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本发明提供一种存储装置和用于制造存储装置的方法，所述存储装置包括电阻变化型存储元件，且该存储装置包括：第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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