【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体材料的光致发光测量装置,尤其涉及一种小型化低成 本可实现扫描测量的光致发光测量装置。
技术介绍
光致发光测量方法是一种检测材料电子结构的方法,测量时不需要接触到材料, 且不会对材料造成损害。实际测量中,光直接照射到材料表面,光被材料吸收后将能量传递 给材料,这些能量一部分转换为热能损耗掉,另一部分就以发光的形式消耗掉,这种由光激 发而发光的过程就称为光致发光。如附图1所示,被材料吸收的光与材料内部的电子相互作用,电子吸收光子的能 量从价带跃迁到导带,当被激发的电子回到价带时,多余的能量就通过发光和其他的形式 释放出来,所以这种被激发光的能量就与材料内部两个能带的间隙(带隙)宽度相联系,被 激发光的强度与辐射过程的贡献有关。光致发光光谱的测量,可以应用于材料的带隙检测、 杂质等级和缺陷检测,材料的复合机制和材料的品质鉴定。现有的光致发光测量装置多采用空间光路的形式,激光器发出的激发光经多个反 射镜转折光路,再经一个线形偏振片转为线偏光,由透镜聚焦后,经反射镜照射到样品上, 样品固定在样品台上放置在一个恒温箱中,进行低温下的光致发光测量时使用这个 ...
【技术保护点】
一种光致发光扫描测量装置,其特征在于,它包括:激光器(1)、耦合装置(2)、光纤耦合器(3)、电动样品台(5)、光谱仪(6)、系统控制器(8);其中,耦合装置(2)由五维调节架和显微镜物镜组成,激光器(1)的出射光通过显微镜物镜的中心并聚焦在光纤耦合器(3)的一个光纤端口上,光纤耦合器(3)同侧的另一个光纤端口连接光谱仪(6),光纤耦合器(3)另一侧的一个光纤端口在电动样品台(5)的上方;电动样品台(5)和光谱仪(6)分别通过数据线连接到系统控制器(8)上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:魏文雄,何建军,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:实用新型
国别省市:86[中国|杭州]
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