一种突波吸收装置制造方法及图纸

技术编号:5158117 阅读:204 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种突波吸收装置,包括多个退耦单元,所述多个退耦单元的一端连接在一起,另一端分别与待保护设备的输入端连接;所述退耦单元可以为压敏电阻、安规电容或压敏电阻和安规电容的串/并联;当所述待保护设备按三相四线制工作时,所述待保护设备的输入端包括三相动力线接入端和保护地接入端;当所述待保护设备按单相三线制工作时,所述待保护设备的输入端包括单相动力线接入端、中性线接入端及保护地接入端。本发明专利技术提高了突波吸收效率,简化了生产工艺,降低了维修费用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路
,具体涉及一种突波吸收装置
技术介绍
在电子电路设计中的突波,顾名思义,就是“突如其来的电波”,它和“电流脉冲”、 “电压脉冲”所表达的是相同的现象。从示波器上来看,在稳定的电流或电压波形中,如果看 到特别突出的异样波形或噪声,而且比正常的波幅要大上好几倍甚至数十数百倍的波形, 便可以将它判定为突波。一般来说,产生突波的主要原因有两种一种是由打雷闪电所产生 的雷突波,另一种是由电路开闭所造成的开关冲击突波。雷突波是由自然界所产生的,因此 如果电路必须在容易产生打雷的地区使用时,那么加入适当的突波吸收保护是绝对有必要 的;开关冲击突波是电路开关的瞬间所产生的突波,当突波产生的时候,如果电路中并没有 所谓的“突波保护”,那么电路便容易因开关冲击突波而产生误动作,严重的可能会导致电 路因突波冲击而损坏,或因突波的干扰而使电子设备的寿命减短,因此在电路设计上,必须 尽量避免突波的产生,如果不能避免,则必须加入吸收突波的装置。容易产生突波的电子设 备,以大容量控制电器开闭的为主,其中包含接触器、负荷开关、螺管线圈、保险丝等,而含 有整流体的开关控制设备,或是用半导体所作的交换式稳压器,只要有关于开关控制的多 数元件都是突波的产生源。现代自动化控制设备不断朝着集成化、模块化、小型化、低成本化趋势发展,这就 需要不断完善其现有的内部硬件结构设计,使PCB(PrintedCirCuitB0ard,印制电路板)布 局、布线更加合理,从而能够更好的适应大规模集中自动化控制,同时能够有效节约成本、 减少故障率,提升自动化控制设备的整体性能。而传统自动化控制设备输入端的突波吸收 装置都由多只安规电容及压敏电阻等构成。由于所使用的器件数量众多,使得PCB板的尺 寸加大、布局凌乱、突波吸收效率低下、系统的离散性大幅度提高,最终导致系统的可靠性 大幅降低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种突波吸收装置,以克服现有技术中突波吸收 效率低下,生产工艺复杂,维修费用昂贵的缺陷。为达到上述目的,本专利技术的技术方案提供一种突波吸收装置,包括多个退耦单元, 所述多个退耦单元的一端连接在一起,另一端分别与待保护设备的输入端连接。进一步,所述退耦单元为压敏电阻;进一步,所述退耦单元为安规电容;进一步,所述退耦单元为由一个压敏电阻和一个安规电容串/并联构成的电路;进一步,在220V交流供电系统采用的压敏电阻的压敏电压为交流210V和交流 300V,通流容量为微秒级浪涌信号;在380V交流供电电系统采用的压敏电阻的压敏电压为 交流300V和交流385V,通流容量为微秒级浪涌信号。进一步,所述安规电容的电容量为IOnF和IOOnF,额定电压为交流250V和交流 275V ;进一步,所述待保护设备的输入端包括三相动力线接入端和保护地接入端;进一步,所述待保护设备的输入端包括单相动力线接入端、中性线接入端及保护 地接入端。与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果1、通过有效利用立体空间结构,减小了 PCB板的面积尺寸,而且使PCB布局更加美 观整洁,实现了小型化低成本的产品设计,有效提高了整机的电磁兼容性能;2、以往由于雷击等原因导致压敏电阻瞬间释放能量时,会产生非常强烈的电弧现 象,而电弧现象会波及性损伤到电路板的铜箔,使得一套昂贵的电路板只能报废。而使用本 专利技术的突波吸收器后,在发生雷击等现象后,只需将突波吸收器的局部电路更换即可,其它 PCB板可以继续使用而不影响整机性能,从而进一步实现了提高效率、降低成本的初始目 标;3、由于使用星形网络连接方式,相与相间及相与地之间的吸收相当于2个同耐量 的器件串联,提高了 2倍等级突波吸收装置的吸收耐量,从而有效提高了突波吸收装置的 效率。附图说明图1是本专利技术实施例1的突波吸收装置的电路连接示意图;图2是本专利技术实施例2的突波吸收装置的电路连接示意图;图3是本专利技术实施例3的突波吸收装置的电路连接示意图;图4是本专利技术实施例4的突波吸收装置的电路连接示意图;图5是本专利技术突波吸收装置的使用效果示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例,对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施 例用于说明本专利技术,但不用来限制本专利技术的范围。实施例1 当待保护设备按三相四线制工作时,本实施例的突波吸收装置的电路连接示意图 如图1所示,一种突波吸收装置,包括4个退耦单元,即4个压敏电阻,在220V交流供电电 系统采用的压敏电阻的压敏电压为交流210V和交流300V,通流容量为微秒级浪涌信号;在 380V交流供电电系统采用的压敏电阻的压敏电压为交流300V和交流385V,通流容量为微 秒级浪涌信号;4个压敏电阻分别为RV1、RV2、RV3和RV4,它们的一端连接在一起,另一端 分别与待保护设备的输入端连接。RV4与保护地接入端相连,RV1、RV2及RV3与待保护设备 的三相动力线接入端连接。实施例2 当待保护设备按三相四线制工作时,本实施例的突波吸收装置的电路连接示意图 如图2所示,一种突波吸收装置,包括4个退耦单元,即4个安规电容,所述安规电容的电容 量为IOnF和IOOnF,额定电压为交流250V和交流275V ;4个安规电容分别为Cl、C2、C3和C4,它们的一端连接在一起,另一端分别与待保护设备的输入端连接。C4与保护地接入端相 连,Cl、C2及C3与待保护设备的三相动力线接入端连接。实施例3 当待保护设备按三相四线制工作时,本实施例的突波吸收装置的电路连接示意图 如图3所示,该突波吸收装置包括4个退耦单元退耦单元1、退耦单元2、退耦单元3、退耦 单元4。退耦单元1由Cl与RVl并联组成、退耦单元2由C2与RV2并联组成、退耦单元3 由C3与RV3并联组成、退耦单元4由C4与RV4并联组成,其中Cl、C2、C3和C4为安规电 容,所述安规电容的电容量为IOnF和IOOnF,额定电压为交流250V和交流275V ;RV1、RV2、 RV3和RV4为压敏电阻,在220V交流供电电系统采用的压敏电阻的压敏电压为交流21OV和 交流300V,通流容量为微秒级浪涌信号;在380V交流供电电系统采用的压敏电阻的压敏电 压为交流300V和交流385V,通流容量为微秒级浪涌信号。4个退耦单元的一端连接在一起, 退耦单元1、退耦单元2、退耦单元3的另一端分别与三相动力线接入端1、2、3连接,退耦单 元4的另一端与保护地接入端连接。本专利技术实施例中突波吸收装置的工作方式如下1、共模信号(1)纳秒级脉冲信号(小信号)例如当纳秒级脉冲信号由1相及保护地之间输 入,此时,由电容Cl及C4对其构成退耦回路,纳秒级脉冲信号在输入端口即得到吸收退耦, 没有进入设备内部;(2)微秒级脉冲信号(大信号)例如当微秒级脉冲信号由2相及保护地之间输 入,此时,由压敏电阻RV2及RV4对其构成退耦回路,微秒级脉冲信号在输入端口即得到吸 收退耦,没有进入设备内部。2、差模信号(1)纳秒级脉冲信号(小信号)例如当纳秒级脉冲信号由1相及2相之间输入, 此时,由电容Cl及C2对其构成退耦回路,纳秒级脉冲信号在输入端口即得到吸收退耦,没 有进入设备内部;(2)微秒级脉冲信号(大信号)例如当微秒级脉冲信号由2相及3相之间输入, 此时,本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种突波吸收装置,其特征在于,所述装置包括多个退耦单元,所述多个退耦单元的一端连接在一起,另一端分别与待保护设备的输入端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:骆鹏贾飞
申请(专利权)人:深圳市伟创电气有限公司
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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