高压可调漏磁变压器制造技术

本发明专利技术是有关一种高压可调漏磁变压器，包含一绕线架单元、一初级线圈、二次级线圈，以及一铁芯单元。该绕线架单元包括一形成一初级线圈段的初级线圈架，及二各形成一次级线圈段的次级线圈架，该初级线圈段的绕线径度大于所述次级线圈段的绕线径度的两倍；该铁芯单元包括一第一铁芯、一连接于该第一铁芯的第二铁芯、一靠近该初级线圈的初级磁通区，及二靠近所述次级线圈的次级磁通区，该第一铁芯具有一初级段、二自该初级段延伸的次级段、二第一内面，及二第一侧面，该第二铁芯具有二次级端部、二第二内面、二第二侧面，及二分别形成于所述次级端部的次级接触面。本发明专利技术不但可以降低初级线圈温升，并且借由一个可以控制泄漏磁束的结构可以使左右磁阻对称。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种变压器，特别是涉及一种可降低初级线圏温升及可 调整线圏泄漏磁束以使左右磁阻对称的高压可调漏磁变压器。
技术介绍
依据美国案专利号第US7015785 B2号及曰本案特开第2001-148318号 专利案所揭露的变压器， 一次侧磁阻是等于二次侧磁阻，可以减少磁芯的磁 束泄漏。若要增加磁芯的磁束泄漏，可以在一次侧与二次侧之间增加一个 控制磁芯。但是，此控制磁芯必须以非常精密的加工(通常是0. Qlmm以下 的公差)来达成泄漏磁束的调整，并且符合交货规格在漏电感± 7. 5°/。的条件 内，进而用分类的方式，将漏电感以±2%分类完成，然后放在同一片驱动电 路板上，以符合最后成品的电气需求。此种控制泄漏磁束的方式，是以控制铁芯吸引中柱铁芯的磁泄漏方式 来达成，在中柱磁芯中的磁束必须通过空气隙到达控制磁芯，并且因为空 气与铁芯的导磁系数(H)差异高达2000倍，导致控制磁芯不容易将中柱磁 芯中的磁束吸出而形成漏磁。所以在人工进行组装时，只要有些微的组装 误差，就会导致产品不良，而无法符合大量制造时所要求的稳定度。由于该初级线圈是同时驱动两个次级线圈，所以该初级线圈的绕线径 度等于所述次级线圈的绕线径度的和，使得该初级线圈的绕线截面积等于 所述次级线圈的绕线截面积的和。在此条件下， 一次侧的总磁阻约等于两 个二次侧的总磁阻的和，也就是磁力线并没有因为磁阻改变而被强制泄漏 形成漏磁。根据已知公式￡ = ^W2//，可知电感量L与绕线截面积A是呈正 比，因此，借由增加该初级线圈的绕线截面积A使该初级线圈的电感量L增 加，进而可增加初级线圈的有效 磁通，有效地控制初级线圈温度的上升。可是，因为第一铁芯与第二铁芯组立完毕之后，铁芯的结构跟绕线的 配置已经决定了线圈泄漏磁束的大小，并没有其他可行的结构可以进行调 整。再加上铁芯是由粉末烧结而成，因为烧结尺寸会因热胀冷缩产生烧结 公差及上下铁芯会有结合公差，左右磁阻通常不相等，导致次级线圈进入 谐振工作时，左右两边所产生的功率转移有差异，从而导致其他电气上的 品质问题发生。另外，依据美国案专利号第US7015785 B2号专利案所揭露的变压器，在 实际研磨制造时，受限于第二铁心的外型设计，研磨程序十分繁瑣，使业者4无法针对此变压器进行批量生产。由此可见，上述现有的变压器在结构与使用上，显然仍存在有不便与 缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不 费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而 一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解 决的问题。因此如何能创设一种新型结构的高压可调漏磁变压器，实属当 前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的变压器存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设 计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研 究创新，以期创设一种新型结构的高压可调漏磁变压器，能够改进一般现 有的变压器，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作 样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的变压器存在的缺陷，而提供一种新型 结构的高压可调漏磁变压器，所要解决的技术问题是使其可以降低初级线 圈温升，并借由一个可以控制泄漏磁束的铁心结构来调整线圏泄漏磁束的 大小，且利用部分移动的方式改变二次侧铁心的接触面积，进而改变二次 侧磁阻做对称调整，而可以使左右磁阻对称，同时具有可批量生产性，非常 适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本专利技术提出的一种高压可调漏磁变压器，其包含一个绕线架单元、 一个初级线圈、二个次级线圈，以及一个铁芯单元；其中，该绕线架单元包括一个 形成一个初级线圈段的初级线圈架，及二个各形成一个次级线圈段的次级 线圈架，该初级线圈段的绕线径度大于所述的次级线圏段的绕线径度的两 倍，该初级线圈是绕设于该初级线圈段，该次级线圈是分别绕设于所述次级 线圏段；该铁芯单元包括一个穿设于该绕线架单元的第一铁芯、 一个连接于 该第 一铁芯的第二铁芯、 一个形成于该第 一铁芯与该第二铁芯之间并靠近 该初级线圈的初级磁通区，及二个形成于该第 一 铁芯与该第二铁芯之间并 靠近该次级线圈的次级磁通区，该第二铁芯与该第 一铁芯形成一个连接该 初级线圈与所述次级线圈的磁通路；其特征在于该第一铁芯，具有一个 穿设于该初级线圏架的初级段、二个自该初级段延伸并相间隔地穿设于所 述次级线圈架的次级段、二个形成于所述次级段内侧并相对设置的第一内 面，及二个相反于所述第一内面的第一侧面；该第二铁芯，具有二个分别连 接所述次级段的次级端部、二个分别形成于所述次级端部内侧并相对设置 的第二内面、二个相反于所述第二内面的第二侧面，及二个分别形成于所述次级端部并与所述次级段连接的次级接触面，所述的第二侧面间的距离与所述第二内面间的距离的差值，是不等于所述第 一侧面间的距离与所述第一内面间的距离的差值。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的高压可调漏磁变压器，其中所述的第二侧面间的距离等于所述第 一侧面间的距离，所述次级接触面的面积是分别大于所述次级磁通区的有效截面积。前述的高压可调漏^f兹变压器，其中所述的第二内面间的距离等于所述 第 一 内面间的距离，所述次级接触面的面积是分别大于所述次级磁通区的 有效截面积。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 专利技术提出的一种高压可调漏磁变压器，其包含一个绕线架单元、二个初级线圈、四个次级线圈，以及一个铁芯单元；其中，该绕线架单元包括二个各 形成一个初级线圏段的初级线圈架，及四个各形成一个次级线圈段的次级 线圈架，所述初级线圈段的绕线径度大于所述次级线圏段的绕线径度，所述 初级线圈是分别绕设于所述初级线圈段，所述的次级线圏是分别绕设于所 述次级线圏段；该铁芯单元包括二个相对设置并穿设于该绕线架单元的第 一铁芯、 一个连接于所述第一铁芯的第二铁芯、二个形成于该第一铁芯与 该第二铁芯之间并靠近该初级线圈的初级磁通区，及二个形成于该第 一铁 芯与所述第二铁芯之间并靠近该次级线圈的漏磁区，所述的第二铁芯与该 第 一铁芯形成一个连接所述初级线圈与所述次级线圈的磁通路；其特征在 于所述的第一铁芯，分别具有一个穿设于该初级线圈架的初级段，及二个 自该初级段延伸并相间隔地穿设于所述的次级线圈架的次级段；该第二铁 芯，具有二个分别对应于所述漏石兹区的调；兹端部。本专利技术的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依 据本专利技术提出的一种高压可调漏磁变压器，包含一个绕线架单元、 一个初级 线圈、 一个次级线圈，以及一个铁芯单元；其中，该绕线架单元包括一个初 级线圈段，及一个次级线圈段，该初级线圏是绕设于该初级线圈段，该次级 线圈是绕设于该次级线圏段；该铁芯单元包括一个穿设于该绕线架单元的 第一铁芯、 一个连接于该第一铁芯的第二铁芯、 一个形成于该第一铁芯与 该第二铁芯之间并靠近该初级线圈的初级磁通区，及 一 个形成于该第 一 铁 芯与该第二铁芯之间并靠近该次级线圈的次级磁通区，该第二铁芯与该第 一铁芯形成一个连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压可调漏磁变压器，其包含一个绕线架单元、一个初级线圈、二个次级线圈，以及一个铁芯单元；其中，该绕线架单元包括一个形成一个初级线圈段的初级线圈架，及二个各形成一个次级线圈段的次级线圈架，该初级线圈段的绕线径度大于所述次级线圈段的绕线径度的两倍，该初级线圈是绕设于该初级线圈段，该次级线圈是分别绕设于所述次级线圈段；该铁芯单元包括一个穿设于该绕线架单元的第一铁芯、一个连接于该第一铁芯的第二铁芯、一个形成于该第一铁芯与该第二铁芯之间并靠近该初级线圈的初级磁通区，及二个形成于该第一铁芯与该第二铁芯之间并靠近该次级线圈的次级磁通区，该第二铁芯与该第一铁芯形成一个连接该初级线圈与所述次级线圈的磁通路；其特征在于：　该第一铁芯，具有一个穿设于该初级线圈架的初级段、二个自该初级段延伸并相间隔地穿设于所述次级线圈架的次 级段、二个形成于所述次级段内侧并相对设置的第一内面，及二个相反于所述第一内面的第一侧面；　该第二铁芯，具有二个分别连接所述次级段的次级端部、二个分别形成于所述次级端部内侧并相对设置的第二内面、二个相反于所述第二内面的第二侧面，及二个分 别形成于所述次级端部并与所述次级段连接的次级接触面，所述的第二侧面间的距离与所述的第二内面间的距离的差值，是不等于所述的第一侧面间的距离与所述的第一内面间的距离的差值。...

【技术特征摘要】
1、一种高压可调漏磁变压器，其包含一个绕线架单元、一个初级线圈、二个次级线圈，以及一个铁芯单元；其中，该绕线架单元包括一个形成一个初级线圈段的初级线圈架，及二个各形成一个次级线圈段的次级线圈架，该初级线圈段的绕线径度大于所述次级线圈段的绕线径度的两倍，该初级线圈是绕设于该初级线圈段，该次级线圈是分别绕设于所述次级线圈段；该铁芯单元包括一个穿设于该绕线架单元的第一铁芯、一个连接于该第一铁芯的第二铁芯、一个形成于该第一铁芯与该第二铁芯之间并靠近该初级线圈的初级磁通区，及二个形成于该第一铁芯与该第二铁芯之间并靠近该次级线圈的次级磁通区，该第二铁芯与该第一铁芯形成一个连接该初级线圈与所述次级线圈的磁通路；其特征在于该第一铁芯，具有一个穿设于该初级线圈架的初级段、二个自该初级段延伸并相间隔地穿设于所述次级线圈架的次级段、二个形成于所述次级段内侧并相对设置的第一内面，及二个相反于所述第一内面的第一侧面；该第二铁芯，具有二个分别连接所述次级段的次级端部、二个分别形成于所述次级端部内侧并相对设置的第二内面、二个相反于所述第二内面的第二侧面，及二个分别形成于所述次级端部并与所述次级段连接的次级接触面，所述的第二侧面间的距离与所述的第二内面间的距离的差值，是不等于所述的第一侧面间的距离与所述的第一内面间的距离的差值。2、 如权利要求1所述的高压可调漏磁变压器，其特征在于其中所述的 第二侧面间的距离等于所述的第 一侧面间的距离，所述的次级接触面的面 积是分别大于所述的次级磁通区的有效截面积。3、 如权利要求1所述的高压可调漏磁变压器，其特征在于其中所述的 第二内面间的距离等于所述的第 一 内面间的距离，所述的次级接触面的面 积是分别大于所述的次级^磁通区的有效截面积。4、 一种高压可调漏磁变压器，其包含一个绕线架单元、二个初级线 圏、四个次级线圈，以及一个铁芯单元；其中，该绕线架单元包括二个各形 成一个初级线圈段的初级线圈架，及四个各形成一个次级线圈段的次级线 圈架，所述初级线圈段的绕线径度大于所述次级线圈段的绕线径度，所述 初级线圈是分别绕设于所述初级...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖定承，
申请(专利权)人：光诠科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]