【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及绿色能源的太阳能电池
，特别是涉及具有发光转换层的多晶 硅太阳能电池。
技术介绍
硅制太阳能电池可分成三类单晶硅、多晶硅、及非晶硅。对于单晶硅与多晶硅，太 阳能电池中可移动的带电载体包括电子和电洞，但两者在硅芯片中电子和电洞数量不同 单晶硅具有高度的晶格规律性，晶格缺陷和杂质极少，使得电子的跃迁迁移性非常高；多晶 硅属于不均勻而多相的，通常在单独的电子模块增长之间具有较大的数值边界划分，使得 多晶硅中带电载体的可移动性较单晶硅可能要小10倍。单晶硅太阳能电池的效率极限为η = 24%，而多晶硅通常所能测得的效率极限 是η = 12-13%;而由成本的考虑上，多晶硅的材料成本通常比单晶硅便宜2. 8-3. 5倍，其 功率成本也相差2. 2-3. 5倍。本专利技术的主要目标，即为以多晶硅太阳能电池使太阳光能源 的取得成本更低。太阳辐射光谱与硅材料本身的光谱灵敏度存在着显著的差异，此为重要而应考虑 的另一因素。在图1的太阳光谱图中，最大辐射位于波长470nm处，整个辐射光谱由远红外 区域(> IOOOnm)延伸到紫外光区域(地球大气吸收太阳光...
【技术保护点】
一种用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，包括：硅粉；以稀土族氧卤化物为基质的荧光粉，荧光粉的激发原子选自Ｙｂ、Ｅｒ、Ｈｏ；及均匀掺填有该硅粉及该荧光粉的聚合物。
【技术特征摘要】
1. 一种用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，包括娃粉；以稀土族氧卤化物为基质的荧光粉，荧光粉的激发原子选自％、Er、Ho ；及均勻掺填有该硅粉及该荧光粉的聚合物。2.根据权利要求1所述的用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，其中该硅粉的粒径为 IOnm 至 50nmo3.根据权利要求1所述的用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，其中该硅粉受太阳光 短波辐射的激发，而发出波长范围为6 IOnm至SOOnm的光。4.根据权利要求1所述的用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，其中该稀土族氧卤化 物为LaOF或YOCl。5.根据权利要求1所述的用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，其中该荧光粉的粒径 为 50nm 至 200nm。6.根据权利要求1所述的用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，其中该荧光粉受波长 范围950nm至IlOOnm的红外光辐射的激发，而发出波长范围为6IOnm至680nm的红色可见光。7.根据权利要求1所述的用于多晶硅太阳能电池的发光转换层，其中该聚合物是以硅 氧烷树脂及环氧树脂所...
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