具有窄的表面声波属性分布的铌酸锂晶片制造技术

提供了一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体的方法。对一个或多个晶体的组分进行测量。对晶体组分从同成分的偏离进行确定。对初始熔体组分和与所述偏离相应的源材料组分修正进行确定。利用所述组分修正生长晶体以生产用于表面声波衬底制造的可再现材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及制作晶体的方法，更具体地涉及实现表面声波器件(“SAW”)的高 可再现性能的晶体的生长和规范。
技术介绍
铌酸锂(LN)供应商通常区别对待用于光学应用的LN和用于表面声波(SAW)应用 的LN。因为用于光学应用的晶体通常需要更好的均勻性和较低的光损耗，所以光学LN晶体 通常使用纯度较高的起始材料、长度较短的晶体、每次生长过程中熔体体积到晶体体积的 较低的固化率以及对所生长晶体的更严格检视。光学材料生长的这种低效率转化为成品光 学晶片比SAW晶片高的成本。在许多应用中，例如在TV接收器和移动通信基站中，使用由LN衬底制造的SAW滤 波器。这种滤波器的目的一般在于使通带中的信号频率通过，并且显著衰减阻带中的信号 频率。高性能滤波器经常要求将某些频率衰减至与通带频率相比小于_65dB。由于衬底SAW速度的偏移改变滤波器的频率响应，其对滤波器的制造产量不利。 因此，SAW晶片客户不仅要求晶片内有良好的速度均勻性，而且要求长时间段内在晶片之 间以及从不同晶体切割下来的晶片之间有良好的速度均勻性。同时，SAW衬底需要有高的 成本有效性，以瞄准客户对电子设备降价的预期。对于晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴尔特汉斯容特，玛丽亚克劳迪娅库斯托迪奥卡伊亚马，约翰托马斯卡雷拉，
申请(专利权)人：晶体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US