂面排列IPS液晶显示器的宽视角特性。本专利技术的技术解决方案如下一种垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器(FIS_VA_3T LCD),其特征为 该液晶显示器包括两个偏光片(分为起偏器和检偏器)、两个等厚度负C膜、一个双 轴膜、液晶盒;其位置关系依次为起偏器、第一负C膜、液晶盒、第二负C膜、双轴 膜和检偏器,光线依次通过起偏器、第一负C膜、液晶盒、第二负C膜、双轴膜和检偏 器;所述的液晶盒是垂面排列模式的液晶盒,包括玻璃基板、氧化铟锡(ITO)公 共面电极、绝缘层、条状ITO像素电极、上下取向层、液晶材料、上层ITO面电极、球 形树脂粉和边框胶;自下而上其位置依次关系为下玻璃基板,ITO公共面电极、绝缘 层、条状ITO像素电极、下取向层、液晶材料和球形树脂粉间隔物、上取向层、上层ITO 面电极、上玻璃基板。上下玻璃基板用封边框胶贴合。所述的液晶盒中上玻璃基板内表面上的上层ITO面电极和下玻璃基板内表面上 的ITO公共面电极形状为面状电极,所述的条状ITO像素电极为电极宽度W=I 6μιη,电极间距G=I 20 μ m。所述的条状ITO像素电极在绝缘层上分布为“之”字状(zigzag);相邻的条状 ITO像素电极加电势相反的电压。所述的绝缘层为0.1 1 μ m厚的二氧化硅绝缘层;所述的液晶层的厚度d = 3 10 μ m。所述的液晶材料为正性液晶材料,具体(Merck公司生产的MLC-2043)参数 ε /7 = 18, ε 丄=4,η0 = 1.6794,ne = 1.4794,K11 = 10.87pN, K22 = 9.5pN, K33 = 15.37pN, Y1 = O.lPa · S。所述的液晶盒边界强锚定,上下两玻璃基板处液晶的预倾角度和方位角度都为 90° 和 0°。所述的两个等厚度负C膜,厚度都为32.5μιη,折射率参数为ne = 1.483,n0 =1.493。所述的双轴膜厚度为184μιη,折射率参数为ηχ = 1.511,ny = 1.5095,nz = 1.51025,方位角为-45°,模拟中所采用的两个偏光片都采用理想偏光片。所述的两玻璃基板依靠封边框胶粘结在一起,在液晶盒内放置与所需液晶层厚 度匹配的球形树脂粉来控制液晶层的厚。所述液晶盒上基板面电极的电势为零。本专利技术与现有技术相比有如下的有益效果;本专利技术设计的液晶显示器的特点是通过使用新设计的FIS-3T电极结构,在下 基板上有一层公共面电极,公共电极上有条状像素电极,公共电极和条状像素电极之间 用绝缘层二氧化硅或氮化硅隔开,在上基板内侧有面电极,构成的三层电极结构,可以 提高关响应速度。关响应过程,通过给下层ITO面电极和条状电极加0.5ms的IOV电压 脉冲,利用上层ITO面电极与下玻璃基板上的电极间的垂直电场使液晶分子迅速回到垂 面排列的暗态,实现了关响应速度的大幅提升,相同的液晶材料和液晶盒厚,相对于传 统垂面排列IPS液晶显示器,关响应速度提高了 10倍以上,达到了 0.18ms,并且实现 了 0.55ms的总响应时间,将会对彩色时序显示的实现产生深远影响,同时保持了传统垂 面排列IPS液晶显示器的宽视角特性,且工艺上简单易实现。附图说明图1是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器整体结构的剖面示意 图。图2是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器(b)和传统垂面排列 IPS液晶显示器(a)电极结构和亮态液晶分子分布的剖面示意图对比。图3是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器条状ITO像素电极做 成之字状(zigzag)的俯视图。图4是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器不同电极间距下的响 应时间对比,电极宽度W=Iym,电极间距σ=2μιη(点线);电极间距σ = 4μιη(虚 线);电极间距G = 6ym(实线)。图5是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器不同电极间距下透过 率与电压关系图对比,电极宽度W=Iym,电极间距G= 2μιη(点线);电极间距G = 4μιη(虚线);电极间距G = 6μιη(实线)。图6是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器和传统垂面排列IPS液晶显示器测试响应过程所加电压示意图。图7是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器(实线)和传统垂面排 列IPS液晶显示器(虚线)相同的电极尺寸电极宽度W=Iym,电极间距G = 4 μ m 响应时间对比。图8是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器(实线)和传统垂面排 列IPS液晶显示器(虚线)相同的电极尺寸电极宽度w=lym,电极间距G = 4 μ m 透过率与电压关系图对比。图9是本专利技术垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器(b)和传统垂面排列 IPS液晶显示器(a)相同的电极尺寸电极宽度w=lym,电极间距G = 4 μ m相同补 偿后的对比度视角图对比。具体实施例方式本专利技术制得的垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器整体结构的剖面示意 图如图1所示,自下而上其位置关系为起偏器1、第一负C膜2、下玻璃基板3,ITO 公共面电极4、绝缘层5、条状ITO像素电极6和7、下取向层8、液晶材料10和球形树 脂粉间隔物9、上取向层11、上层ITO面电极12、上玻璃基板13、第二负C膜14、双轴 膜15、检偏器16。 其中条状ITO像素电极6和条状ITO像素电极7为位置相邻、完全相同的电极, 所加电势相反的电压; 其中,起偏器和检偏器均为理想偏振片,起偏器的方位角为-45°,第一负C膜 折射率参数为ne = 1.483,n。= 1.493,厚度是32.5 μ m,绝缘层厚度为0.3 μ m,条状 ITO像素电极6和条状ITO像素电极7均为电极宽度w=lym,电极间距G = 4 μ m, 上下取向层使边界处的液晶分子边界强锚定,上下取向层附近液晶的预倾角度90°,方 位角度为0°,所述的上下玻璃基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂面排列快速响应的FIS-VA-3T液晶显示器,其特征为该液晶显示器包括:两个偏光片(分为起偏器和检偏器)、两个等厚度负C膜、一个双轴膜、液晶盒;其位置关系依次为:起偏器、第一负C膜、液晶盒、第二负C膜、双轴膜和检偏器,光线依次通过起偏器、第一负C膜、液晶盒、第二负C膜、双轴膜和检偏器;所述的液晶盒是垂面排列模式的液晶盒,包括:玻璃基板、氧化铟锡(ITO)公共面电极、绝缘层、条状ITO像素电极、上下取向层、液晶材料、上层ITO面电极、球形树脂粉和边框胶;自下而上其位置依次关系为:下玻璃基板,ITO公共面电极、绝缘层、条状ITO像素电极、下取向层、液晶材料和球形树脂粉间隔物、上取向层、上层ITO面电极、上玻璃基板。上下玻璃基板用封边框胶贴合;所述的液晶盒中上玻璃基板内表面上的上层ITO面电极和下玻璃基板内表面上的ITO公共面电极形状为面状电极;所述的条状ITO像素电极为:电极宽度W=1~6μm,电极间距G=1~20μm,相邻的条状ITO像素电极加电势相反的电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨国强孙玉宝
申请(专利权)人:河北工业大学
类型:发明
国别省市:12

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1