蓝光发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种蓝光发光二极管，该实用新型专利技术解决了现有大功率蓝光发光二极管抗静电能力差的问题。本实用新型专利技术的结构是，在衬片层的上面自下而上地依次形成蓝宝石衬底、ｌｎＧａＮ过渡层、ＡＩＧａＮ过渡层、低温ＧａＮ缓冲层、Ｎ－ＧａＮ接触、ｌｎＧａＮ／ＧａＮ发光层、Ｐ＋ＧａＮ接触层、Ｎｉ／Ａｕ透明电极层。利用这种结构的芯片具有优越的稳定性，同以往的蓝光发光二极管相比具有很强的抗静电能力，能够明显提高大功率蓝光发光二极管的寿命。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术专利涉及一种发光二极管，更具体地说，涉及蓝光发光二极管。
技术介绍
大功率的蓝光发光二极管主要用在铁路照明、道路照明、井下照明，正在向民用照 明发展，其节能环保效果显著。 外延结构是发光二极管的核心部分，目前最成熟且最具效率的蓝光发光二极管是 采用氮化镓(GaN)作为外延结构的基本材料，其具有发光效率高的特点。其通常的结构是， 在衬底上生长有GaN基材料和器件的外延层。由于蓝宝石衬底具有稳定性好、机械强度高 的优点，能够运用在高温生长过程及易于处理和清洗。因此，大多数设计都以蓝宝石作为衬 底，蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Q/cm，不能通过掺杂而改变其导电性， 在这种情况下无法制作垂直结构的器件，通常只在外延层的上表面制作n型和p型电极。 在蓝光发光二极管的制作中，晶格的匹配是一个重大的课题，也就是说外延材料 与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低，才不致于 因应力的因素导致晶格缺陷。 现有的一种大功率蓝光发光二极管的外延结构如图1所示，是在衬片层101的上 面自下而上地依次形成有蓝宝石衬底102、低温GaN缓冲层103、N-G本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝光发光二极管，其特征在于，　　在衬片层的上面自下而上地依次形成蓝宝石衬底、ＩｎＧａＮ过渡层、ＡＩＧａＮ过渡层、低温ＧａＮ缓冲层、Ｎ－ＧａＮ接触层、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ发光层、Ｐ＋ＧａＮ接触层、透明导电层。

【技术特征摘要】
一种蓝光发光二极管，其特征在于，在衬片层的上面自下而上地依次形成蓝宝石衬底、InGaN过渡层、AIGaN过渡层、低温GaN缓冲层、N-GaN接触层、InGaN/GaN发光层、P+GaN接触层、透明导电层。2. 如权利要求l所述的蓝光发光二极管，其特征在于， 所述透明导电层为Ni/Au导电层。3. 如权利要求l所述的蓝光发光二极管，其特征在于， 所述蓝宝石衬底层的厚度为50-200um。4. 如权利要求l所述的蓝光发光二极管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜滨，吉爱华，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]