一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池制造技术

一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池，它包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；透明导电膜上沿其长度方向开有第一凹槽；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上，功能膜上沿其长度方向开有第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽同向的旁侧处；背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向开有第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽同向的旁侧处；背电极膜、功能膜、透明导电膜上在三者长度方向的两侧处各开有一道垂直于第三凹槽、第二凹槽、第一凹槽的阶梯凹槽，阶梯凹槽由上下连通的第四凹槽和第五凹槽构成，第四凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜，第五凹槽的深度使得其槽底处于透明导电膜内，第四凹槽的宽度大于第五凹槽的宽度。本电池具有次品率低、电输出功率高的优点。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电池，特别是涉及一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电 池。
技术介绍
现有的一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池的结构为它包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜(包括硅膜等)、背电极膜的长方形 衬底玻璃板；透明导电膜上沿其长度方向开有若干第一凹槽(一般采用激光刻划)，第一凹 槽的深度使得其槽底到达衬底玻璃板，从而将透明导电膜分成若干相互绝缘的单元格；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上(一般采用等离子体增强化学气 相沉积法沉积功能膜，功能膜的厚度一般为1000 10000埃)，功能膜上沿其长度方向开有 若干第二凹槽(一般采用激光刻划)，第二凹槽位于第一凹槽同向的旁侧处，第二凹槽的深 度使得其槽底到达透明导电膜(第二凹槽的目的是去除相应的功能膜)；背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上(一般采用磁控溅射的方法沉积背 电极膜，这样，背电极膜通过第二凹槽与透明导电膜相连，背电极膜的厚度一般为500 5000埃)，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向开有若干第三凹槽(一般采用激光刻划)， 第三凹槽位于第二凹槽同向的旁侧处，第三凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜(但第 三凹槽不能刻断或损伤透明导电膜)，以致本电池中形成若干内部依次串联的电池单元；背电极膜、功能膜、透明导电膜上在三者长度方向的两端处各开有一道垂直于第 三凹槽、第二凹槽、第一凹槽的豁边，豁边的深度使得其到达衬底玻璃板。豁边可起到绝缘处理的作用，一般是采用喷砂机喷砂清理后得到(俗称清边)。由 于是在背电极膜、功能膜、透明导电膜的长度方向两端处进行清边，使得豁边的精度只能控 制在毫米范围内、很不规则，常会出现清边超过的现象，并造成一个或多个电池单元损坏， 从而使太阳能电池的次品率上升、电输出功率降低，严重时导致太阳能电池无法使用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种次品率低、电输出功率高的一种经过优 化绝缘处理的薄膜太阳能电池。为解决上述技术问题，本技术提供了一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电 池，包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；透明导电膜上沿其长度方向开有若干第一凹槽，第一凹槽的深度使得其槽底到达 衬底玻璃板，从而将透明导电膜分成若干相互绝缘的单元格；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上，功能膜上沿其长度方向开有若干 第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽同向的旁侧处，第二凹槽的深度使得其槽底到达透明导 电膜；背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向开有若干第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽同向的旁侧处，第三凹槽的深度使得其槽 底到达透明导电膜，以致本电池中形成若干内部依次串联的电池单元；背电极膜、功能膜、透明导电膜上在三者长度方向的两侧处各开有一道垂直于第 三凹槽、第二凹槽、第一凹槽的阶梯凹槽，阶梯凹槽由上下连通的第四凹槽和第五凹槽构 成，第四凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜，第五凹槽的深度使得其槽底处于透明导 电膜内，第四凹槽的宽度大于第五凹槽的宽度。为能简洁说明问题起见，以下对本技术所述一种经过优化绝缘处理的薄膜太 阳能电池均简称为本电池。阶梯凹槽距背电极膜、功能膜、透明导电膜的长度方向两端各有一定距离，其精度 能控制在纳米范围内、较为规则，与现有技术相比，精度提高了三个档次，难以造成电池单 元损坏，从而使太阳能电池的次品率有效降低、电输出功率有效上升。故本电池具有次品率 低、电输出功率高的优点。附图说明图1是本技术自上而下看的立体图。具体实施方式下面将结合附图对本技术的实施方式进行具体描述参见图1 本电池包括自下而上依次设有透明导电膜1、功能膜2、背电极膜3的长 方形衬底玻璃板4 ；透明导电膜1上沿其长度方向开有五个等宽的第一凹槽11，第一凹槽11的深度使 得其槽底到达衬底玻璃板4，从而将透明导电膜1分成六个相互绝缘的单元格；功能膜2将第一凹槽11填满后沉积在透明导电膜1上，功能膜2上沿其长度方向 开有四个等宽的第二凹槽21，第二凹槽21位于第一凹槽11同向的旁侧处，第二凹槽21的 深度使得其槽底到达透明导电膜1 ；背电极膜3将第二凹槽21填满后沉积在功能膜2上，背电极膜3、功能膜2上沿两 者的长度方向开有四个等宽的第三凹槽31，第三凹槽31位于第二凹槽21同向的旁侧处，第 三凹槽31的深度使得其槽底到达透明导电膜1，以致本电池中形成五个内部依次串联的电 池单元；背电极膜3、功能膜2、透明导电膜1上在三者长度方向的两侧处各开有一道垂直 于第三凹槽31、第二凹槽21、第一凹槽11的阶梯凹槽5，阶梯凹槽5由上下连通的第四凹槽 51和第五凹槽52构成，第四凹槽51的深度使得其槽底到达透明导电膜1，第五凹槽52的 深度使得其槽底处于透明导电膜1内，第四凹槽51的宽度大于第五凹槽52的宽度。需要说明的是，本电池还包括层叠布置在背电极膜3上的层压玻璃板，但，为能简 洁说明问题起见，附图中未示出所述的层压玻璃板。阶梯凹槽5可采用激光刻划。另，当太阳能电池出现清边超过现象、并造成一个或多个电池单元损坏时，仍可在 背电极膜、功能膜、透明导电膜长度方向的两侧处各开有一道垂直于第三凹槽、第二凹槽、 第一凹槽的阶梯凹槽，阶梯凹槽由上下连通的第四凹槽和第五凹槽构成，第四凹槽的深度 使得其槽底到达透明导电膜，第五凹槽的深度使得其槽底处于透明导电膜内，第四凹槽的宽度大于第五凹槽的宽度，这样，可对次品太阳能电池进行补救式修理，使得电池单元格相 互之间不会短路、绝大部分面积能够正常工作，以实现次品太阳能电池的合理利用。权利要求1. 一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池，包括自下而上依次设有透明导电膜、功 能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；透明导电膜上沿其长度方向开有若干第一凹槽，第一凹槽的深度使得其槽底到达衬底 玻璃板，从而将透明导电膜分成若干相互绝缘的单元格；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上，功能膜上沿其长度方向开有若干第 二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽同向的旁侧处，第二凹槽的深度使得其槽底到达透明导电 膜；背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向 开有若干第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽同向的旁侧处，第三凹槽的深度使得其槽底到 达透明导电膜，以致本电池中形成若干内部依次串联的电池单元； 其特征在于背电极膜、功能膜、透明导电膜上在三者长度方向的两侧处各开有一道垂直于第三凹 槽、第二凹槽、第一凹槽的阶梯凹槽，阶梯凹槽由上下连通的第四凹槽和第五凹槽构成，第 四凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜，第五凹槽的深度使得其槽底处于透明导电膜 内，第四凹槽的宽度大于第五凹槽的宽度。专利摘要一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池，它包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；透明导电膜上沿其长度方向开有第一凹槽；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上，功能膜上沿其长度方向开有第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽同向的旁侧处；背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向开有第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽同向的旁侧处；背电极膜、功能膜、透明导电膜上在三者长度方向的两侧处各开有一道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池，包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；　　透明导电膜上沿其长度方向开有若干第一凹槽，第一凹槽的深度使得其槽底到达衬底玻璃板，从而将透明导电膜分成若干相互绝缘的单元格；　　功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上，功能膜上沿其长度方向开有若干第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽同向的旁侧处，第二凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜；　　背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向开有若干第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽同向的旁侧处，第三凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜，以致本电池中形成若干内部依次串联的电池单元；　　其特征在于：　　背电极膜、功能膜、透明导电膜上在三者长度方向的两侧处各开有一道垂直于第三凹槽、第二凹槽、第一凹槽的阶梯凹槽，阶梯凹槽由上下连通的第四凹槽和第五凹槽构成，第四凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜，第五凹槽的深度使得其槽底处于透明导电膜内，第四凹槽的宽度大于第五凹槽的宽度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈良范，罗毅，李晨，沈峰，
申请(专利权)人：普乐新能源蚌埠有限公司，
类型：实用新型
国别省市：34[中国|安徽]