曝光装置及曝光方法制造方法及图纸

提供一种构造简单的，能够高精度地使掩模图案在基板表面上曝光的曝光装置及曝光方法。具有支撑形成有掩模图案的掩模（４）的掩模支撑部（５）、支撑成为曝光对象的基板（２）的基板支撑部（３）、使所述掩模（４）的下表面和所述基板（２）的上表面之间形成密闭空间（７）的密封构件（６）、以及向所述密闭空间（７）供给气体或从所述密闭空间（７）排出气体的给排部（８）。调整掩模支撑部（５）和／或基板支撑部（３）的温度的同时，通过从光源（９）照射的光使掩模图案在基板（２）的表面上曝光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使掩模的掩模图案在基板表面上曝光的。特别是 涉及能够矫正掩模的弯曲并在基板上正确曝光掩模图案的。
技术介绍
半导体元件、液晶画面或在一片基板上搭载了各种电子元件而做成一个电子元件 模块的多芯片模块等需要微米尺寸加工的各种电子元件的制造中，存在使布线图曝光在基 板表面上的曝光工序。在曝光工序中，经常使用在掩模和基板之间设置间隙的状态下照射 平行光的方法。由于掩模与基板为非接触状态，因此具有掩模不易污染，寿命长的优点。但是，由于掩模与基板之间设置了间隙，因此将掩模安装到掩模支撑部时，由于自 重作用掩模会向下弯曲。特别是近来，降低成本的要求强烈，在晶片尺寸大型化的趋势下， 由于自重作用而产生的弯曲度也变大，难以提高掩模图案在基板上的曝光精度。为解决上述问题，专利文献1中公开了向支撑掩模的掩模支撑部和装载基板的基 板工作台之间供给气体，并能够以气体的供给压力矫正掩模的弯曲的曝光装置。另外，也公 开了通过在掩模支撑部和基板工作台之间设置用以形成密闭空间的密封装置，从而更容易 地矫正掩模的弯曲的曝光装置。而且，专利文献2公开了具备在透明玻璃与玻璃掩模之间形成气密空间的掩模 架，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光装置，通过从光源照射的光使所述掩模图案在基板表面上曝光，其具有：支撑形成有掩模图案的掩模的掩模支撑部、支撑成为曝光对象的基板的基板支撑部、使所述掩模的下表面和所述基板的上表面之间形成密闭空间的密封构件、以及向所述密闭空间供给气体或从所述密闭空间排出气体的给排部；其中，还具备调整所述掩模支撑部和／或所述基板支撑部的温度的温度调整部。

【技术特征摘要】
JP 2009-10-19 2009-2406451.一种曝光装置，通过从光源照射的光使所述掩模图案在基板表面上曝光，其具有 支撑形成有掩模图案的掩模的掩模支撑部、支撑成为曝光对象的基板的基板支撑部、使所 述掩模的下表面和所述基板的上表面之间形成密闭空间的密封构件、以及向所述密闭空间 供给气体或从所述密闭空间排出气体的给排部；其中，还具备调整所述掩模支撑部和/或所述基板支撑部的温度的温度调整部。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，在所述掩模支撑部的内部和/或所述 基板支撑部的内部设置气体的流道，所述温度调整部调整向所述掩模支撑部的流道和/或 所述基板支撑部的流道供给的气体流量。3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，具备检测所述掩模支撑部及所述基 板支撑部的温度的温度检测部，所述温度调整部根据所述温度检测部检测出的所述掩模支 撑部及所述基板支撑部的温度，调整向所述掩模支撑部的流道和/或所述基板支撑部的流 道供给的气体流量。4.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述温度调整部调整向所述密闭空 间供给的气体流量。5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，具备检测所述掩模支撑部及所述基 板支撑部的温度的温度检测部，所述温度调整部根据所述温度检测部检测出的所述掩模支 撑部及所述基板支撑部的温度，调整从所述给排部向所述密闭空间供给的气体流量。6.根据权利要求1 5任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述密封构件是通过向其 内部供给气体而膨胀的膨胀密封，配置在俯视所述曝光装置时包围住所述掩模的位置上。7.根据权利要求1 5任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述给排部配置在所述基 板支撑部的周边部的、比所述密封构件更靠近所述基板侧处。8.根据权利要求1 5任一项所述的曝光装置，其特征在于，具备预先记忆位于所述掩 模的大概中央部位的所述掩模的下表面和所述基板的上表面之间的距离、与从所述给排部 向所述密闭空间供给的气体压...

【专利技术属性】
技术研发人员：山根茂树，松冈尚弥，渡边智也，荒井启，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]