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具有窄的表面声波属性分布的铌酸锂晶片制造技术
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文档序号:5053058
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提供了一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体的方法。对一个或多个晶体的组分进行测量。对晶体组分从同成分的偏离进行确定。对初始熔体组分和与所述偏离相应的源材料组分修正进行确定。利用所述组分修正生长晶体以生产用于表面声波衬底制造的可再现材...
该专利属于晶体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶体技术有限公司授权不得商用。
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