平面变压器制造技术

本实用新型专利技术提供一种平面变压器，包括一磁芯组、一集成电路板、两个遮蔽金属箔、两组连接结构及多个导电对象；磁芯组具有一第一磁芯及一第二磁芯，集成电路板设置于第一磁芯及第二磁芯之间，且集成电路板内形成初级绕组和次级绕组，遮蔽金属箔间隔的设置于集成电路板内以区隔初级绕组及次级绕组，连接结构设置于集成电路板相对的两边端部，且电性连接遮蔽金属箔，使其电性连通，而导电对象设置于集成电路板，且初级绕组和次级绕组分别与导电对象电性连结，遮蔽金属箔则与对应的导电对象电性连接以形成接地；由前述，使得本实用新型专利技术具有电磁干扰屏蔽的功效。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关于一种平面变压器，尤指一种具有电磁干扰屏蔽(EMI Shielding)的平面变压器。
技术介绍
变压器为各式电子装置，如电源供应器或电源转换装置等运作时不可或缺 的基本组件，其中又以高频的变压器具有体积小、重量轻等的特性，因此可用 于要达到轻薄要求的电源，并且随着电子装置朝向小型化、薄型化、高功率等 的趋势发展下，变压器也需朝体积小且结构扁平的方向改良，通过应用于如 LED的驱动、通信用电源、特殊要求的高单价消费性电子产品电源等。因与 同样功率的传统变压器相比下，扁平(平面)变压器体积缩小电气特性更佳， 更可达轻薄的要求，并在相同的体积下可做到更大的功率输出的特性。如图6所示，为现有的一种平面变压器，包含一上磁芯ll、 一下磁芯12、 一电路板13及多个接脚14,上、下磁芯ll、 12为相对称的结构，电路板13 可为多层相互压合结构且具有一绕线线路以形成一主级绕组与一次级绕组(未 图示)，接脚14一端设置于电路板13内以与绕线线路达成电连接，而电路板 13设置上、下磁芯11、 12间，上、下磁芯11、 12可使用点胶的方式而相互 教着。接脚14的另一端可用于与一系统电路板上多个相对应的连接垫藉由表 面黏着技术(Surface Mount Technology, SMT)而连接(未图示)，使平面变压 器固定于系统电路板上。藉此，便可利用上、下磁芯ll、 12与电路板13的绕 线线路间的电磁耦合作用，以达到电压转换的目的。然而，上述现有的平面变压器容易产生电磁干扰(EMI)，尤其是高频的 使用下，电磁干扰的情形更是严重，使得精密的电子组件受到干扰。更进一步 的说，传统的变压器使用于开关电源中，作用在于转换电压与电流，而在开关 电源操作时变压器的线圈带有高频电流，因此变压器实际上已成为接收电场的天线，并发散出噪声，而使得电子组件受到干扰。
技术实现思路
本技术的目的，提供一种平面变压器，主要在于一集成电路板中形成有电磁干扰屏蔽(EMI Shielding)的构件，从而具有防电磁波干扰的功效，以 防止高频使用下，使精密的电子组件受到干扰。为达上述的目的，本技术提供一种平面变压器，包括 一》兹芯组，具 有相对设置的一第一;兹芯及一第二磁芯，该第一石兹芯具有一第一伸入部及该第 二磁芯具有一第二伸入部； 一集成电路板，设置于该第一》兹芯及该第二^兹芯之 间，且该第一磁芯的第一伸入部及该第二磁芯的第二伸入部分别伸入该集成电 路板内，该集成电路^1内形成有主级绕组和次级绕组；两个具有开;^丈口的遮蔽 金属箔，间隔的设置于该集成电路板内，该两个遮蔽金属箔区隔该初级绕组及 该次级绕组；两组连接结构，设置于该集成电路板相对的两边端部，以位于该 两个遮蔽金属箔的边缘，且该两组连接结构电性连接该两个遮蔽金属箔，使该 两个遮蔽金属箔电性连通；以及多个导电对象，设置于该集成电路板，且该初 级绕组及该次级绕组分别与对应的导电对象电性连结，及该两个遮蔽金属箔与 对应的导电对象电性连结以形成接地。本技术具有的效益由于集成电路板中设有遮蔽金属箔和连接结构的 设计以形成电磁干扰屏蔽(EMI Shielding),从而具有防电磁波干扰的功效， 以防止高频使用下，使精密的电子组件受到干扰。为使能更进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本实 用新型的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本 技术加以限制。附图说明图1为本技术的立体图2为本技术的立体分解图(一)；图3为本技术的立体分解图(二)，其中绘示集成电路板呈多层分解 的示意；图4为本技术的立体分解图(三)，其中绘示连接结构另一实施例的 示意；图5为本技术的立体分解图(四)，其中绘示集成电路板呈多层分解 及连接结构另 一 实施例的示意；图6为现有平面变压器的立体分解示意图。 主要组件符号说明上》兹芯 11 下^兹芯 12电路板 13 接脚 14本技术 磁芯组 20 第一磁芯 21 第一基壁211 第一伸入部 213 第二磁芯 22 第二基壁221 第二伸入部 223 集成电路板30 边端部 301、 302 通孔 31 次级绕组 33 开放口 341 导孔 36 导电物件 40第一侧壁 212第二侧壁 222初级绕组 32 遮蔽金属箔 34 连接结构 35、 35'具体实施方式请参阅图1至图3所示，本技术提供一种平面变压器，其包括一磁芯 组20、 一集成电路板30及多个导电对象40。磁芯组20具有一第一磁芯21及一第二磁芯22，第一磁芯21具有一第一 基壁211、两个第一侧壁212及一第一伸入部213，第二》兹芯22则具有一第一二基壁211、两个第二侧壁222及一第二伸入部223。第一》兹芯21的两个第一 侧壁212相对连接于第一基壁211的两侧部，第一伸入部213自第一基壁211 的中央部延伸而成，同样地，第二磁芯22的两个第二侧壁222相对连接于第 二基壁221的两侧部，第二伸入部223自第二基壁221的中央部延伸而成。集成电路板30为多层相互压合而成的结构件，其中在图3的图式中绘示 出呈多层板分解的示意图，集成电路板30具有一贯穿集成电路板30的通孔 31、及在集成电路板30内形成有初级(PRI)绕组32及次级(SEC)绕组33，如图所示，初级绕组32的导电图案(成线圈状的图案)先连续;^依序电性相接的设置在上半部的层板上，之后再于下半部的层板上形成初级绕组32，次 级绕组33的导电图案(成片型的图案)则设置在中央部层板上。在本技术中，在集成电路板30内设有两片间隔设置具开放口 341的 遮蔽金属箔34,而两个遮蔽金属箔34区隔初级绕组32及次级绕组33。如图 所示，两个遮蔽金属箔34间隔的设置在次级绕组33的上下二个层板上，而夹 设次级绕组33，并将初级绕组32及次级绕组33区隔，然初级绕组32与次级 绕组33的设置，并不以本技术所述为限，也可作不同的变化设置，但主 要是需通过两个遮蔽金属箔34将初级绕组32及次级绕组33区隔。其次，在本技术中，更在集成电路板30相对的两边端部设有两组连 接结构35,以位于两个遮蔽金属箔34的边缘处并位于初级绕组32及次级绕 组33的外围，且通过两组连接结构35电性连接两个遮蔽金属箔34，使两个 遮蔽金属箔34能相互电性连通。在本技术具体实施例中，如图所示，两 组连接结构35分别为多个连接孔，并分别穿至两个遮蔽金属箔34，及多个分 别设于连接孔内的导电金属件(未图示)，其可为如焊锡等的导电金属件，藉 以使两个遮蔽金属箔34能电性连通；但两组连接结构也可作不同的变化，例 如图4及图5所示，该两组连接结构35'为两个导电性连接件，利用以外接 的方式分别设置在集成电路板30相对的两边端部301、 302处，并连接两个遮 蔽金属箔34,也可达成相类同的目的。更进一步的说明，当集成电路板30完 成后，两个遮蔽金属箔34的侧边可显露于集成电路板30的侧边，因此两组连 接结构35，分别可设置在集成电路板30的侧边而与遮蔽金属箔34连接。遮蔽金属箔34可为铜箔，其大致类似成一 C型片体，故具有一开放口 341,若成一封闭状的金属箔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面变压器，其特征在于，包括：　一磁芯组，具有相对设置的一第一磁芯及一第二磁芯，该第一磁芯具有一第一伸入部及该第二磁芯具有一第二伸入部；　一集成电路板，设置于该第一磁芯及该第二磁芯之间，且该第一磁芯的第一伸入部及该第二磁芯的 第二伸入部分别伸入该集成电路板内，该集成电路板内形成有初级绕组和次级绕组；　两个具有开放口的遮蔽金属箔，间隔的设置于该集成电路板内，该两个遮蔽金属箔区隔该初级绕组及该次级绕组；　两组连接结构，设置于该集成电路板相对的两边端部，以 位于该两个遮蔽金属箔的边缘，且该两组连接结构电性连接该两个遮蔽金属箔，使该两个遮蔽金属箔电性连通；以及　多个导电对象，设置于该集成电路板，且该初级绕组及该次级绕组分别与对应的导电对象电性连结，及该两个遮蔽金属箔与对应的导电对象电性连结 以形成接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲仕，吕理敦，吴名章，
申请(专利权)人：力信兴业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]