【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及雪崩光电二极管的保护技术,尤其涉及在无源光网络突发模式下雪 崩光电二极管的保护技术。
技术介绍
APD (雪崩光电二极管),在光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制 成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。 加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。传统的雪崩光电二极管的保护方法,是在雪崩光电二极管前,串 联一个电阻或者限流二极管,降低Vapd电压(雪崩光电二极管偏置电压),不过降压范 围有限,倍增因子下降也是有限,不能使得倍增因子为M=l,在光功率过大的情况下, 仍然会对APD有冲击的作用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种保护雪崩光电二极管的设备及方法,使得APD在经 过大功率的光脉冲冲击之后,仍然不受到损伤。为实现以上目的,本专利技术提供一种保护雪崩光电二极管的设备,包括含有脉宽 发生器、模数转换器一、模数转换器二的微控制器,含有升压发生器、电流监控器的升 压电源芯片,RSSI (Received Signal Strength Indic ...
【技术保护点】
一种雪崩光电二极管的保护设备,其特征在于,包括:含有脉宽发生器、模数转换器一、模数转换器二的微控制器;含有升压发生器、电流监控器的升压电源芯片;RSSI(Received Signal Strength Indication,接收信号强度指示)快速响应网络;阻容网络一;和阻容网络二;所述升压发生器的升压输出端通过阻容网络一与所述电流监控器的电压输入端相连;所述模数转换器一通过RSSI快速响应网络与所述电流监控器的第一路监控输出端相连;所述模数转换器二通过阻容网络二与所述电流监控器的第二路监控输出端相连;所述脉宽发生器与所述升压发生器相连;所述电流监控器的偏置电压输出端与所述 ...
【技术特征摘要】
1.一种雪崩光电二极管的保护设备,其特征在于,包括含有脉宽发生器、模数转换器一、模数转换器二的微控制器;含有升压发生器、电流监控器的升压电源芯片;RSSI (Received Signal Strength Indication,接收信号强度指示)快速响应网络;阻容网络一;和阻容网络二;所述升压发生器的升压输出端通过阻容网络一与所述电流监控器的电压输入端相 连;所述模数转换器一通过RSSI快速响应网络与所述电流监控器的第一路监控输出端相 连;所述模数转换器二通过阻容网络二与所述电流监控器的第二路监控输出端相连;所 述脉宽发生器与所述升压发生器相连;所述电流监控器的偏置电压输出端与所述雪崩光 电二极管的阴极相连。2.—种使用权利要求1所述设备的保护雪崩光电二极管的方法,其特征在于,包括如 下步骤A、对所述模数转换器二进行周期性采样监控;B、当所述升压电源芯片未处于保护状态且监控功率大于保护阈...
【专利技术属性】
技术研发人员:余涛,
申请(专利权)人:成都优博创技术有限公司,
类型:发明
国别省市:90
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