一种上转换太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了一种上转换太阳能电池，涉及太阳能电池。上转换硅太阳能电池它是直接在硅太阳能电池（２）的背光面，用旋涂或丝网印刷的方法，用纳米上转换发光材料制备的纳米上转换发光层（３）；太阳光（１）从硅太阳能电池（２）的正面入射。所述的纳米上转换发光层（３）的材料为铒离子掺杂的二氧化硅－氟化镧纳米晶玻璃陶瓷，或者是铒离子、镱离子共同掺杂的二氧化硅－氟化镧纳米晶玻璃陶瓷，或者是铒离子掺杂的硫化锌。纳米发光层的厚度为０．５～２微米。该上转换硅太阳能电池把硅太阳能电池不能有效吸收的低能量光子转换成硅太阳能电池可以响应的高能量光子，扩展太阳能电池的光谱响应范围，提高单位面积的太阳光使用效率，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池，属于能源

技术介绍
目前限制太阳能电池效率提高的主要原因是太阳能电池不能将全部的太阳光转化为电流。对于硅电池来说，对太阳光的利用率约为55%，只有波长小于 Uum的光才具有足够的能量产生电子-空穴对，因此充分利用太阳光光谱是提 高太阳能电池效率的有效途径。对于硅电池来说，对太阳光的利用率约为55%，为提高禾U用率日本Kaneka公司的Yoshihiro Hamakawa and Hideyuki Takakura, Key issues for the efficiency improvemenr of silicon basis stacked solar cells, 2000IEEE, 766-771. 上所公开的太阳电池在91cmX45cm的面积上取得了 13.5%的效率。美国united solar公司的Jeffrey Yang,Arindam Banerjee, Recent progress in amorphous silicon alloy leading to 13% stable cell efficiency, Un本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上转换太阳能电池，其特征是：　直接在硅太阳能电池（２）的背光面，用旋涂或丝网印刷的方法，用纳米上转换发光材料制备纳米上转换发光层（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵谡玲，徐征，张福俊，徐叙瑢，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]