【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化合物半导体薄膜的制备方法，特别是。
技术介绍
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池由于具有光吸收效率高、禁带宽度可调、抗辐射 能力强、电池性能稳定、转换效率高且制造成本低而被视为最有前景的光伏电池器件。目前 制备这种薄膜的方法有多种，其中目前使用较多的制备方法为多源热蒸发法或先用溅射法 制备铜铟镓(CIG)薄膜，然后再用硒化炉进行硒化得到CIGS薄膜，热蒸发法成膜质量不佳， 后硒化法工艺路线复杂。
技术实现思路
本专利技术目的是提供，该制备方法的路线短、容易操 作且成膜质量好。本专利技术的技术方案是，，包括基片准备，预 溅射，清除基片表面杂质，基片旋转速率，溅射气压，溅射功率，基片温度，后退火处理，其特 征在于铜、铟、镓和硒共溅射沉积，射频溅射的靶基距离为4-8cm，基片温度为240-300°C， 溅射功率为10-60W，在氩气保护环境下于540-600°C退火1_2小时。本专利技术与现有技术比 较具有工艺路线短和操作简单及成膜质量好的显著优点。具体实施例方式本专利技术对溅射工艺中的靶基距离、基片温度和溅射功率进行优化后，可在基片上一次 将铜、铟、镓和沉积成薄膜。本专利技术有以下实施例 实施例1、基片的准备，基片为准备的载玻片，将切割好的基片先放入丙酮超声清洗二十分钟，然 后再用酒精超声清洗二十分钟，最后用去离子水超声清洗十分钟，取出用氮气吹干，把该准 备好的基片装在基片托上。抽真空，通过磁力传送杆将基片托装在可旋转的样品架上，利用机械泵和分子泵 二级抽气系统对溅射腔室抽真空，使溅射的真空度达到10_6pa以上。沉积CIGS薄膜，通过质量流...
【技术保护点】
一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，包括基片准备，预溅射，清除基片表面杂质，基片旋转速率，溅射气压，溅射功率，基片温度，后退火处理，其特征在于：铜、铟、镓和硒共溅射沉积，射频溅射的靶基距离为４－８ｃｍ，基片温度为２４０－３００℃，溅射功率为１０－６０Ｗ，在氩气保护环境下于５４０－６００℃退火１－２小时。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王天兴，杨海刚，宋桂林，夏存军，李超，李苗苗，常方高，
申请(专利权)人：河南师范大学，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]
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