本发明专利技术提供一种液晶显示装置。在本发明专利技术的液晶显示装置（１００Ａ）中，在像素电极（１２１），与配线的一部分对应地设置有切口部（１２２ａ２）。当将从观察者一侧看时，在所述液晶层（１８０）中的、第一取向膜（１３０）的取向区域与第二取向膜（１７０）的取向区域重叠的区域，液晶层（１８０）的厚度方向上的大致中央的液晶分子（１８２）的方位角成分称为基准取向方位时，在施加电压时，通过由对置电极（１６０）和像素电极（１２１）的切口部（１２２ａ２）形成的倾斜电场，液晶层（１８０）中的、与像素电极（１２１）的切口部（１２２ａ２）的至少一部分对应的区域的液晶分子（１８２）的方位角成分，与基准取向方位以９０°以下的角度交叉。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置具有薄型、低消耗电力的特征，在各种领域被广泛使用。特别是 按每个像素设置有开关元件(例如薄膜晶体管)的有源矩阵型液晶显示装置，因为具有高 的对比度和良好的响应特性、性能高，所以被用于电视机、监视器、笔记本电脑，近年 来，其市场规模正在扩大。有源矩阵型液晶显示装置包括形成有多个开关元件的有源矩阵基板和与有源矩 阵基板相对的对置基板，通过控制夹持于它们之间的液晶层的光透过率来进行显示。有 源矩阵基板通过反复进行在绝缘基板上沉积半导体膜、绝缘膜、导电膜的工序和对这些 膜进行图案形成的工序被制作，但是在实际的有源矩阵基板存在供给信号的配线发生断 线、在本来应该绝缘的两个导电部件之间发生漏电等情况。在使用这样的有源矩阵基板 制造的液晶显示装置中，不能施加正常的电压，产生点缺陷、线缺陷等缺陷，其结果是 成品率下降。因此，已知有修正液晶显示装置的缺陷、提高成品率的方式(例如，参照 专利文献1和2)。参照图40，对专利文献1中公开的液晶显示装置800的缺陷修正方法进行说明。 图40表示液晶显示装置800的一个像素。沿χ方向延伸有扫描配线G和辅助电容配线CS，沿y方向延伸有信号配线S。 在像素设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor TFT)，TFT的栅极电极从在χ方向上延 伸的扫描配线G向y方向延伸，TFT的源极电极从在y方向上延伸的信号配线S向χ方 向延伸。此外，TFT的漏极电极通过漏极引出配线827与像素电极821连接。此外，辅 助电容电极825与辅助电容配线CS重叠，辅助电容电极825经接触孔与像素电极821连 接，辅助电容电极825与辅助电容配线CS重叠的部分形成辅助电容。在液晶显示装置 800设置有辅助电容电极825与信号配线S重叠的接触配线828。在专利文献1公开有在栅极电极与漏极电极之间发生漏电的情况下、以及在辅 助电容配线CS与辅助电容电极825之间发生漏电时的缺陷修正方法。当发生这样的漏电 时，会产生黑点、亮点。根据专利文献1的缺陷修正方法，在栅极电极与漏极电极之间 发生漏电的情况下，以激光束照射切断漏极引出配线827。在图40中以虚线表示此时的 切断部分。此外，在辅助电容配线CS与辅助电容电极825之间发生漏电的情况下，以 激光束照射切断辅助电容电极825中未被像素电极821覆盖的部分。在图40中以虚线表 示此时的切断部分。进一步，对辅助电容电极825与接触配线828的交叉部分和信号配 线S与接触配线828的交叉部分照射激光束进行电连接。由此，能够对像素电极821经 常施加源极信号电压。例如在周围的多个像素呈近似的颜色的情况下，该像素看起来与 正常的其它像素相同。如上所示进行漏电发生时的缺陷修正。此外，在专利文献2公开有修正由于断线而产生的缺陷的方式。以下参照图41对专利文献2中公开的液晶显示装置900的缺陷修正方法进行说明。在液晶显示装 置900，在信号配线S断线、产生线缺陷的情况下，在断线的信号配线S的两端形成接触 孔928、929后，填充接触孔928、929并且隔着绝缘膜在信号配线S的上方形成导电膜 930。由此，断线的信号配线S被电连接，线缺陷被修正。通过以上那样的缺陷修正， 改善液晶显示装置的成品率。因为历来经常使用的TN(Twisted Nematic 扭转向列)模式的液晶显示装置的视 角比较狭窄，所以近年来制作有IPS (In-PlaneSwitChing 面内开关)模式和VA(VerticalAlignment:垂直取向)模式等广视角的液晶显示装置。在这样的广视角模式中，VA模 式因为能够实现高对比度，所以在很多的液晶显示装置中被采用。在VA模式的液晶显示装置中，作为在一个像素区域形成多个液晶畴的取向分割 结构，MVA模式经常被采用，以实现视角特性的改善。MVA模式液晶显示装置包括设 置于夹着垂直取向型液晶层相对的一对基板中的至少一方的液晶层侧的取向限制结构， 由此，形成取向方向不同的多个液晶畴(典型的为四个液晶畴)。作为取向限制结构，使 用设置于电极的线形狭缝(开口部)或肋(突起结构)，从液晶层的一侧或两侧施加取向 限制力。与通过取向膜限定液晶分子的预倾方向的TN模式液晶显示装置不同，在MVA 模式液晶显示装置中，因为通过线形的狭缝、肋对液晶分子施加取向限制力，所以对于 显示区域内的液晶分子的取向限制力根据来自狭缝、肋的距离而不同，从而在像素内的 液晶分子的响应速度方面产生差距。此外，在MVA模式液晶显示装置中，因为设置有狭 缝、肋的区域的光的透过率低，所以难以实现高亮度。为了避免上述问题，对VA模式液晶显示装置也在探讨采用使用限定预倾方位的 取向膜的取向分割结构(例如，参照专利文献3和专利文献4)。专利文献3和专利文献 4所公开的液晶显示装置包括夹着液晶层相对的第一取向膜和第二取向膜，第一取向膜和 第二取向膜各自具有限定液晶分子的两个不同的预倾方位的两个取向区域。在液晶层， 根据第一取向膜的两个取向区域与第二取向膜的两个取向区域的组合，形成有四个液晶 畴，由此实现广视角。但是，在具备限定预倾方向的取向膜的VA模式液晶显示装置中，会发生特有的 取向紊乱，存在与在正面观察时应该显示的中间灰度相比亮度低的区域，产生暗线(例 如参照专利文献5)。该暗线不仅在与相邻的液晶畴的边界相当的像素电极的中央部，而 且在像素电极的边缘的至少一部分产生。在专利文献5所公开的液晶显示装置中，在与液晶畴相对应的像素电极的边 缘，当存在与边缘正交、且朝向像素电极的内侧的方位角成分与液晶畴的基准取向方位 形成超过90°的角的边缘部时，在与像素电极的边缘部相比更内侧与边缘部大致平行地 产生暗线。在本说明书中，将该暗线也称为畴线。畴线与取向膜的取向处理方向相应地 在不同的位置产生。产生这样的畴线的理由被认为是基于在液晶畴的基准取向方向和 像素电极的边缘部生成的倾斜电场的取向限制力的方向具有彼此相对的成分，在该部分 液晶分子的取向发生紊乱。像素电极的中央部的暗线是由于在液晶畴的边界区域液晶分 子的取向方向不同而不透过光，所以产生的。像素电极的中央部的暗线也称为向错线。专利文献5的液晶显示装置包括对产生暗线的区域进行遮光的遮光部件。在边缘部产生的畴线根据视角发生变动，能够看见，因此如果不对该边缘部进行遮光，则会 发生灰度等级反转。因此，通过对边缘部进行遮光来抑制视角特性的下降。此外，在与 像素电极的中央重叠的方式设置辅助电容配线等情况下，利用它对像素电极的周边进行遮光，抑制开口率的下降。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2003-29280号公报专利文献2 日本特开2002-182246号公报专利文献3 日本特开平11-133429号公报专利文献4 日本特开平11-352486号公报专利文献5 国际公开第2006/132369号小册子
技术实现思路
本申请的专利技术者发现在专利文献3 5中公开的液晶显示装置中，如果以能够容 易地进行缺陷修正的方式构成，则存在光透过率大幅下降的情况。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种使缺陷修正变得容易并 抑制了光透过率的下降的液晶显示装置。本专利技术的液晶显示装置包括具有多个配线、像素电极和本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置，其特征在于，包括： 具有多个配线、像素电极和第一取向膜的有源矩阵基板； 具有对置电极和第二取向膜的对置基板；和 设置在所述有源矩阵基板与所述对置基板之间的垂直取向型的液晶层， 所述第一取向膜至少在一部分具有将所述液晶层的液晶分子限定为第一预倾方位的取向区域， 所述第二取向膜至少在一部分具有将所述液晶层的液晶分子限定为与所述第一预倾方位不同的预倾方位的取向区域， 在所述像素电极，与所述多个配线中的至少一个配线的一部分对应地设置有至少一个切口部或开口部， 当将从观察者一侧看时，在所述液晶层中的、所述第一取向膜的所述取向区域与所述第二取向膜的所述取向区域重叠的区域，所述液晶层的厚度方向上的大致中央的液晶分子从所述有源矩阵基板侧朝向所述对置基板侧的取向方向的方位角成分称为基准取向方位时，在施加电压时，通过由所述对置电极和所述像素电极的所述至少一个切口部或所述开口部形成的倾斜电场，所述液晶层中的、与所述像素电极的所述至少一个切口部或所述开口部的至少一部分对应的区域的液晶分子的从所述有源矩阵基板侧朝向所述对置基板侧的取向方向的方位角成分，与所述基准取向方位以９０°以下的角度交叉。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：平户伸一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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