一种超大容量变压器的漏磁屏蔽方法技术

技术编号:4337368 阅读:533 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种超大容量变压器的漏磁屏蔽方法,应用于单相五柱铁心、三柱套线圈结构的变压器中,包括以下步骤:在I柱与II柱间及II柱与III柱间对应线圈上、下端部的箱壁上横向布置第1磁屏蔽组,使II柱的漏磁通通过横向的磁屏蔽与两侧I柱、III柱各一半的漏磁相平衡,并避开中间II柱的中部高压出线;在I柱及III柱外侧对应的箱壁上垂直布置第2磁屏蔽组,用于流通I柱及III柱不能与II柱相平衡的漏磁通。本发明专利技术充分吸取了横向布置和垂直布置的优点,避免了两种布置方式的缺点,充分利用三柱套线圈结构,中间柱漏磁通分布与另外两个柱漏磁通分布不同的特点,为解决单相、三柱套线圈的超高压、超大容量产品的漏磁控制并防止局部过热提供了有效途径。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及输变电行业变压器制造领域,具体地说是。
技术介绍
随着国家电力事业的不断发展,电站装机容量的不断扩大,变压器的单台容量也 越来越大。对于超大容量变压器(一般指600MVA以上)来说,变压器的漏磁通控制并防止 局部过热是设计的一大难点和重点。从采用的材料上分可分为三种方法第一种方法是全 部采用电屏蔽,用铜板或铝板铺设在油箱表面,当漏磁通通过时,铜板或铝板会产生环流形 成反磁场,从而抵消部分漏磁。该方法的缺点是不能有效地降低损耗。第二种方法是全部 采用磁屏蔽,使磁通主要通过高导磁率、低损耗的磁分路闭合,达到减少通过油箱等部件的 漏磁,降低损耗的目的。该方法的缺点是在漏磁通很大时,容易在磁屏蔽边界处发生磁通集 中,而发生局部过热。第三种方法是采用电屏蔽和磁屏蔽两者结合布置,即有效降低损耗, 又避免局部过热。其中第二种方法和第三种方法中的磁屏蔽布置结构随着产品结构的不同 可以有不同的设计。比较常见的布置方法是①、在每柱线圈对应的箱壁上垂直布置(见附 图1),该布置适用范围较广,可适用大部分变压器产品。但在采用中部间接出线的高电压产 品上应用时,为避开出线需要将磁屏蔽断开,使磁路中断而失去使用价值;②、在两柱线圈 间平行布置(一般仅在端部,见附图2),一般适用于多柱结构的产品,使两柱的漏磁通形成 闭合的回路,而达到控制漏磁通的目的。但对于单柱套线圈结构和两柱漏磁通严重不平衡 的产品效果较差。 目前绝大部分的单相超大容量变压器都采用单柱或两柱套线圈的结构。但当产品 容量进一步增大时,出于运输、温升等多方面的因素,可能需要采取单相五柱铁心、三柱套 线圈的结构。这种结构存在中间柱漏磁通分布与另外两个柱漏磁通分布不同的问题。而这 样大容量的变压器其电压往往也会很高,采用中部间接出线结构有利于产品的结构简化和 运行安全。如果全部采用附图1A、1B的磁屏蔽垂直布置结构(即标号3所示的磁屏蔽组), 则在中部间接出线的位置需要将磁屏蔽断开,影响磁屏蔽的效果;而由于采用三柱套线圈 结构后,中间II柱的漏磁通仅可与两侧I、III柱的各一半的漏磁通相平衡,如采用附图2A、 2B的磁屏蔽横向布置结构(即标号4所示的磁屏蔽组),则I、 III柱各一半的漏磁通没有 良好的漏磁通路,会在油箱、铁心夹件等产品金属结构件中产生较大的损耗,甚至会发生局 部过热。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述不足之处,本专利技术要解决的技术问题提供一种可防止变压器局部过热、提高变压器效率的。 为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是 本专利技术,应用于单相五柱铁心、三柱套线圈3结构的变压器中,包括以下步骤 在I柱与II柱间及II柱与III柱间对应线圈上、下端部的箱壁上横向布置第1 磁屏蔽组,使II柱的漏磁通通过横向的磁屏蔽与两侧I柱、111柱各一半的漏磁相平衡,并 避开中间II柱的中部高压出线; 在I柱及III柱外侧对应的箱壁上垂直布置第2磁屏蔽组,用于流通I柱及III 柱不能与II柱相平衡的漏磁通。 本专利技术方法还包括以下步骤 在中间没有磁屏蔽组的区域对应的油箱壁内侧布置铜屏蔽,防止该部分的局部过 热。本专利技术方法还包括以下步骤 在垂直布置的第2磁屏蔽组上对应I柱及III柱线圈中心一侧对应的油箱壁上设 置电场屏蔽。所述第1、2磁屏蔽组中具有多个并行设置的磁屏蔽,每个磁屏蔽均采用硅钢片材 料叠积而成,每个磁屏蔽厚度为10 40mrn,宽度为100 200mm,相邻磁屏蔽间距为20 40mm ;所述铜屏蔽采用铜板制作,厚度为4 8mm。 本专利技术具有以下有益效果及优点 1.相比完全采用铜屏蔽的方案,本专利技术充分利用了磁屏蔽降低损耗,防止局部过 热的优点,可以有效提高产品的效率,达到节能、降耗并提高变压器使用寿命的目的; 2.本专利技术所述的磁屏蔽布置方式充分吸取了横向布置和垂直布置的优点,避免了 两种布置方式的缺点,充分利用三柱套线圈结构,中间柱漏磁通分布与另外两个柱漏磁通 分布不同的特点,为解决单相、三柱套线圈的超高压、超大容量产品的漏磁控制并防止局部 过热提供了有效途径。附图说明 图1A为现有技术中采用垂直布置方式的磁屏蔽结构主视图; 图1B为图1A的俯视图; 图2A为现有技术中采用水平布置方式的磁屏蔽结构主视图; 图2B为图2A的俯视图; 图3A为本专利技术方法实施例结构主视图; 图3B为3A为的俯视图。具体实施例方式如图3A、3B所示,本实施例中将本专利技术方法应用于单相五柱铁心、三柱套线圈结 构的变压器中,其中1为变压器的线圈,2为变压器铁心,5为变压器油箱,在上述变压器的I 柱与II柱间及II柱与III柱间对应线圈上、下端部的箱壁上横向布置第1磁屏蔽组4(共 4组,本实施例中每组具有5个并行设置的磁屏蔽),使II柱的漏磁通可主要通过第1磁屏 蔽4组与两侧I柱、III柱各一半的漏磁相平衡,并避开中间II柱的中部高压出线; 在I柱及III柱外侧对应的箱壁上垂直布置第2磁屏蔽组3 (共2组,本实施例中 每组具有7个并行设置的磁屏蔽),用于流通I柱及III柱不能与II柱相平衡的漏磁通。 上述第1、2磁屏蔽组4、3中每个磁屏蔽均采用硅钢片材料叠积而成,每个磁屏蔽 厚度通常为10 40mm(本实施例为20mm),宽度通常为100 200mm (本实施例为120mm), 相邻磁屏蔽间距约20 40mm(本实施例为30mm); 为了取得更好的屏蔽效果,在中部没有磁屏蔽的区域对应的箱壁内侧焊装板式铜 屏蔽7,也可用螺栓固紧;本实施例采用铜板制作,厚度为6mm,防止该部分的局部过热;同 时在垂直布置的第2磁屏蔽组3的靠近I柱、111柱中心一侧采取电场屏蔽措施,与第2磁 屏蔽组3并行放置绝缘包覆的金属棒6,以控制磁屏蔽与变压器线圈高电位区的电场,控制 变压器局部放电。 本专利技术方法使单相五柱铁心、三柱套线圈结构的变压器大部分的漏磁通均有高导 磁的流通路线,从而减少油箱等金属结构件中的漏磁通量,达到减少损耗,控制局部过热的 目的。本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种超大容量变压器的漏磁屏蔽方法,应用于单相五柱铁心、三柱套线圈结构的变压器中,其特征在于包括以下步骤:在Ⅰ柱与Ⅱ柱间及Ⅱ柱与Ⅲ柱间对应线圈上、下端部的箱壁上横向布置第1磁屏蔽组(4),使Ⅱ柱的漏磁通通过横向的磁屏蔽与两侧Ⅰ柱、Ⅲ柱各一半的漏磁相平衡,并避开中间Ⅱ柱的中部高压出线;在Ⅰ柱及Ⅲ柱外侧对应的箱壁上垂直布置第2磁屏蔽组(3),用于流通Ⅰ柱及Ⅲ柱不能与Ⅱ柱相平衡的漏磁通。

【技术特征摘要】
一种超大容量变压器的漏磁屏蔽方法,应用于单相五柱铁心、三柱套线圈结构的变压器中,其特征在于包括以下步骤在I柱与II柱间及II柱与III柱间对应线圈上、下端部的箱壁上横向布置第1磁屏蔽组(4),使II柱的漏磁通通过横向的磁屏蔽与两侧I柱、III柱各一半的漏磁相平衡,并避开中间II柱的中部高压出线;在I柱及III柱外侧对应的箱壁上垂直布置第2磁屏蔽组(3),用于流通I柱及III柱不能与II柱相平衡的漏磁通。2. 按权利要求1所述的超大容量变压器的漏磁屏蔽方法,其特征在于还包括以下步骤在中间没有磁屏蔽组的区域对应的油箱壁内侧布置铜屏蔽(7),防止该部...

【专利技术属性】
技术研发人员:高兴耀钟俊涛孙树波方明
申请(专利权)人:特变电工沈阳变压器集团有限公司
类型:发明
国别省市:89[中国|沈阳]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1