【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用电阻变化型存储元件的存储装置以及用于制造这种存储装置的 方法。
技术介绍
包括例如EEPR0M(电可擦可编程只读存储器，Electrically Erasable and Programmable ROM)以及闪存等非易失性存储器的半导体装置已普遍用于各种各样的领域 中。提高例如重写计数及数据保持持久性等可靠性以及存储器结构的小型化对非易 失性存储器提出重大挑战。与以浮动式结构为代表的当前市售的闪存的结构相比，电阻变化型非易失性存储 器在可靠性及小型化方面具有优势，因而已受到关注。关于这种电阻变化型非易失性存储器，例如，已提出ReRAM(电阻型随机存取存储 器，Resistive Random Access Memory)以及 PCRAM(相变随机存取存储器，Phase Change Random Access Memory)(参见例如 JP-T-2002-537627 以及美国专利第 6，339，544 号；如 本文所用，术语“ JP-T”表示PCT专利申请的公开日语译文)。电阻变化型非易失性存储器具有简单的结构以及高速重写性能，并且被认为适...
【技术保护点】
一种存储装置，其包括电阻变化型存储元件，所述存储装置包括：第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料以及所述第二电极与所述第二电阻变化层的接触面积中的至少一者，不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料以及所述第一电极与所述第一电阻变化层的接触面积中的对应的一者。
【技术特征摘要】
JP 2009-10-26 2009-2455971.一种存储装置，其包括电阻变化型存储元件，所述存储装置包括第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料以及所述第二电极与所述第二电阻变化层的 接触面积中的至少一者，不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料以及所述第一电极与所 述第一电阻变化层的接触面积中的对应的一者。2.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一存储元件和所述第二存储元件分别 与所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层连接，并且还包括电阻变化材料供应层，所 述电阻变化材料供应层包含用于改变所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层的电阻 的材料并向所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层供应所述材料。3.如权利要求2所述的存储装置，其中，所述电阻变化材料供应层包括选自S、k*Te 中的至少一种元素以及选自Zr、Cu和Ag中的至少一种元素。4.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料分别不同 于所述第一电阻变化层的厚度和材料。5.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层 由选自氧化钨、Ta2O5, A1203、SiO2, NiO、CoO、CeO2和HfO2中的材料形成。6.如权利要求1所述的存储装置，其中，选自锆、硅、氧和贵金属中的至少一种元素被 引入所述第二电阻变化层。7.一种存储装置，其包括电阻变化型存储元件，所述存储装置包括第一存储元件，其包括经历电阻变化的第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层 的第一电极；以及第二存储元件，其包括经历电阻变化的第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层 的第二电极，其中，所述第二电极的材料不同于所述第一电极的材料。8.如权利要求7所述的存储装置，其中，所述第一存储元件和所述第二存储元件分别 与所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层连接，并且还包括电阻变化材料供应层，所 述电阻变化材料供应层包含用于改变所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层的电阻 的材料并向所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层供应所述材料。9.如权利要求8所述的存储装置，其中，所述电阻变化材料供应层包括选自S、k*Te 中的至少一种元素以及选自Zr、Cu和Ag中的至少一种元素。10.如权利要求7所述的存储装置，其中，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层 由选自氧化钨、Ta2O5, A1203、SiO2, NiO、CoO、CeO2和HfO2中的材料形成。11.一种用于制造存储装置的方法，所述存储装置包括电阻变化型存储元件，所述电阻 变化型存储元件包括经历电阻变化的电阻变化层和连接至所述电阻变化层的电极，所述方 法包括以下步骤在整个存储区域上形成所述电阻变化层的电阻变化材料层；除去所述存储区域的一部分中的所述电阻变化材料层；以及...
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