一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路制造技术

本实用新型专利技术公开的一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器和可控硅充电电路，所述漏磁变压器的初级三个绕组分别接三相电网的一相，所述漏磁变压器的次级为环形结构，具有三个中间抽头，所述可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅和一个整流二极管串联构成，在每一可控硅的阳极与阴极之间跨接一由电阻和电容串联形成的保护支路，其特征在于，所述漏磁变压器次级的三个中间抽头分别接三个可控硅的阳极。本实用新型专利技术综合了漏磁变压器和可控硅的优点。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及充电机
，特别是一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路。
技术介绍
目前市面上所销售的充电机主要分基于漏磁变压器的智能充电机和可控硅系列 充电机，基于漏磁变压器的充电机存在如下问题1、仅仅依靠漏磁变压器外加整流桥，控制 单一，充电过程中，易受电网电压的波动而影响充电效果。2、漏磁变压器因其自身的特点， 所输出的电流较为平稳，造成充电电能转化率相对低。3、由于基于漏磁变压器的智能充电 机的初级有多个输入电压档位供选择，使用前，用户需根据输入电源电压进行接线，但国内 电网电压波动频繁，尤其是白天与晚间压差大，用户无法跟随着调整。另外，对不懂电气的 操作人员，一般不会去改变变压器的输入电压，这样会产生二种情况输入电压低时，输出 电流则低于正常充电电流，充入的电能小；输入电压高时，会使充电机的变压器内部过热， 导致温度继电器动作，且在充电末期，其输出电流高于正常充电电流，会使蓄电池受损。4、 无反接、过载、短路保护功能，用户一旦将蓄电池负载的正负极接反，就会烧断输出保险丝。 充电中途，拔下充电插头，此时大的直流电产生的拉弧，会窜入机内，引起芯片程序出错，甚 至烧坏线路板。 可控硅充电机所存在的问题是；(l)功率因数低，损耗大，而且对电网的过载能力 要求很高，否则将影响整条线路的正常使用；(3)稳定性能差，在充电工作过程中，充电电 流经常会增大，可控硅管工作在低电压、大电流充电情况下，难以控制其电流的大小，最终 导致元件被击穿。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种漏磁变压器与可控硅组合式充电 电路，其综合了漏磁变压器和可控硅的优点，以解决现有于漏磁变压器的智能充电机和可 控硅系列充电机各自存在的缺点。 本技术所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来解决 —种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器和可控硅充电电路，所述漏磁变压器的初级三个绕组分别接三相电网的一相，所述漏磁变压器的次级为环形结构，具有三个中间抽头，所述可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅和一个整流二极管串联构成，在每一可控硅的阳极与阴极之间跨接一 由电阻和电容串联形成的保护支路，其特征在于，所述漏磁变压器次级的三个中间抽头分别接三个可控硅的阳极。 由于采用了如上的技术方案，本技术综合了漏磁变压器和可控硅的优点，其 380V电网电压经过漏磁变压器隔离降低后，得到一组低电压，再经整流为直流电压后供电 瓶充电，从而避免了 380V电网电压直接进入电瓶的触电危险，同时也可以降低可控硅的耐压等级，降低成本。本技术提高了功率因数，降低了损耗。本技术还具有如下优 点 1、通过高性能微处理器，对充电电流、充电电压进行实时动态跟踪，控制可控硅通 断的占空比，使充电过程完全按照Wa充电曲线进行，完全满足蓄电池的接受特性，可根据 用户要求，灵活地进行充电编程，使充电曲线和要求完全符合蓄电池的接受特性，另一方面 通过漏磁变压器的漏磁原理，控制充电机初期冲击电流。 2、双重控制，不受电网电压波动的影响，精度更高，可靠性更强。所以电网在± 5 % 之间波动时，对本产品不造成任何影响；电网在±10%之间波动时，虽有些参数有微量变 动，但不影响整体的充电效果。 3、本技术采用过零群脉冲触发技术，使可控硅处于开关状态，形成的输出电 流具有一定的脉动成份，对蓄电池极板具有一定的冲刷脱硫功效，更有利于对蓄电池的充 电。另外，通过变压器的漏磁原理，很好地抑制了充电初期的峰值大电流。本技术在整 个充电过程中，得到了很好的控制，因此其充电电能的转化效率高，充电容量足。以下结合附图和具体实施方式来详细说明本技术。附图说明图1为本技术的电原理示意图。具体实施方式为了使本技术的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结 合具体实施例，进一步阐述本技术。 参见图l，一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器T和可控硅 充电电路，漏磁变压器T的初级三个绕组分别接三相电网的一相A、 B、 C，漏磁变压器T的 次级为环形结构，具有三个中间抽头1、2、3，可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而 成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅Kl或K2或K3和一个整流二极管Dl或D2或D3 串联构成，在每一可控硅K1或K2或K3的阳极与阴极之间跨接一由电阻R1或R2或R3和 电容Cl或C2或C3串联形成的保护支路，漏磁变压器T次级的三个中间抽头1、2、3分别接 三个可控硅Kl、 K2、 K3的阳极，三个可控硅Kl、 K2、 K3的触发极Gl、 G2、 G3接电源板的控制 输出。 以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行 业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述 的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下本技术还会 有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要 求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。权利要求一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器和可控硅充电电路，所述漏磁变压器的初级三个绕组分别接三相电网的一相，所述漏磁变压器的次级为环形结构，具有三个中间抽头，所述可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅和一个整流二极管串联构成，在每一可控硅的阳极与阴极之间跨接一由电阻和电容串联形成的保护支路，其特征在于，所述漏磁变压器次级的三个中间抽头分别接三个可控硅的阳极。专利摘要本技术公开的一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器和可控硅充电电路，所述漏磁变压器的初级三个绕组分别接三相电网的一相，所述漏磁变压器的次级为环形结构，具有三个中间抽头，所述可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅和一个整流二极管串联构成，在每一可控硅的阳极与阴极之间跨接一由电阻和电容串联形成的保护支路，其特征在于，所述漏磁变压器次级的三个中间抽头分别接三个可控硅的阳极。本技术综合了漏磁变压器和可控硅的优点。文档编号H02J7/06GK201533188SQ20092021114公开日2010年7月21日 申请日期2009年10月23日 优先权日2009年10月23日专利技术者倪德林, 吴锦华, 苏彬, 陈佩忠, 陈明根, 陈波 申请人:上海施能电器设备厂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器和可控硅充电电路，所述漏磁变压器的初级三个绕组分别接三相电网的一相，所述漏磁变压器的次级为环形结构，具有三个中间抽头，所述可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅和一个整流二极管串联构成，在每一可控硅的阳极与阴极之间跨接一由电阻和电容串联形成的保护支路，其特征在于，所述漏磁变压器次级的三个中间抽头分别接三个可控硅的阳极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明根，陈波，陈佩忠，吴锦华，倪德林，苏彬，
申请(专利权)人：上海施能电器设备厂，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]