本实用新型专利技术公开了一种电容式触摸屏，包括上电极层以及下电极层，在所述上电极层或下电极层的至少一层中绝缘地嵌入与其表面图案互补且平行匹配的屏蔽层。本实用新型专利技术通过在所述上电极层或下电极层的至少一层中绝缘地嵌入与其表面图案互补且平行匹配的屏蔽层的方式，经悬空或接地之后起到屏蔽的作用，从而能够一定程度上避免外界电磁干扰，从而提高了触摸屏的触摸点检测精度。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
一种电容式触摸屏
本技术涉及触摸屏
，尤其涉及一种电容式触摸屏。
技术介绍
越来越多的高端手持式设备的出现，推动了触摸屏技术的飞速发展，现有的电阻 式触摸屏由于其寿命和适用空间的有限，无法满足现有电子设备的需要，因此电容式触摸 屏的发展就有了很大空间。 目前来说，其电容式触摸屏一般具有这样的结构，依上而下一般依次包括上层介 质层1、上引线电极层2、上电极层3、绝缘介质层4、下引线电极层5、下电极层6以及下层介 质层7，其中的上层介质层1、绝缘介质层4以及下层介质层可以分别是玻璃、绝缘胶体以及 玻璃的材料，也可以是二氧化硅、玻璃以及二氧化硅的材料。其中的上引线电极层以及下引 线电极层可以是丝印的银浆，也可以是镀上的金属。这样的电容式触摸屏存在反应时间短、 寿命长、透光率高、不需要外带手写笔等优点，在高端手持式设备上的应用也越来越广。但 同样地，该电容式触摸屏普遍存在对外界干扰屏蔽性能差，从而导致其整体性能较低的缺 点。
技术实现思路
本技术针对现有技术中其屏蔽效果差的缺点，提供了一种屏蔽效果好，其触 摸点检测精度较高的电容式触摸屏。本技术的技术方案为一种电容式触摸屏，包括上电极层以及下电极层，在所述上电极层或下电极层的至少一层中绝缘地嵌入与其表面图案互补且平行匹配的屏蔽层。 本技术通过在所述上电极层或下电极层的至少一层中绝缘地嵌入与其表面图案互补且平行匹配的屏蔽层的方式，经悬空或接地之后起到屏蔽的作用，从而能够一定程度上避免外界电磁干扰，从而提高了触摸屏的触摸点检测精度。 本技术的特征及优点将通过实施例结合说明书附图进行详细说明。附图说明 图1为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的结构示意图； 图2为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的下电极层正投影示意图； 图3为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上电极层正投影示意图； 图4为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上电极层与下电极层组合 正投影示意图； 图5为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的下屏蔽层正投影示意图； 图6为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的下屏蔽层与下电极层的组 合正投影示意图； 图7为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上屏蔽层正投影示意图； 图8为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上屏蔽层与上电极层的组 合正投影示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施 例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本 技术，并不用于限定本技术。 如图l所示，本技术提供的一种电容式触摸屏，包括上电极层3以及下电极层 6，在所述上电极层3或下电极层6的至少一层中绝缘地嵌入与其表面图案互补且平行匹配 的屏蔽层。更为优选的是，在所述上电极层3中绝缘地嵌入与其表面阵列图案互补且平行 匹配的上屏蔽层8，在所述下电极层6中绝缘地嵌入与其表面图案互补且平行匹配的下屏 蔽层9。 参照图2和图3，图2为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的下电极层6 正投影示意图，图3为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上电极层3正投影示 意图，所述上电极层3以及下电极层6的表面图案为规则图形阵列。所述上电极层3或下电 极层6的表面图案可以为正八边形阵列、菱形阵列、正六边形阵列或正四边形阵列。在本实 用新型的一个实施方式中，所述上电极层3以及下电极层6，其单根导电电极方向为互补正 交，即在所述上电极层3中具有纵向或横向的导电电极30 ，在所述下电极层6中具有横向或 纵向的导电电极60，其导电电极之间为正交关系。且上电极层3或下电极层6的单根导电 电极被设计成了具有规则图形排列而成的形状，参照图2，例如所述下电极层6的单根导电 电极60由多个正八边形61横向排列而成，且两根单根导电电极之间具有一定的间隔空隙， 且其间隔也具有某一规则的形状，例如可以为由多个正四边形62排列形成的形状，在此情 况下，所述上电极层3的单根导电电极30由多个正四边形31纵向排列而成，且两根单根导 电电极30之间具有一定的间隔空隙，且其间隔也具有某一规则的形状，例如可以为由多个 正六边形32排列形成的形状，所述上电极层3的各条纵向单根导电电极30与下电极层6 中的正四边形62的间隔空隙进行互补匹配，且所述上电极层3的呈多个正六边形32排列 形成间隔空隙与所述下电极层6的由多个正八边形61横向排列的多个单根导电电极60进 行互补匹配。对于该部分内容，该
普通技术人员通过阅读以上所述内容不难得知， 对于上电极层3与下电极层6的互补且正交匹配关系还有许多具体的实施方式，这里没有 并没有一一指出，但都包含于本技术的保护范围之内。 参照图2和图3，根据本技术的一种优选实施例，所述上电极层3为上ITO电 极阵列层，所述下电极层6为下ITO电极阵列层。 参照图5、图6、图7以及图8，图5为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例 的下屏蔽层9正投影示意图，图6为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的下屏蔽 层9与下电极层6的组合正投影示意图，图7为本技术提供的电容式触摸屏一种实施 例的上屏蔽层8正投影示意图，图8为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上屏 蔽层8与上电极层3的组合正投影示意图。首先，对照图5以及图2，叙述一下所述下屏蔽 层9与所述下电极层6的匹配关系。所述下屏蔽层9的表面图案可以为正八边形阵列、菱 形阵列、正六边形阵列或正四边形阵列。在本技术的一个实施方式中，所述下屏蔽层9，其表面图案阵列与所述下电极层6的导电电极方向为平行互补匹配关系，即在所述下屏蔽层9中具有与所述上电极层3中由多个正四边形91排列形成的间隔空隙平行且互补匹配的单根屏蔽条90，所述下屏蔽层9两两相邻的单根屏蔽条90之间也具有某一规则的形状，例如可以为由多个正八边形92排列形成的间隔空隙，使得所述下电极层6的由多个正八边形92横向排列的多个单根导电电极60与所述下屏蔽层9的由多个正八边形92排列形成的间隔空隙进行互补匹配。 然后，参照图3、图7以及图8，叙述一下所述上屏蔽层8与所述上电极层3的匹配关系。其中，图3为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上电极层3正投影示意图，图7为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上屏蔽层8正投影示意图，图8为本技术提供的电容式触摸屏一种实施例的上屏蔽层8与上电极层3的组合正投影示意图。对于上屏蔽层8与上电极层3的互补平行匹配关系与所述下屏蔽层9与下电极层6的匹配关系相同，这里不做重复细述。 所述上屏蔽层8以及下屏蔽层9在电连接方式上为悬空或接地，用来屏蔽外界电磁干扰，同时可以使整个触摸屏器件的透过率更均匀。更为优选地，所述上屏蔽层8为悬空，所述下屏蔽层9为接地。优选情况下，所述屏蔽层为ITO导电层。 在设计的过程中， 一般将所述上电极层3的面积设计成小于或等于下电极层6的面积，该做法的主要目的是提高检测的灵敏度，对于所述上电极层3以及下电极层6的面积大小比例可以按照具体设计过程中的要求、参数进行自行设置，这里不作详细说明。 本技术通过在所述上电极层3或下电极层6的至少一本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电容式触摸屏，包括上电极层以及下电极层，其特征在于，在所述上电极层或下电极层的至少一层中绝缘地嵌入与其表面图案互补且平行匹配的屏蔽层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：时翠平，尹俊，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
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