形成ＣＭＯＳ器件应力膜的方法技术

本发明专利技术提供了一种形成ＣＭＯＳ器件应力膜的方法，依次包括下列步骤：提供半导体结构，其包括ＣＭＯＳ器件、拉伸应力膜、硬掩膜层和光掩膜图形；利用所述光掩膜图形做掩膜，去除所述ＰＭＯＳ晶体管对应的硬掩膜层；利用所述光掩膜图形做掩膜，去除所述ＰＭＯＳ晶体管上的部分厚度的拉伸应力膜；去除所述光掩膜图形；利用所述ＮＭＯＳ晶体管对应的硬掩膜层做掩膜，去除所述ＰＭＯＳ晶体管上剩余的所述拉伸应力膜；形成压缩应力膜及光掩膜图形；去除ＮＭＯＳ晶体管上的压缩应力膜；去除硬掩膜层和压缩应力膜上的光掩膜图形。本发明专利技术在形成ＣＭＯＳ晶体管应力膜时，减少对ＮＭＯＳ晶体管或ＰＭＯＳ晶体管上的应力膜造成的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种形成CMOS器件应力膜的方法。
技术介绍
在半导体制造工业里，已知技术在掺杂区上形成应力膜后，可通过在应力膜下层 的掺杂杂质区域产生机械应力，来增加相关半导体元件的速度。这是利用了应力来提高电 荷载流子的迁移率，而电荷载流子迁移率的提高可使半导体元件，例如晶体管，有更高的运 转速度。在过去的十几年之间，利用缩减金属氧化物半导体场效应晶体管 (Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors，M0SFET)尺寸的方式，来持续 地改善集成电路的每一功能元件的操作速度、效能表现、电路的元件密度以及成本，缩减的 方法主要包括缩小栅极长度以及栅极氧化层的厚度。为了进一步提升晶体管的效能，利用 位于半导体衬底中一部份的应变通道区域来制造MOSFET元件。对于互补金属氧化物半导 体场效应晶体管(CMOS)而言，以η型的MOSFET或是ρ型的MOSFET来说，使用应变通道区 域可以提高载流子的迁移率，以增加元件的效能。申请号为200510093507. 7的中国专利文献中公开了一种具有区域化应力结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成ＣＭＯＳ器件应力膜的方法，其特征在于，依次包括下列步骤：提供半导体结构，其包括ＣＭＯＳ器件，在所述ＣＭＯＳ器件的ＰＭＯＳ晶体管和ＮＭＯＳ晶体管上覆盖有拉伸应力膜，在所述拉伸应力膜上覆盖有硬掩膜层，在所述ＮＭＯＳ晶体管对应的硬掩膜层上覆盖有光掩膜图形；利用所述光掩膜图形做掩膜，去除所述ＰＭＯＳ晶体管对应的硬掩膜层；利用所述光掩膜图形做掩膜，去除所述ＰＭＯＳ晶体管上的部分厚度的拉伸应力膜；去除所述光掩膜图形；利用所述ＮＭＯＳ晶体管对应的硬掩膜层做掩膜，去除所述ＰＭＯＳ晶体管上剩余的所述拉伸应力膜；形成覆盖ＰＭＯＳ晶体管和ＮＭＯＳ晶体管对应的硬掩膜层的压缩应力膜及覆盖所述ＰＭＯＳ晶体管对应的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，黄敬勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]